CdZnTe検出器における拡張欠陥のバリア制御によるキャリアトラップ

ハイライト
•The barrier controlled trapping model was developed around extended defects.
•Electron mobility and E-field distribution were distorted by space charge depletion region.
•Extended defects act as a recombination-activated region.
•The relationships between extended defects and detector performance were established.

アルファ粒子源を使用する過渡電流技術を利用して、CdZnTe 結晶の電子ドリフト時間と検出器性能に対する拡張欠陥の影響を研究しました。孤立点欠陥によるトラップの場合とは異なり、バリア制御トラップモデルを使用して、拡張欠陥でのキャリアトラップのメカニズムを説明しました。光コンダクタンスに対する拡張欠陥の影響を、レーザー光誘起過渡電流 (LBIC) 測定によって研究しました。結果は、ショットキー型空乏空間電荷領域が拡張欠陥の近傍に誘導され、内部電場分布をさらに歪め、CdZnTe 結晶内のキャリア軌道に影響を与えることを示しています。電子のドリフト時間と検出器の性能との関係は確立されています。

キーワード
II–VI semiconductor devices; CdZnTe; Barrier controlled trapping; Extended defects
Source:Sciencedirect

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CdZnTe検出器における拡張欠陥のロールキャリアトラップ