自立型GaN基板
製品仕様
PAM XIAMENは自立型GaN基板を提供
2インチGaN自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN50-N | PAM-FS-GaN50-SI |
| 伝導型 | N型 | 半絶縁 |
| サイズ | 2インチ(50.8)+/-1mm | |
| 厚さ | 260 +/- 20umの | |
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5° | |
| 主要なフラットの場所 | (1-100)+/-0.5° | |
| 一次平坦長さ | 16 +/- 1ミリメートル | |
| 二次フラット位置 | (11-20)+/-3° | |
| 二次平坦長さ | 8 +/- 1ミリメートル | |
| 比抵抗(300K) | <0.5Ω・cmで | > 10 ^6Ω・cm |
| 転位密度 | <5×10^6cm-2 | |
| マルコ欠陥密度 | Aグレード<=2cm-2 Bグレード>2cm-2 | |
| TTV | <=15μmから | |
| 弓 | <= 20umの | |
| 表面仕上げ | 前面：RA <0.2NM.EPI-READY研磨 裏面:1.細かい研磨 2.粗研磨 ≥ 90% |
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使用可能領域
1.5インチGaN自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN50-N | PAM-FS-GaN50-SI |
| 伝導型 | N型 | 半絶縁 |
| サイズ | 1.5インチ(38.1)+/-0.5mm | |
| 厚さ | 260 +/- 20umの | |
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5° | |
| 主要なフラットの場所 | (1-100)+/-0.5° | |
| 一次平坦長さ | 12 +/- 1ミリメートル | |
| 二次フラット位置 | (11-20)+/-3° | |
| 二次平坦長さ | 6 +/- 1ミリメートル | |
| 比抵抗(300K) | <0.5Ω・cmで | > 10 ^6Ω・cm |
| 転位密度 | <5×10^6cm-2 | |
| マルコ欠陥密度 | Aグレード<=2cm-2 Bグレード>2cm-2 | |
| TTV | <=15μmから | |
| 弓 | <= 20umの | |
| 表面仕上げ | 前面：RA <0.2NM.EPI-READY研磨 裏面:1.細かい研磨 2.粗研磨 ≥ 90% |
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使用可能領域
15mm、10mm、5mm GaN自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN50-N | PAM-FS-GaN50-SI |
| 伝導型 | N型 | 半絶縁 |
| サイズ | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | |
| 厚さ | 230+/-20um、280+/-20um | |
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5° | |
| 主要なフラットの場所 | ||
| 一次平坦長さ | ||
| 二次フラット位置 | ||
| 二次平坦長さ | ||
| 比抵抗(300K) | <0.5Ω・cmで | > 10 ^6Ω・cm |
| 転位密度 | <5×10^6cm-2 | |
| マルコ欠陥密度 | 0cm-2 | |
| TTV | <=15μmから | |
| 弓 | <= 20umの | |
| 表面仕上げ | 前面：RA <0.2NM.EPI-READY研磨 裏面:1.細かい研磨 2.粗研磨 ≥ 90% |
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使用可能領域
注：
検証ウェーハ:使用の利便性を考慮して、PAM-XIAMEN は 2 インチ未満のサイズの自立型 GaN 用に 2 インチのサファイア検証ウェーハを提供しています
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com,
にメールを送ってください[email protected] と [email protected]
1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Materials Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。 PAM-XIAMEN は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、加工基板および半導体デバイスを開発しています。 PAM-XIAMEN の技術により、半導体ウェーハの高性能化と低コストの製造が可能になります。
私たちの目標は、どんなに小さな注文やどんなに難しい質問であっても、お客様のすべての要件を満たすことです。
当社の適格な製品と満足のいくサービスを通じて、すべての顧客の持続的かつ収益性の高い成長を維持すること。