アルミニウムガリウムヒ素エピウエハ
アルミニウムガリウムヒ素エピウェーハ（AlGaAsまたはAl）バツジョージア1-xAs) は、GaAs とほぼ同じ格子定数を持ちますが、バンドギャップがより大きい半導体ウェーハ材料です。式中の x は 0 から 1 までの数字を表します。これは、GaAs と AlAs の間の任意の合金を示します。 AlGaAs は、特定の比率ではなく、化学式の省略形と考える必要があります。
アルミニウムガリウムヒ素のバンドギャップは 1.42 eV (GaAs) ～ 2.16 eV (AlAs) です。 x < 0.4 の場合、バンドギャップは直接です。アルミニウムガリウムヒ素の屈折率は2.9(x=1)～3.5(x=0)です。アルミニウム ガリウム ヒ素の特性により、AlGaAs 材料は VCSEL および RCLED のブラッグ ミラーの構築に使用できます。以下の構造のガリウムアルミニウムヒ素エピタキシーを購入することも、PAM-XIAMEN にあなたの製品を提供することもできます。GaAsエピ構造カスタマイズするには:
1. AlGaAs薄膜を用いたエピタキシャルウェーハ構造
1.1 AlGaAs/GaAs ウェーハ構造
PAM190529-藻類
Gaas（10 nm）
AlGaAs (100 nm)、Al 30%、Ga 70%、1E18 cm^-3 ドープ
アンドープ AlGaAs (15 nm) (30% Al および 70% Ga)
GaAs (500nm)
GaAs基板
注: 移動度と 2DEG 濃度をテストできます。
1.2 AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTウェハ
PAM190510-HEMT
| 材料 | 厚さ、nm | ドーパント濃度 |
| GaAsウェハ、(625+25) えーっと |
－ | － |
| GaAsの | 200 | － |
| GaAs/Al0.23Ga0.77As | – | － |
| GaAsの | – | － |
| ln0.18Ga0.82As | – | － |
| GaAsの | 1.5 | － |
| Al0.23Ga0.77As | – | － |
| シ | － | – |
| Al0.23Ga0.77As | 12 | 5.0*10^16cm^-3 |
| n-GaAs | – | – |
| n+Al0.9Ga0.1As | 3 | – |
| n+GaAs | – | 6.0*10^18cm^-3 |
1.3 直径 3 インチ AlGaAs/GaAs エピ構造 (PAM170830-ALGAAS)
| レイヤー番号 | 構成 | 厚さ |
| 1 | n-GaAs (1×1019 CM-3、シ） | – |
| 2 | アルバツジョージア1-xとして (uid) | 400nm |
| 3 | GaAs基板 | – |
直径1.4 3 インチアルミニウムガリウムヒ素エピウェーハ (PAM170830-ALGAAS)
| レイヤー番号 | 構成 | 厚さ |
| 1 | p-GaAs(-cm-3、亜鉛またはC) | 100nm |
| 2 | p-Al0.3Ga0.7As(-cm-3、亜鉛またはC) | – |
| 3 | n-GaAs(-cm-3、シ） | 40nmの |
| 4 | アルバツジョージア1-xとして (uid) | – |
| 5 | GaAs基板 | – |
1.5 Al リッチ AlxGa1−xAs
PAM200827-EPI
Ａｌ含有量ｘ＝０．５、０．６、０．８。 GaAs基板上のAlリッチAlxGa1−xAsウェーハ、
サイズ: 2インチ
厚さ:500nm
備考: 高機動性:~6000cm2/Vs、2DEG密度 - Ns:2-3E12/cm2
1.6 乱数発生器用の量子ドットを備えた AlGaAs エピタキシャルウェハ
PAM210918 – EPI
| レイヤー番号 | 材料 | 厚さ | ドーパント | レイヤーの繰り返し数 | 注意 |
| 10 | GaAsの | – | – | – | |
| 9 | AlxGa1-xAs | – | – | – | |
| 8 | AlxGa1-xAs | – | – | – | |
| 7 | GaAsの | – | アンドープ | – | |
| 6 | InxGa1-xAs | – | – | – | フォトルミネッセンスのピーク値は 1100±80nm のスペクトル範囲内にある必要があります。 DBR反射スペクトル中心誤差 + – 30nm |
| 5 | GaAsの | – | – | – | |
| 4 | GaAsの | – | – | – | |
| 3 | AlxGa1-xAs | – | – | – | |
| 2 | AlxGa1-xAs | – | – | – | |
| 1 | GaAsの | ～300nm | – | – | |
| 0 | SI GaAs基板 |
2. アルミニウムガリウムヒ素エピウェーハの応用
アルミニウムガリウムヒ素ウェハは、量子井戸赤外光検出器（QWIP）、VCSEL、赤色LED、赤色ダブルヘテロ構造レーザーダイオード、HEMTデバイス、ホールセンサーなどのGaAsベースのヘテロ構造デバイスに使用されます。Gaの活性層を備えたアルミニウムガリウムヒ素LED1-xアルバツとして赤い光を発します。
詳細については、メールでお問い合わせください。[email protected] と [email protected]