レーザーダイオード用エピウエハ

  • 説明

製品の説明

アモイPowerwayマテリアル株式会社(PAM-アモイ)光ファイバ通信、工業用途、及び化合物半導体材料のエピタキシャル成長のためのMOCVD反応器を使用して専用の使用のためのGaAsとInP系レーザダイオードエピタキシャルウェーハに焦点を当て。

基板材料 材料機能 波長 アプリケーション
GaAsの GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 波長635nm
エピウエハGaAs系 650nmの 面発光レーザ(VCSEL)
RCLED
GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 660nmの
GaAs / AlGaAs系/ GalnP / AlGaAs系/ GaAsの 703nm
GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 780nmの
GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 785nm
エピウエハGaAs系 800-1064nm 赤外線LD
GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 808nmの 赤外線LD
エピウエハGaAs系 波長850nm 面発光レーザ(VCSEL)
RCLED
エピウエハGaAs系 <870nm 光検出器
エピウエハGaAs系 850-1100nm 面発光レーザ(VCSEL)
RCLED
GaAs / AlGaAs系/ GaInAsの/ AlGaAs系/ GaAsの 905nm
GaAs / AlGaAs系/たInGaAs / AlGaAs系/ GaAsの 950nm
エピウエハGaAs系 980nmの 赤外線LD
InPベースのエピウエハ 1250-1600nm 雪崩光検出器
エピウエハGaAs系 1250-1600nm /> 2.0um
(のInGaAs吸収層)
光検出器
エピウエハGaAs系 1250-1600nm / <1.4μM
(InGaAsPの吸収層)
光検出器
InPベースのエピウエハ 1270-1630nm DFBレーザ
たGaAsP / GaAs系/ GaAs基板 1300nmの
InPベースのエピウエハ 1310nmの FPレーザー
たGaAsP / GaAs系/ GaAs基板 1550 FPレーザー
1654nm
InPベースのエピウエハ 1900nm FPレーザー
2004nm

 

レーザーダイオード用エピタキシャルウェハの詳細仕様は、以下を参照してください。

703nmのレーザダイオードエピウエハ

808nmのレーザダイオードエピタキシャルウエハ1

780nmのレーザダイオードエピウエハ

650nmのレーザダイオードエピウエハ

785nmのレーザダイオードエピウエハ

808nmのレーザーダイオードエピウエハ-2

850nmのレーザダイオードエピウエハ

905nmのレーザダイオードエピウエハ

950nmのレーザダイオードエピウエハ

1550nmのレーザダイオードエピウエハ

1654nmのレーザダイオードエピウエハ

2004nmのレーザダイオードエピウエハ

 

シングルエミッタチップ

8W @シングルエミッタLDチップ755nm

8W @シングルエミッタLDチップ808nmの

10W @シングルエミッタLDチップ808nmの

2W @シングルエミッタLDチップ830nm

8W @シングルエミッタLDチップ880nm

シングルエミッタLDチップ900 + nmの@ 10W

シングルエミッタLDチップ900 + nmの@ 15W

25W @シングルエミッタLDチップ905nm

3W @シングルエミッタLDチップ1470nm

 

LDベアバー

780nmの@空洞2.5ミリメートルのためのLDベアバー

808nmの@キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

808nmの@空洞1.5ミリメートルのためのLDベアバー

880nm @キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

940nmの@キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

940nmの@キャビティ3ミリメートルのためのLDベアバー

940nmの@キャビティ4ミリメートルのためのLDベアバー

940nmの@キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

976nm @キャビティ4ミリメートルのためのLDベアバー

1470nm @キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

1550 @キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー