1.2Gallium Nitride(GaN)-Definition Despite the fact that GaN has been studied far more extensively than the other group III nitrides, further investigations are still needed to approach the level of understanding of technologically important materials such as Si and GaAs. GaN growth often suffers from large background n-type carrier concentrations because of native defects and, [...]
1.2.1 Chemical Properties of GaN Since Johnson et al. [139] first synthesized GaN in 1932, a large body of information has repeatedly indicated that GaN is an exceedingly stable compound exhibiting significant hardness. It is this chemical stability at elevated temperatures combined with its hardness that has made GaN an attractive material for [...]
1.2.2 Mechanical Properties of GaN GaNhas a molecular weight of 83.7267 g mol1 in the hexagonalwurtzite structure.The lattice constant of early samples of GaN showed a dependence on growth conditions, impurity concentration, and film stoichiometry [151]. These observations were attributed to a high concentration of interstitial and bulk extended defects. A case in point [...]
同様の静脈でのGaNの1.2.3Thermal特性は、GaNと他の同盟のIII族窒化物半導体は、高温で成長し、また、アンプや発光素子等のデバイスの動作中に増加したジャンクション温度にさらされます。 このように、構造は同様に、熱変形に供されます。 これに関連して、それ[...]
窒化物III族窒化物の1.1Crystal構造は、結晶構造とすることができる：ウルツ鉱（Wzと）、亜鉛鉱（ZB）、及び岩塩。 周囲条件下で、熱力学的に安定な構造は、バルクのAlN、GaN系、およびインウルツ鉱です。 GaN及びInNのための閃亜鉛鉱構造が薄膜のエピタキシャル成長によって安定化されています[...]
そのバイナリいとこ、旅館とAlN、および第四級と一緒に彼らの三元系の代表として導入のGaNは、Siの後の最も重要な半導体の一つと考えられています。 それは十分な照明の応用及び全ての種類のディスプレイ、レーザー、検出器、高電力増幅器を発見不思議ではありません。 これらのアプリケーションは、幹[...]
5-1はじめに炭化シリコン（SiC）系半導体電子デバイス及び回路は、現在、高温、高出力、及び従来の半導体が適切に実行できないの下で、高放射線環境で使用するために開発されています。 このような極端な条件の下で機能するために炭化ケイ素の能力は、アプリケーションやシステムの遠までの様々な重要な改善を可能にするために期待されています。 これらの範囲[...]
シリコンカーバイド（SiC）材料は、現在、市場主導製造製品の研究開発から変態しています。 SiC基板は、現在、緑、青、紫外発光ダイオード（LED）の世界生産の大部分のためのベースとして使用されます。 SiCホモエピタキシーのための新興市場は、高電力スイッチングを含めます[...]
5-2-1-1のSiC結晶学炭化ケイ素は、多くの異なる結晶構造と呼ばれるポリタイプで発生します。 全てのSiCポリタイプは、化学的に共有結合で50％のケイ素原子と結合し、50％の炭素原子から成るという事実にもかかわらず、それぞれのSiCポリタイプは、電気的な半導体特性の独自の別個のセットを有しています。 知られている100の上にありますが[...]
SiC結晶格子内のSiとC原子の異なる配置により5-2-1-2電気的特性は、それぞれのSiCポリタイプは、一意の基本的な電気的および光学的特性を示します。 3C、4H、および6H SiCのポリタイプのより重要な半導体の電気的特性の一部を表5.1に示します。 より詳細な電気[...]
| クッキー | デュレーション | 説明 |
|---|---|---|
| cookielawinfo-チェックボックス分析 | 11ヶ月 | この Cookie は、GDPR Cookie Consent プラグインによって設定されます。 Cookie は、「分析」カテゴリの Cookie に対するユーザーの同意を保存するために使用されます。 |
| cookielawinfo-チェックボックス-機能的 | 11ヶ月 | Cookie は、GDPR Cookie の同意によって設定され、カテゴリ「機能」の Cookie に対するユーザーの同意を記録します。 |
| cookielawinfo-チェックボックス-必要 | 11ヶ月 | この Cookie は、GDPR Cookie Consent プラグインによって設定されます。 Cookie は、Cookie に対するユーザーの同意を「必要」カテゴリに保存するために使用されます。 |
| cookielawinfo-チェックボックス-その他 | 11ヶ月 | この Cookie は、GDPR Cookie Consent プラグインによって設定されます。 Cookie は、カテゴリ「その他」の Cookie に対するユーザーの同意を保存するために使用されます。 |
| cookielawinfo-チェックボックス-パフォーマンス | 11ヶ月 | この Cookie は、GDPR Cookie Consent プラグインによって設定されます。 Cookie は、「パフォーマンス」カテゴリの Cookie に対するユーザーの同意を保存するために使用されます。 |
| 閲覧済み_cookie_policy | 11ヶ月 | Cookie は GDPR Cookie Consent プラグインによって設定され、ユーザーが Cookie の使用に同意したかどうかを保存するために使用されます。 個人データは一切保存されません。 |
