結晶育成炉
ブリッジマン結晶成長炉は、テルル、カドミウム、亜鉛、テルル化カドミウム、HGCDTEなどの半導体結晶成長に適用できる、会社の独立した研究開発設備による新しいタイプの結晶成長炉です。 この装置は高精度、高安定性、簡単な操作という特徴を持っています。
詳細については、次のアドレスに電子メールを送信してください。victorchan@powerwaywafer.com
結晶育成炉
ブリッジマン結晶成長炉は、テルル、カドミウム、亜鉛、テルル化カドミウム、HGCDTEなどの半導体結晶成長に適用できる、会社の独立した研究開発設備による新しいタイプの結晶成長炉です。 この装置は高精度、高安定性、簡単な操作という特徴を持っています。
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Effect of Mn on the low temperature growth of GaAs and GaMnAs With the combined use of reflection high energy electron diffraction (RHEED) and scanning tunneling microscope, the growing surfaces of GaAs and GaMnAs were investigated. At the start of GaAs growth at low temperature [...]
PAM XIAMEN offers 60+1mm FZ Si Ingot -2 FZ Si Ingot Diameter 60+1mm, N-type, <111>±2° Resistivity>3000Ωcm Oxygen/Carbon Content 10Е16см-3 The silicon content not less than 99.999999% Length 150-480mm MCC lifetime>1000μs The dislocation density not, Swirl not For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com
PAM XIAMEN offers BN (h) – 2D crystal. Natural Boron Nitride Single Crystal, 0.6-1.0 mm Hexagonal boron nitride (h-BN) single crystals are ideal as a substrate for 2D materials. h-BN crystals are highly crystalline display strong Raman peak at 1566 cm-1 with FWHM less than [...]
PAM XIAMEN offers YSZ ( Yittrium stablized ZrO2). 3.5 mol.% YSZ Ceramic Substrate 10x10x0.5 mm , fine ground on both sides 3.5% YSZ Ceramic Substrate 10x10x0.5 mm, two sides polished 3.5mol.% YSZ Ceramic Substrate 10x10x0.5 mm , one side polished 8% YSZ Ceramic Substrate [...]
Suppression Of Gate Leakage Current In GaN MOS Devices By Passivation With Photo-grown Ga2O3 We report the use of photo-enhanced chemical (PEC) technique to form high-quality metal oxide semiconductor (MOS) devices made of gallium oxide (Ga2O3)/gallium nitride (GaN). Gate leakage current density as low as [...]
PAM XIAMEN では SiO2 (単結晶水晶) を提供しています。 単結晶石英ウェハーは、無線通信産業用のマイクロ波フィルター用の優れた基板です。 3 つのインデックス システムから 4 つのインデックス システムへの変換 [u ' v ' w ' ] —> [uvtw] は [...]
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