GaAsのエピウェーハ

GaAsのエピウェーハ

我々は、MBE又はMOCVDによって成長させたGaを、アルにおいて、AsおよびPに基づいてエピタキシャルウエハIII-Vシリコンドープのn型半導体材料の様々なタイプを製造しています。 私たちは、より多くの情報についてはお問い合わせspecifications.please顧客を満たすためにカスタム構造を提供します。

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製品の説明

GaAsのエピウェーハ

我々は、MBE又はMOCVDによって成長させたGaを、アルにおいて、AsおよびPに基づいてエピタキシャルウエハIII-Vシリコンドープのn型半導体材料の様々なタイプを製造しています。 私たちは、より多くの情報についてはお問い合わせspecifications.please顧客を満たすためにカスタム構造を提供します。

当社は、米国Veeco社のGEN2000、エピタキシャル機器の生産ラインのGEN200大規模生産、XRDのフルセットの番号を持っています。 PL-マッピング。 Surfacescan、および他の世界クラスの分析とテスト機器。 同社は、世界クラスのスーパークリーン半導体および関連研究ときれいな研究施設の若い世代の開発を含む、植物を支援する以上の12000平方メートルを持っています

MBE III-V族化合物半導体エピタキシャルウェハのすべての新しい機能を備えた製品の仕様:

基板材料 材料機能 アプリケーション
GaAsの 低温のGaAs テラヘルツ
GaAsの GaAs / GaAlAs系/ GaAs系/ GaAsの ショットキー・ダイオード
InP InGaAs PIN検出器
InP InP / InP系/ InGaAsP系/ InP系/ InGaAsの レーザ
GaAsの GaAs / AlAsから/ GaAsの
InP InP / INASP / InGaAsの/ INASP
GaAsの GaAs /のInGaAsN / AlGaAs系
/ GaAs系/ AlGaAs系
InP InP / InGaAsの/ InP系 光検出器
InP InP / InGaAsの/ InP系
InP InP / InGaAsの
GaAsの GaAs / InGaPから/ GaAs系/ AlInPから 太陽電池
/のInGaP / AlInPから/のInGaP / AlInPから
GaAsの GaAs / GaInPの/ GaInAsの/ GaAs系/ AlGaAs系/ GalnP / GalnAs 太陽電池
/ GalnP / GaAs系/ AlGaAs系/ AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs
InP InP / GaInPから
GaAsの GaAs / AlInPから
GaAsの GaAs / AlGaAs系/ GalnP / AlGaAs系/ GaAsの 703nmのレーザー
GaAsの GaAs / AlGaAs系/ GaAsの
GaAsの GaAs / AlGaAs系/ GaAs系/ AlGaAs系/ GaAsの HEMT
GaAsの GaAs / AlAsの/ GaAs系/ AlAsから/ GaAsの MHEMT
GaAsの GaAs / DBR / AlGaInP系/ MQW / AlGaInP系/ GaPの LEDウェハ、ソリッドステート照明
GaAsの GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 波長635nm、660nmの、808nmの、780nmの、785nm、
/ GaAsPから/ GaAs系/ GaAs基板 950nm、1300nmの、1550nmのレーザー
GaSb AlSb / GaInSb / InAsの IR検出器、PIN、センシング、IR cemera
シリコン シリコン上のInPやGaAs 高速IC /マイクロプロセッサ
InSbの InSbをドープしたベリリウム
/アンドープのInSb / TeがInSbのドープ/

 

詳細仕様については、以下を確認してください。

GaAs基板上のLT-GaAsのエピ層

GaAsのショットキー・ダイオードエピタキシャルウェーハ

PINのためのInGaAs / InP系エピウエハ

InP基板上のInGaAsP / InGaAsの

 

GaAs / AlAsのウェハ

エピタキシャル成長のGaAsやInPウエハ上のInGaAsN

InGaAs光検出器のための構造

InP / InGaAsの/ InP系エピウエハ

InGaAsの構造ウェハー

太陽電池用あるいはAlGaP / GaAsのエピウエハ

三重接合太陽電池

GaAsのエピタキシー

GaInP / InP系エピウエハ

AlInP / GaAsのエピウエハ

 

703nmレーザーの層構造

808nmのレーザーウエハー

780nmのレーザーウエハー

 

GaAs PINエピウエハ

GaAs / AlGaAs系/ GaAsのエピウエハ

LEDやLDのためのGaAs系エピタキシャルウェハは、DESCの下を参照してください。
GaAs pHEMTのエピウエハ(のGaAs、AlGaAs系、InGaAsのは)、DESCの下を参照してください。
GaAs MHEMTエピウエハ(MHEMT:メタモルフィック高電子移動度トランジスタ)
GaAsのHBTエピタキシャルウェーハは(GaAsのHBTは、GaAsによってベースの技術であり、少なくとも二つの異なる半導体、から構成されているバイポーラ接合トランジスタである。)、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)
ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)
高電子移動度トランジスタ(HEMT)
擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMTの)
共鳴トンネルダイオード(RTD)
PiNダイオード
ホール効果デバイス
可変容量ダイオード(VCD)

