私たちは誰であるか
当社は物理学研究の背景をもとに、Xiamen Powerway Advanced Materials Co., Ltd (PAM-XIAMEN) を設立しました。現在では中国の化合物半導体材料の大手メーカーとなっている。
PAM-XIAMEN は、GaAs&InP ベースの化合物半導体から最先端の SiC および GaN 材料までにわたる専門知識を備え、高度な結晶成長およびエピタキシー技術を開発しています。当社の能力には、オプトエレクトロニクスおよびパワーデバイス用の III-V 族半導体 (Ga、Al、In、As、P) の基板成長および MBE/MOCVD エピタキシャル堆積が含まれており、当社は中国の半導体材料イノベーションのリーダーとしての地位を確立しています。
品質は私たちの最優先事項です。 PAM-XIAMEN は ISO9001:2008 認証を取得しており、中国品質監督検査検疫総局から栄誉を授与されています。当社は 4 つの近代的な工場を所有および共有しており、お客様のさまざまなニーズを満たす幅広い認定製品を提供できます。
さらにご質問がございましたら、弊社の営業チームまでお問い合わせください。ありがとうございます。
私たちの歴史
ステージi
Pam-Xiamenシリコン炭化物ソリューション： 当社は、ダミー/研究/生産グレードの半絶縁性または導電性タイプの 4H-SiC および 3C-SiC 基板と、ドーピング/厚さ制御 (650 ～ 1700V) を備えたホモエピタキシャル ウェーハを提供しており、GaN-on-SiC RF、EV パワーモジュール、および極限環境センサーに導入されています。
ステージII
Pam-Xiamen化合物半導体ソリューション: 当社は、次世代フォトニクス/RF システム向けに加工基板 (GaAs、InP、InAs、InSb、GaSb など) および高度なエピタキシーを開発および製造しています。当社の MBE/MOCVD は、GaAs/InP ベースの HEMT およびレーザー構造、Sb ベースの QCL 構造などのエピタキシャル成長サービスを提供し、重要なフォトニックおよび RF アプリケーションを可能にします。
ステージIII
Pam-XiamenGANソリューション: 当社は、LED、LD、HEMT アプリケーションを可能にする、HVPE 成長の低転位密度自立 GaN 基板 (2 インチ～4 インチ) およびサファイア、シリコン、SiC、GaN 上の GaN エピウェーハを提供します。