Q：ウェーハ以下、数量25/50/300で供給できるかどうかお知らせください。 ガリウムヒ素ウェーハ、P / P150.00±0.25mm）6″Ø×650±25µm、VGF SIドープなしGaAs：-[100-2.0°から[110]]±0.5°、u>4,000cm²/ Vs、両面-研磨済み、1フラット57.5±2.5mm @ 110±°1、TTV <7µm、BOW <4µm、ワープ<10µm、TIR <6µm、証明書：必須、単一ウェーハカセットに窒素下で密封A：はい、納品を確認します時間と戻ってきます[...]
Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, C doped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser Markings Individual spider style [...]
Q：以下の項目をお願いします。1。片面研磨N型シリコン（Si）単結晶ウェーハ、配向<100>、抵抗率5E-3 ohm.cm、厚さ：0.1〜0.5mm 2.シリコン（Si） ）単結晶ウェーハ、片面研磨Pタイプ、配向<100>、抵抗率5E-3 ohm.cm、厚さ：0.1〜0.5 mm A：はい、ベースで供給できます[...]
Q：SiCウェーハの再生、表面粗さ<= 0.3nmを保証できますか？ A：もちろん、問題ありません。
Q：半絶縁性（ドープされていない）SiCまたは単結晶HPSI SiCを持っているかどうか疑問に思いましたか？ A：当社の半絶縁性SiC基板は、Vドープされているため、高純度の半絶縁性SiCを提供することはできませんが、数量が多ければ、ドープされていないSiCを提供できます。
Q：通常提供しているSiC基板のドーパント濃度を知りたいですか？ 提供できる窒素ドーパントの最大濃度はどれくらいですか？ 窒素を高濃度にドープしたSiCウェーハを探していますか？ A：私たちの窒素ドーパント濃度は1E18 / cm3-1E19 / cm3で、これは重いドーパントに属します。
Q：半導体デバイスのヒートシンク製造用に、熱伝導率が490 W / mKを超えるSiC単結晶材料、厚さ300〜1000umのウェーハを提供できますか？ A：熱伝導率> 490 W / mKはSiCモノラルの理論値ですが、一部のウェーハをテストしたところ、熱伝導率は450W / mK未満であり、[...]
Q：1°から2°の範囲で、低いが意図的な方向のずれを伴うSiC（0001）ウェーハを提供できますか？ A：低度の方向転換は問題なく提供できます。
Q：私たちのアプリケーションはマイクロ波アニーリングです。 したがって、炭化ケイ素はマイクロ波を吸収できなければなりませんか？ A：6Hと4Hの誘電率が大きいので、SiCウェーハを吸収材として使用する場合、主に電磁整合の構造設計により実現しますが、正しいかどうかはわかりません。
Q:We want to know the refractive index of these SiC wafers? A:The refractive index is no=2.707, ne=2.755
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