PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier lifetime <1ps, Sealed under [...]
InP 基板上にエピタキシャル成長した InGaAsP 材料は、光電子デバイスやマイクロ波デバイスの製造にとって重要な材料です。 InGaAsP / InP レーザー構造の発光波長は 1.0 ～ 1.7μm をカバーし、シリカファイバー通信用の 1.3μm と 1.55μm の 2 つの低損失ウィンドウをカバーします。 したがって、InGaAsP は広く使用されています [...]
Q：あなたは、IR LEDの4 "のAlGaAsエピタキシャルウェハを供給することはできますか？ A：はい、私たちは4” サイズのために波長850nmや620nmのを提供することができます。
Qは：青色LEDのウエハの試験報告書には、示しVfの及びIV（MCD）。 どのようにこのMCDは、実際のデバイスにウエハを処理せずに測定されていますか？ ：私たちは、プローバ装置を使用し、正と負極に連絡し、現在接続し、電圧およびIVを取得します。
Qは：サファイア上のGaNについて、あなたはエピレディた側である私たちに知らせてくださいだろうか？ ：Ga面、エピ準備とN面がサファイアに接続されています。
Q：あなたの赤いについては、どのようなエピウェーハ構造上のトップ層またはキャップ層についてエピウェーハを、LED？ ：私たちは原因技術革新への最上層のp + GaAsの（数nmのみ）、しかしこの2年間を、持っている、そしてすべてのファウンドリとして、今のギャップを、この層を除去し、以前のように[...]
Q：価格はpとnは金属接点の製造が含まれていますか？ そうでない場合、あなたは私のデザインに基づいたpとnの連絡先プラスのSiO 2パッシベーションを製造することができますか？ これは大きなプロジェクトに回すことができます。 A：申し訳ありませんが、我々は我々がすることもでき、Pの製作とn金属接点を提供することはできません[...]
Q：あなたは、フラットサファイア基板でどのようなウェハサイズ提供していますか？ ：現在、我々はまだフラットサファイア基板上に2 "ウェハを提供することができます。
Q: After MOCVD, do you anneal the wafer for p-GaN activation? A:Yes! We will anneal the wafer for p-GaN activation
Q:For pss wafer, the light comes out from the p-GaN side not from sapphire, so I can’t do flipchip packaging. Also I don’t know whether laser liftoff is possible for pss wafer. A:LED light is sourcing from mqw light, emitting in all directions, p-GaN is positive(front side), it will naturally [...]
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