COPフリーウェーハ
継続的な努力を通して、Pam-Xiamenは大規模な警官を育てていますCZシリコン（si）ウェーハ、そして、クリスタルプルの熱フィールドを改善することにより、インゴットのCOPの生成を効果的に制御し、それによりパフォーマンスの改善と消費電力削減を達成しました。 8インチのシリコンウェーハの応募プロセスは大きいため、COPに敏感ではありません。 12インチのシリコンウェーハの応募プロセスは、クリスタルの品質に対して小さく、より敏感です。一般的に言えば、40nm未満のプロセスには、結晶の品質に高い要件があるため、警官の需要が増えています。販売用のCOPフリーウェーハの仕様は次のとおりです。
1。COPフリーウェーハデータシート
| COPフリーウェーハの種類 | ポリッシュ | アニール | エピタキシー |
| 直径 | 8インチと12インチ | 12インチ | 8インチと12インチ |
| オリエンテーション | (100)、(110)、または (111) | ||
| 伝導型 | N&P | ||
2。CZ-SIウェーハのCOPとは何ですか？
COP（クリスタル起源の粒子/ピット）は、シリコン単結晶の主要な欠陥です。この欠陥は、85°Cで4時間SC-1（NH4OH：H2O2：H2O-1：1 5）溶液を備えた沸騰シリコンウェーファーの後に明らかにされた格子欠陥です。シリコンウェーハをSC-1溶液で処理した後、シリコンウェーハの表面層を150 nm離れてエッチングしました。 COP欠陥の密度は、レーザースキャン粒子カウンターによって検出できます。
COPの欠陥は、図1に示すように、COPのサイズは0.12〜0.30umです。 COP欠陥のエッチングピットは、一般に2つのカテゴリに分けることができます。1つはモノタイプ、もう1つはバイティペです。
図1 COP欠陥の概略図
3.なぜCZウェーファーにCOP欠陥があるのですか？
主な欠陥COPの形成は、酸素沈殿の形成と密接に関連しています。理由は次のとおりです。
（1）CZシリコンの大きな主要な欠陥は、酸素を含まないFZシリコンでは発見されていません。
（2）マイクロボイドの自由エネルギーの計算に基づいて、マイクロボイドは裸の空室から均一に形成できないことが証明されています。
（3）CZシリコンの成長中、かなり広い温度範囲にわたって、酸素が過飽和になるため、沈殿します。 TEMのエネルギー分散型X線スペクトルを使用して、COP欠陥の元素分析を実行でき、一部のCOP欠陥には酸素が含まれていることがわかります。これは、ボイド形成のメカニズムが酸素沈殿にも関連していることを示しています。
さらに、COP欠陥の成長率は900〜1100°Cの範囲で最速であるため、この温度範囲に費やされる時間はCOP欠陥の成長のサイズを決定します。この温度領域を急速に通過すると、COPの欠陥の成長を効果的に防ぐことができます。ただし、単一結晶は、重くドープされたSBの引っ張り速度が一般に0.6〜1.2 mm/minであるなど、特定の引っ張り速度範囲内で成長する傾向があるためです。また、900〜1100°Cの一般的な熱電場温度範囲はより広いため、単結晶の完全な成長プロセス中にCOPの欠陥サイズが成長するようになります。 COP欠陥のサイズは、その後のウェーハ処理の洗浄時間の影響も受けます。 SC1で5〜6回掃除した後、COP欠陥の数とサイズは指数関数的に増加します。
4.クリスタルオリジン化されたピットのないウェーハを取得するにはどうすればよいですか？
警官を排除または減少させるために、警官を含まない基質を取得することには、多くの研究文学がありました。これは次のように要約できます。
（1）窒素をドープしたシリコン単結晶を生成します。
（2）地表の警官の欠陥を排除するための水素またはアルゴンアニーリング。
（3）熱場勾配の縦方向の温度を調整し、COP欠陥密度を減らし、COP欠陥サイズの縮小を減らします。
いくつかの研究では、ドーパントホウ素の濃度が臨界値を超えると、COPの生成が効果的に抑制され、COPのないクリスタルウェーハを取得することを指摘しています。この臨界値のサイズは、インゴットの直径に関連しています。たとえば、200mmのシリコンインゴットの場合、臨界値は4.8×10です18 原子/cm3; 150mmのインゴットの場合、6.3×10です18 原子/cm3.
研究では、水素およびアルゴンの大気中の高温アニーリングが、シリコンウェーハの表面上の穴型マイクロデフェクト（COPなど）を効果的に減少させ、それによりMOSデバイスアプリケーションのGOIを改善できることも示されています。シリコンウェーハの表面（COPの表面を含む）は、シリコンウェーハが約1200°Cの高温に加熱されている限り、高温下で水素大気またはアルゴン大気を使用するかどうかにかかわらず、天然の酸化物の層で覆われているため、髪の毛の表面の天然酸化物層が溶離液に溶解します。これらの余分なシリコン原子はCOPの位置を満たすため、これらの穴タイプのマイクロデフェクトが徐々に小さくなったり、消滅したりして、シリコンCOPフリーウェーハまたは低COP SIウェーハを取得します。
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