InP基板
PAM-XIAMENは、ドープされていない、Nタイプ、または半絶縁性を含むプライムまたはテストグレードのVGF InP（リン化インジウム）ウェーハを提供します。 InPウェーハの移動度は、タイプによって異なります。ドープされていないもの> = 3000cm2 / Vs、Nタイプ> 1000または2000cm2V.s（ドーピング濃度の違いによる）、Pタイプ：60 +/- 10または80 +/- 10cm2 / Vs（さまざまなZnドーピング濃度に依存）、および半絶縁性> 2000cm2 / Vsの場合、リン化インジウムのEPDは通常500 / cm2未満です。
- 説明
製品の説明
InP基板
PAM-XIAMEN, a leading InP wafer supplier, offers Compound Semiconductor InP wafer – Indium Phosphide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) or VGF(Vertical Gradient Freeze) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating. The InP wafer orientation (111) or (100) is available. And the dopants can be Sulphur, Sn(Tin), Zinc or customs. The Laser Mark as specified on backside of InP wafer along with primary flat. The orientation with slight deflection angle is available, such as (100)0.075° towards [110]]±0.025°.
Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face-centered cubic (“zinc blende”) crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III-V semiconductors. Indium phosphide can be prepared from the reaction of white phosphorus and indium iodide [clarification needed] at 400 °C., also by direct combination of the purified elements at high temperature and pressure, or by thermal decomposition of a mixture of a trialkyl indium compound and phosphide. Indium phosphide wafers are used in high-power and high-frequency electronics [citation needed] because of the superior electron velocity with respect to the more common semiconductors silicon and gallium arsenide. The InP wafer size we can offer is 2”, 3” and 4”, and the InP wafer thickness will be 350~625um.
ここでは詳細な仕様は次のとおりです。
| アイテム | 仕様書 | |||
| ドーパント | N型 | N型 | P型 | SI-type |
| 伝導型 | アンドープ | Sulphur | 亜鉛 | lron |
| ウェーハの大口径 | 2 " | |||
| ウエハオリエンテーション | （100）が0.5°、±します | |||
| ウェーハ厚さ | Min：325 Max：375 | |||
| プライマリフラット長 | 16±2mm | |||
| セカンダリフラット長 | 8±1mm | |||
| キャリア濃度 | 3×1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N / A |
| モビリティ | (3.5-4)x103cm2/V.s | (1.5-3.5)x103cm2/V.s | 50-70×103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗率 | N / A | N / A | N / A | N / A |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1×103cm-2 | <5×103cm-2 |
| TTV | <10um | |||
| 弓 | <10um | |||
| ワープ | <12um | |||
| レーザーマーキング | 要求に応じて | |||
| 表面仕上げ | P / E、P / P | |||
| エピ準備 | はい | |||
| パッケージ | シングルウェーハコンテナまたはカセット | |||
2″ P Type InP Wafer Specification
| アイテム | パラメーター | UOM |
| 材料 | InP | |
| Conduct Type/Dopant | S-C-P/Zn | |
| グレード | Prime | |
| Diameter: | 50.5±0.4 | ミリ |
| Orientation: | （100）が0.5°、±します | |
| Orientation Angle: | / | |
| Thickness: | Min：325 Max：375 | ええと |
| Carrier Concentration: | Min：0.6E18 Max：3E18 | cm-3 |
| Resistivity: | Min：/ Max：/ | ohm.cm |
| Mobility: | Min：/ Max：/ | cm-2/V.sec |
| EPD: | Ave＜：1000 Max＜：/ | cm-2 |
| TTV: | Max：10 | ええと |
| TIR: | Max：10 | ええと |
| BOW: | Max：10 | ええと |
| Warp: | Max：15 | ええと |
| Flat Option: | EJ | |
| Primary Flat Orientation: | (0-1-1) | |
| Primary Flat Length: | 16±1 | ミリ |
| Secondary Flat Orientation: | (0-11) | |
| Secondary Flat Length: | 7±1 | ミリ |
| Suface: | Side 1:Polished Side 2:etched | |
| Edge Rounding | 0.25(Conform to SEMI Standards) | mmR |
| Particle Count: | / | |
| パッケージ | individual container filled with N2 | |
| Epi-ready | はい | |
| レーザーマーキング | Back side major flat | |
| リマーク： | Special specifications will be discussed separately | |
3″ InP Wafer Specification
| アイテム | 仕様書 | |||
| ドーパント | N型 | N型 | P型 | SI-type |
| 伝導型 | アンドープ | Sulphur | 亜鉛 | lron |
| ウェーハの大口径 | 3 " | |||
| ウエハオリエンテーション | （100）が0.5°、±します | |||
| ウェーハ厚さ | 600±25um | |||
| プライマリフラット長 | 16±2mm | |||
| セカンダリフラット長 | 8±1mm | |||
| キャリア濃度 | ≤3×1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N / A |
| モビリティ | (3.5-4)x103cm2/V.s | (1.5-3.5)x103cm2/V.s | 50-70×103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗率 | N / A | N / A | N / A | N / A |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1×103cm-2 | <5×103cm-2 |
| TTV | <12um | |||
| 弓 | <12um | |||
| ワープ | <15um | |||
| レーザーマーキング | 要求に応じて | |||
| 表面仕上げ | P / E、P / P | |||
| エピ準備 | はい | |||
| パッケージ | シングルウェーハコンテナまたはカセット | |||
4″ InP Wafer Specification
| アイテム | 仕様書 | |||
| ドーパント | N型 | N型 | P型 | SI-type |
| 伝導型 | アンドープ | Sulphur | 亜鉛 | lron |
| ウェーハの大口径 | 4 " | |||
| ウエハオリエンテーション | （100）が0.5°、±します | |||
| ウェーハ厚さ | 600±25um | |||
| プライマリフラット長 | 16±2mm | |||
| セカンダリフラット長 | 8±1mm | |||
| キャリア濃度 | ≤3×1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N / A |
| モビリティ | (3.5-4)x103cm2/V.s | (1.5-3.5)x103cm2/V.s | 50-70×103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗率 | N / A | N / A | N / A | N / A |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1×103cm-2 | <5×103cm-2 |
| TTV | <15um | |||
| 弓 | <15um | |||
| ワープ | <15um | |||
| レーザーマーキング | 要求に応じて | |||
| 表面仕上げ | P / E、P / P | |||
| エピ準備 | はい | |||
| パッケージ | シングルウェーハコンテナまたはカセット | |||
PL(Photoluminescence) Test of リン化インジウム Wafer
We measure InP wafers by Peak Lambda, Peak int, and FWHM, the spectra mapping is as follows:
About InP Wafer Application
As a new type of compound semiconductor material, InP wafer market share is increasing gradually. Due to the excellent indium phosphide properties, the performance of microwave power source devices, microwave amplifiers and gate FETs fabricated on InP material will be better than those fabricated on existing gallium arsenide materials. Indium phosphide heterojunction lasers are also extremely promising light sources in optical fiber communications.
InP wafer fabrication for devices, like growing millimeter wave microelectronic devices and optoelectronic device materials for optical fiber communications, is widely used. With the continuous improvement of device performance and the reduction of device size, the quality requirements for indium phosphide wafers are getting higher and higher. Therefore, the InP wafer process is optimizing gradually.
The the typical values is see below data:
| Peak Lambda(nm) | Peak Int | FWHM(nm) |
| 1279.4 | 7.799 | 48.5 |
| 1279.8 | 5.236 | 44.6 |
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