GaAsのエピウェーハ

GaAsのエピウェーハ

我々は、MBE又はMOCVDによって成長させたGaを、アルにおいて、AsおよびPに基づいてエピタキシャルウエハIII-Vシリコンドープのn型半導体材料の様々なタイプを製造しています。 私たちは、より多くの情報についてはお問い合わせspecifications.please顧客を満たすためにカスタム構造を提供します。

  • 説明

製品の説明

GaAsのエピウェーハ

我々は、MBE又はMOCVDによって成長させたGaを、アルにおいて、AsおよびPに基づいてエピタキシャルウエハIII-Vシリコンドープのn型半導体材料の様々なタイプを製造しています。 私たちは、より多くの情報についてはお問い合わせspecifications.please顧客を満たすためにカスタム構造を提供します。

We have numbers of the United States Veeco’s GEN2000, GEN200 large-scale production of epitaxial equipment production line, full set of XRD; PL-Mapping; Surfacescan, and other world-class analysis and testing equipment. The company has more than 12,000 square meters of supporting plant, including world class super-clean semiconductor and a related research and development of the younger generation of clean laboratory facilities

Specification for all new and featured products of MBE III-V compound semiconductor epi wafer:

基板材料 材料機能 アプリケーション
GaAsの 低温のGaAs テラヘルツ
GaAsの GaAs/GaAlAs/GaAs/GaAs Schottky Diode
InP InGaAs PIN detector
InP InP/InP/InGaAsP/InP/InGaAs Laser
GaAsの GaAs/AlAs/GaAs
InP InP/InAsP/InGaAs/InAsP
GaAsの GaAs/InGaAsN/AlGaAs
/GaAs/AlGaAs
InP InP/InGaAs/InP photodetectors
InP InP/InGaAs/InP
InP InP/InGaAs
GaAsの GaAs/InGaP/GaAs/AlInP Solar Cell
/InGaP/AlInP/InGaP/AlInP
GaAsの GaAs/GaInP/GaInAs/GaAs/AlGaAs/GalnP/GalnAs Solar Cell
/GalnP/GaAs/AlGaAs/AllnP/GalnP/AllnP/GalnAs
InP InP/GaInP
GaAsの GaAs/AlInP
GaAsの GaAs / AlGaAs系/ GalnP / AlGaAs系/ GaAsの 703nm Laser
GaAsの GaAs/AlGaAs/GaAs
GaAsの GaAs/AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs HEMT
GaAsの GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs mHEMT
GaAsの GaAs/DBR/AlGaInP/MQW/AlGaInP/GaP LED wafer,solid state lighting
GaAsの GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 635nm,660nm,808nm,780nm, 785nm,
/GaAsP/GaAs/GaAs substrate  950nm, 1300nm,1550nm Laser
GaSb AlSb/GaInSb/InAs IR detector,PIN,sensing, IR cemera
silicon InP or GaAs on Silicon High speed IC/microprocessors
InSb Beryllium doped InSb
/ undoped InSb/Te doped InSb/

 

For more detail specification, please review the following:

GaAs基板上のLT-GaAsのエピ層

GaAsのショットキー・ダイオードエピタキシャルウェーハ

PINのためのInGaAs / InP系エピウエハ

InP基板上のInGaAsP / InGaAsの

 

GaAs / AlAsのウェハ

エピタキシャル成長のGaAsやInPウエハ上のInGaAsN

InGaAs光検出器のための構造

InP / InGaAsの/ InP系エピウエハ

InGaAsの構造ウェハー

太陽電池用あるいはAlGaP / GaAsのエピウエハ

三重接合太陽電池

GaAsのエピタキシー

GaInP / InP系エピウエハ

AlInP / GaAsのエピウエハ

 

703nmレーザーの層構造

808nmのレーザーウエハー

780nmのレーザーウエハー

 

GaAs PINエピウエハ

GaAs / AlGaAs系/ GaAsのエピウエハ

LEDやLDのためのGaAs系エピタキシャルウェハは、DESCの下を参照してください。
GaAs pHEMTのエピウエハ(のGaAs、AlGaAs系、InGaAsのは)、DESCの下を参照してください。
GaAs MHEMTエピウエハ(MHEMT:メタモルフィック高電子移動度トランジスタ)
GaAsのHBTエピタキシャルウェーハは(GaAsのHBTは、GaAsによってベースの技術であり、少なくとも二つの異なる半導体、から構成されているバイポーラ接合トランジスタである。)、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)
ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)
高電子移動度トランジスタ(HEMT)
擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMTの)
共鳴トンネルダイオード(RTD)
PiNダイオード
ホール効果デバイス
可変容量ダイオード(VCD)

 

今、私たちはいくつかの仕様を一覧表示します:

