GA2O3 ベータ酸化ガリウムウエハーおよび結晶基板半絶縁タイプ

PAM XIAMEN は、半絶縁タイプの Ga2O3 ベータガリウム酸化物ウエハおよび結晶基板を提供しています。

仕様:
結晶構造：単斜晶系
格子パラメータ:
a = 12.225A
b = 3.040A
c = 5.809A
β = 103.7 度
融点(℃):1725
密度：5.95（g/cm3）
誘電率:10
バンドギャップ:4.8～4.9eV
導電率:半絶縁
破壊電圧 (V/cm):8MV/cm
利用可能なサイズ:5 x 5 mm、10 x 10 mm、Ф1インチ（直径1インチ）。特別なサイズ (直径 1 インチ未満) も、ご要望に応じてご利用いただけます。
厚さ:350um +/- 50um、ご要望に応じて他の厚さも利用可能です
研磨：エピ対応、Ga 面で RMS < 0.5 nm、N 面で光学研磨
結晶の方向:(010)
ガ・フェイス・ラ:≤ 5Å (5µm × 5µm エリア)、エピ対応

ベータガリウム酸化物 (β-Ga2O3) はワイドバンドギャップ半導体材料です。 4.8 ～ 4.9 eV の広いバンドギャップ、8 MV/cm の高絶縁破壊電界、高い誘電率、良好な電子移動度は、Si の 3000 倍を超える、4H-SiC の 8 倍を超える、GaN の 4 倍を超える高電圧バリガ性能指数 (HV-BFOM) に変換できます。さらに、その高周波バリガ性能指数は、Si の約 150 倍、4H-SiC の約 3 倍、GaN の約 50% 大きくなっています。

役立つ文献:
単結晶β-Ga2O3 (010) 基板上の酸化ガリウム (Ga2O3) 金属半導体電界効果トランジスタ
多色発光蛍光体のホスト材料としての酸化ガリウム
酸化ガリウムパワーデバイスの開発

詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com,
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1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Materials Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。 PAM-XIAMEN は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、加工基板および半導体デバイスを開発しています。 PAM-XIAMEN の技術により、半導体ウェーハの高性能化と低コストの製造が可能になります。

PAM-XIAMEN は、第一世代のゲルマニウム ウェーハ、MBE または MOCVD によって成長させた Ga、Al、In、As、および P をベースとした III-V 族シリコンドープ n 型半導体材料上で基板成長およびエピタキシーを行う第二世代のガリウムヒ素から、LED およびパワーデバイス用途向けの第三世代の炭化ケイ素および窒化ガリウムまで、高度な結晶成長およびエピタキシー技術を開発しています。