化合物半導体

PAM-Xiamenは、SICウェーハとIII-Vグループウェーハを含む複合半導体ウェーハ材料を提供しています。ISBウェーハ、INPウェーハ、INASウェーハ、GASBウェーハ、ギャップウェーハ、ガンウェーハ、アルンウェーハ、ガースウェーハ。
III-V化合物には、BN、BP、BAS、BSB、ALN、ALP、ALAS、ALSB、GAN、GAP、GAAS、GASB、INAS、INS、INPおよびINSBが含まれます。その中で、BN、ALN、GAN、INNはWurtzite構造であり、他の12は亜鉛ブレンド構造です。五種節の原子は三価原子よりも電気陰性度が高いため、いくつかのイオン結合成分があります。このため、II-V材料が電界に配置されると、格子は偏光が容易であり、電界周波数が赤外線範囲にある場合、イオン変位は誘電係数を増加させるのに役立ちます。 GAAS材料のN型半導体の中で、電子移動度（MN-8500）はSI（MN-1450）よりもはるかに高いため、移動速度は高速であり、高速デジタル統合回路でのアプリケーションはSI半導体のアプリケーションよりも優れています。