GaAs HEMTエピウエハ、サイズ:2〜6インチ

 アイテム

  仕様書

 リマーク

パラメーター

組成物/シート抵抗のAl組成/

当社の技術部門にお問い合わせください

ホール移動度/ 2DEG濃度

計測技術

X線回折/渦電流

当社の技術部門にお問い合わせください

未接触ホール

典型的なバルブ

カルコゲノフルバレン骨格依存

当社の技術部門にお問い合わせください

5000〜6500平方センチメートル/ V・S / 0.5〜1.0倍1012センチメートル-2

標準的な許容範囲

0.01 /±3%/なし±

当社の技術部門にお問い合わせください

GaAsの(ガリウムヒ素)のpHEMTエピウエハ、サイズ:2〜6インチ

 アイテム

  仕様書

 リマーク

パラメーター

組成物/シート抵抗のAl組成/

当社の技術部門にお問い合わせください

ホール移動度/ 2DEG濃度

計測技術

X線回折/渦電流

当社の技術部門にお問い合わせください

未接触ホール

典型的なバルブ

カルコゲノフルバレン骨格依存

当社の技術部門にお問い合わせください

5000〜6800平方センチメートル/ V・S / 2.0〜3.4倍1012センチメートル-2

標準的な許容範囲

0.01 /±3%/なし±

当社の技術部門にお問い合わせください
備考:のGaAs pHEMTの:のGaAs HEMT、GaAsのPHEMTと比較してもInxAsは、GaAsベースのデバイスのために、X <0.3拘束さInxGa1-x Asからを、内蔵しています。 HEMTと同じ格子定数を用いて成長させた構造が、異なるバンドギャップは、単に格子整合のHEMTと呼ばれます。
GaAs MHEMTエピウエハ、サイズ:2〜6インチ

 アイテム

  仕様書

 リマーク

パラメーター

組成物/シート抵抗の

当社の技術部門にお問い合わせください

ホール移動度/ 2DEG濃度

計測技術

X線回折/渦電流

当社の技術部門にお問い合わせください

未接触ホール

典型的なバルブ

カルコゲノフルバレン骨格依存

当社の技術部門にお問い合わせください

8000〜万平方センチメートル/ V・S / 2.0〜3.6x 1012センチメートル-2

標準的な許容範囲

±3%/なし

当社の技術部門にお問い合わせください

InP HEMTエピウエハ、サイズ:2〜4インチ

 

 アイテム

  仕様書

 リマーク

パラメーター

合成/シート抵抗/ホール移動度

当社の技術部門にお問い合わせください

  

備考:のGaAs(ガリウム砒素)は、化合物半導体材料、二つの要素、ガリウム(Ga)及びヒ素(As)の混合物です。 ガリウム砒素の用途は多様であり、LED / LD、電界効果トランジスタ(FET)で使用されて含まれ、集積回路(IC)

デバイス応用

RFスイッチ

パワーと低ノイズ・アンプ

ホールセンサ

光変調器

ワイヤレス:携帯電話や基地局

自動車用レーダー

MMIC、RFIC

光ファイバ通信

LED / IRセリエ用のGaAsエピウエハ:

1.General説明:

1.1成長方法:MOCVD
ワイヤレスネットワーキングのための1.2のGaAsエピウエハ

1.3LED用のGaAsエピウエハ/ IR及びLD / PD

2.Epiウエハの仕様:

2.1ウェハサイズ:2” 直径

2.2Epiウエハ構造(上から下へ):

P + GaAsの

p型GaPの

p型AlGaInPから

MQW型AlGaInP

n型AlGaInPから

DBR n型のAlGaAs / AlAsから

バッファー

GaAs基板

3.Chipのsepcification(9milの*の9milチップ上の塩基)

3.1パラメータ

チップサイズ9milの*の9mil

厚さ190±10um

電極の直径90um±5um

3.2光-elctric文字(IR = 20ミリアンペア、22℃)

波長620〜625nm

順方向電圧1.9〜2.2V

逆電圧≥10v

逆電流0-1uA

3.3光強度文字(IR = 20ミリアンペア、22℃)

IV(MCD)80から140

3.4エピウエハavelength

アイテム

ユニット

レッド

黄色

イエロー/グリーン

説明

波の長さ(λD)

NM

585615620〜630

587〜592

568〜573

= 20ミリアンペアIF

成長方法:MOCVD、MBE

膜と基板との間の結晶学的関係を有する膜のエピタキシー成長= ホモエピタキシー(autoepitaxy、isoepitaxy)=膜および基板は同じ材料ヘテロ=膜および基板が異なる材料です。 にとって成長方法の詳細については、以下をクリックしてください。https://www.powerwaywafer.com/technology.html

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