カスタマイズされた炭化ケイ素基板
PAM-XIAMEN can provide Silicon Carbide(SiC) customization to meet the specific needs of research institutions, universities, and enterprises for R&D or mass production. We have rich experience in microfabrication of hard and brittle materials, with processing capabilities such as cutting, polishing, thinning, slicing, and coating, which can meet the performance requirements of your device design with custom-made SiC wafer. If you need customized silicon carbide wafer, please contact us at [email protected]すぐに当社のエンジニアと要件について話し合ってください。
1。仕様カスタマイズされた炭化ケイ素基板
サイズ: 2、3、4、6、8 インチおよびその他の正方形サイズ
クリスタルポリタイプ：4H
結晶方位: (0001) 軸上または 4° 軸外方位
導電型：N型、P型、半絶縁性
カスタマイズされた厚さ: 100um~2000um
1.1 アズカットSiC基板
ダイヤモンドワイヤーカット、モルタルワイヤーカット、炭化ケイ素結晶のレーザーカットなどの切断技術を得意としております。
SiC アズカットウェーハは、その後の研削および研磨装置用の炭化ケイ素材料の処理およびテストに広く使用されています。
1.2 ポーランド語加工SiC基板
表面仕上げ：両面CMP、またはC面研磨/Si面CMP
研磨工程：機械研磨、化学研磨、化学機械研磨などの研磨技術に精通
表面粗さ：最小Ra< 0.2nm
最大。 Ra<5nm
1.3 カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素ウェーハ
寸法: 10 * 10mm、20 * 20mmなど。
スクライビングプロセス: 砥石切断、レーザーフル切断、レーザーハーフ切断、レーザー不可視切断、および水ガイドレーザー切断をマスターします。中でも、レーザー不可視スクライビングとフラグメンテーションを組み合わせた加工方法は加工効率が高く、生産要件を満たします。
1.4SiC薄化ウエハ
分。厚さ: 100μm
加工：片面薄化。両面シンニング
工程：機械研削、化学機械研磨などの薄化技術に精通
2. SiC基板コーティング
コーティングは一般的に使用される表面処理プロセスであり、通常、真空環境で材料の表面に特定の金属または非金属を気相で堆積させ、緻密な薄膜を形成します。半導体デバイスの機能形成にはコーティングの品質が重要であり、その材料には金属材料、半導体材料、酸化フッ化物などの化合物材料が含まれます。
PAM-XIAMEN has mastered various SiC coating technologies such as electron beam evaporation, magnetron sputtering, LPCVD, PECVD, atomic layer deposition, etc., and can perform coating according to demands in our silicon carbide foundry:
ウェハサイズ：2、3、4、6、8インチ
コーティング厚さ：nmレベル、umレベル、ニーズに応じてカスタマイズ可能
コーティング面: 片面または両面
コーティング層: 単層または多層
2.1 SiC用金属膜
PAM-XIAMEN は、Ni、Ti、Cu、Au、Pt、Al、Mo、Ni、Ag、W、Ta、Pd、Cr などの金属を加工できます。
お客様の具体的な用途をお知らせください。カスタム炭化ケイ素コーティング ソリューションに関する専門的なアドバイスを提供いたします。
2.2 SiC用光学コーティング
光学コーティングでは主に、特定の光学特性を持つ 1 つ以上の薄膜を SiC 表面に堆積して、光の反射、透過、吸収、散乱を制御します。これらのフィルムは、干渉、吸収、散乱効果によって光学特性を変化させます。 PAM-XIAMEN は主に以下の SiC 基板をコーティングします。
- 反射防止 (AR) コーティング
- 強化コーティング
2.3 Si3N4炭化ケイ素のコーティング
LPCVD および PECVD によって堆積された Si3N4 コーティングには、それぞれ独自の利点と適用可能な分野があります。 Si3N4 の堆積方法は、主に特定の用途とプロセス要件によって異なります。
研究用または産業用アプリケーションで高品質のカスタマイズされた炭化ケイ素 (SiC) 基板が必要な場合は、次のメールアドレスまでお問い合わせください。[email protected] と [email protected].