 

今、私たちはいくつかの仕様を一覧表示します:

GaAs HEMTエピウエハ、サイズ:2〜6インチ

 アイテム

  仕様書

 リマーク

パラメーター

組成物/シート抵抗のAl組成/

当社の技術部門にお問い合わせください

ホール移動度/ 2DEG濃度

計測技術

X線回折/渦電流

当社の技術部門にお問い合わせください

未接触ホール

典型的なバルブ

カルコゲノフルバレン骨格依存

当社の技術部門にお問い合わせください

5000〜6500平方センチメートル/ V・S / 0.5〜1.0倍1012センチメートル-2

標準的な許容範囲

0.01 /±3%/なし±

当社の技術部門にお問い合わせください

GaAsの(ガリウムヒ素)のpHEMTエピウエハ、サイズ:2〜6インチ

 アイテム

  仕様書

 リマーク

パラメーター

組成物/シート抵抗のAl組成/

当社の技術部門にお問い合わせください

ホール移動度/ 2DEG濃度

計測技術

X線回折/渦電流

当社の技術部門にお問い合わせください

未接触ホール

典型的なバルブ

カルコゲノフルバレン骨格依存

当社の技術部門にお問い合わせください

5000〜6800平方センチメートル/ V・S / 2.0〜3.4倍1012センチメートル-2

標準的な許容範囲

0.01 /±3%/なし±

当社の技術部門にお問い合わせください
備考:のGaAs pHEMTの:のGaAs HEMT、GaAsのPHEMTと比較してもInxAsは、GaAsベースのデバイスのために、X <0.3拘束さInxGa1-x Asからを、内蔵しています。 HEMTと同じ格子定数を用いて成長させた構造が、異なるバンドギャップは、単に格子整合のHEMTと呼ばれます。
GaAs MHEMTエピウエハ、サイズ:2〜6インチ

 アイテム

  仕様書

 リマーク

パラメーター

組成物/シート抵抗の

当社の技術部門にお問い合わせください

ホール移動度/ 2DEG濃度

計測技術

X線回折/渦電流

当社の技術部門にお問い合わせください

未接触ホール

典型的なバルブ

カルコゲノフルバレン骨格依存

当社の技術部門にお問い合わせください

8000〜万平方センチメートル/ V・S / 2.0〜3.6x 1012センチメートル-2

標準的な許容範囲

±3%/なし

当社の技術部門にお問い合わせください

InP HEMTエピウエハ、サイズ:2〜4インチ

 

 アイテム

  仕様書

 リマーク

パラメーター

合成/シート抵抗/ホール移動度

当社の技術部門にお問い合わせください

  

備考:のGaAs(ガリウム砒素)は、化合物半導体材料、二つの要素、ガリウム(Ga)及びヒ素(As)の混合物です。 ガリウム砒素の用途は多様であり、LED / LD、電界効果トランジスタ(FET)で使用されて含まれ、集積回路(IC)

デバイス応用

RFスイッチ

パワーと低ノイズ・アンプ

ホールセンサ

光変調器

ワイヤレス:携帯電話や基地局

自動車用レーダー

MMIC、RFIC

光ファイバ通信

LED / IRセリエ用のGaAsエピウエハ:

1.General説明:

1.1成長方法:MOCVD
ワイヤレスネットワーキングのための1.2のGaAsエピウエハ

1.3LED用のGaAsエピウエハ/ IR及びLD / PD

2.Epiウエハの仕様:

2.1ウェハサイズ:2” 直径

2.2Epiウエハ構造(上から下へ):

P + GaAsの

p型GaPの

p型AlGaInPから

MQW型AlGaInP

n型AlGaInPから

DBR n型のAlGaAs / AlAsから

バッファー

GaAs基板

3.Chipのsepcification(9milの*の9milチップ上の塩基)

3.1パラメータ

チップサイズ9milの*の9mil

厚さ190±10um

電極の直径90um±5um

3.2光-elctric文字(IR = 20ミリアンペア、22℃)

波長620〜625nm

順方向電圧1.9〜2.2V

逆電圧≥10v

逆電流0-1uA

3.3光強度文字(IR = 20ミリアンペア、22℃)

IV(MCD)80から140

3.4エピウエハavelength

アイテム

ユニット

レッド

黄色

イエロー/グリーン

説明

波の長さ(λD)

NM

585615620〜630

587〜592

568〜573

= 20ミリアンペアIF

成長方法:MOCVD、MBE

膜と基板との間の結晶学的関係を有する膜のエピタキシー成長= ホモエピタキシー(autoepitaxy、isoepitaxy)=膜および基板は同じ材料ヘテロ=膜および基板が異なる材料です。 にとって成長方法の詳細については、以下をクリックしてください。https://www.powerwaywafer.com/technology.html

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