クリスタルウェーハ

ガリウム砒素ウェーハ、P / P

Q:ウェーハ以下、数量25/50/300で供給できるかどうかお知らせください。 ガリウムヒ素ウェーハ、P / P150.00±0.25mm)6″Ø×650±25µm、VGF SIドープなしGaAs:-[100-2.0°から[110]]±0.5°、u>4,000cm²/ Vs、両面-研磨済み、1フラット57.5±2.5mm @ 110±°1、TTV <7µm、BOW <4µm、ワープ<10µm、TIR <6µm、証明書:必須、単一ウェーハカセットに窒素下で密封A:はい、納品を確認します時間と戻ってきます[...]

2「LT-GaAs基板

Q: We would like to buy LT-GaAs, could you please recommend the specs that suit for the application? A: 2″ LT-GaAs Wafer Specification: Diamater(mm)Ф 50.8mm ± 1mm Thickness 1-2um Marco Defect Density≤ 5 cm-2 Resistivity(300K) >10^8 Ohm-cm Carrier lifetime<1ps or 15ps Dislocation Density<1×10^6cm-2 Useable Surface Area≥80% Polishing:Single side polished Substrate:GaAs substrate

片面研磨シリコンウェーハ

Q:以下の項目をお願いします。1。片面研磨N型シリコン(Si)単結晶ウェーハ、配向<100>、抵抗率5E-3 ohm.cm、厚さ:0.1〜0.5mm 2.シリコン(Si) )単結晶ウェーハ、片面研磨Pタイプ、配向<100>、抵抗率5E-3 ohm.cm、厚さ:0.1〜0.5 mm A:はい、ベースで供給できます[...]

Q:通常提供しているSiC基板のドーパント濃度を知りたいですか? 提供できる窒素ドーパントの最大濃度はどれくらいですか? 窒素を高濃度にドープしたSiCウェーハを探していますか?

Q:I want to know the dopant concentration of SiC substrate that you normally provide ? What is the maximum Nitrogen dopant concentration that you can provide? I am looking for heavily nitrogen doped SiC wafers? A: Our Nitrogen dopant concentration is 1E18/cm3-1E19/cm3, which belongs to heavy dopant.

Q:半導体デバイスのヒートシンク製造用に、熱伝導率が490 W / mKを超えるSiC単結晶材料、厚さ300〜1000umのウェーハを提供できますか?

Q:半導体デバイスのヒートシンク製造用に、熱伝導率が490 W / mKを超えるSiC単結晶材料、厚さ300〜1000umのウェーハを提供できますか? A:熱伝導率> 490 W / mKはSiCモノラルの理論値ですが、一部のウェーハをテストしたところ、熱伝導率は450W / mK未満であり、[...]

Q:私たちのアプリケーションはマイクロ波アニーリングです。 したがって、炭化ケイ素はマイクロ波を吸収できなければなりませんか?

Q:Our application is for microwave annealing. Therefore, the silicon carbide must be able to absorb microwaves? A:Since the dielectric constant of 6H and 4H are large, so if SiC wafer is as absorbing materials, mainly to achieve through the structure design of Electromagnetic match.I don’t know if it is right.