レーザーダイオード用エピウエハ

レーザーダイオード用エピウエハ

GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • 説明

製品の説明

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), a LD epitaxial wafer supplier, focuses on the GaAs and InP based laser diode epi wafers grown by MOCVD reactors for fiber-optic communication, industrial application, and special-purpose usage. PAM-XIAMEN can offer LD epitaxy wafer based on GaAs substrate for various fields, like VCSEL, infrared, photo-detector and etc. More details about the LD epitaxy wafer material, please refer to the table below:

基板材料 材料機能 波長 アプリケーション
GaAsの GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 波長635nm  
エピウエハGaAs系 650nmの Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 660nmの  
GaAs / AlGaAs系/ GalnP / AlGaAs系/ GaAsの 703nm  
GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 780nmの  
GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 785nm  
エピウエハGaAs系 800-1064nm 赤外線LD
GaAs / GalnP / AlGaInP系/ GaInPから 808nmの 赤外線LD
エピウエハGaAs系 波長850nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
エピウエハGaAs系 <870nm 光検出器
エピウエハGaAs系 850-1100nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
GaAs / AlGaAs系/ GaInAsの/ AlGaAs系/ GaAsの 905nm  
GaAs / AlGaAs系/たInGaAs / AlGaAs系/ GaAsの 950nm  
エピウエハGaAs系 980nmの 赤外線LD
InPベースのエピウエハ 1250-1600nm 雪崩光検出器
エピウエハGaAs系 1250-1600nm/>2.0um
(InGaAs absorptive layer)
光検出器
エピウエハGaAs系 1250-1600nm/<1.4μm
(InGaAsP absorptive layer)
光検出器
InPベースのエピウエハ 1270-1630nm DFBレーザ
たGaAsP / GaAs系/ GaAs基板 1300nmの  
InPベースのエピウエハ 1310nmの FPレーザー
たGaAsP / GaAs系/ GaAs基板 1550 FPレーザー
  1654nm  
InPベースのエピウエハ 1900nm FPレーザー
  2004nm  

 

About LD Epitaxy Wafer Applications & Market

The applications of GaAs based LD epitaxy wafer in the laser field can be divided into VCSELs and non-VCSELs. The current GaAs based LD epitaxy applications mainly lies in VCSELs. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), based on GaAs materials, is mainly used for face recognition. It is expected to have a high growth rate in the future. EEL (Edge Emitting Laser) is a non-VCSEL device, mainly used in the field of automotive lidar, and the demand is expected to increase with the expansion of the driverless car market.

The GaAs substrate used in the laser field requires high technical indicators, and the unit epitaxial wafer price is significantly higher than that of other fields. The future LD epitaxial market space can be expected. Laser applications are the most sensitive to dislocation density. There is a high requirement for the GaAs substrate materials in laser applications. Therefore, the higher requirement is put forward on LD epitaxial wafer manufacturers and LD epitaxial wafer process. At present, the near-infrared band (760~1060 nm) semiconductor laser based on GaAs substrate has the most mature development and the most widespread application, and it has already been commercialized.

Please see below detail specification of LD epitaxy wafer:

VCSEL Laser Wafer Chip

VCSEL Laser Epi Wafer

703nmのレーザダイオードエピウエハ

808nmのレーザダイオードエピタキシャルウエハ1

780nmのレーザダイオードエピウエハ

650nmのレーザダイオードエピウエハ

785nmのレーザダイオードエピウエハ

808nm laser diode epi wafers-2

850nmのレーザダイオードエピウエハ

905nmのレーザダイオードエピウエハ

950nmのレーザダイオードエピウエハ

1550nmのレーザダイオードエピウエハ

1654nmのレーザダイオードエピウエハ

2004nmのレーザダイオードエピウエハ

GaAs Epitaxy with Thick Growth

GaAs based Epi Structure MOCVD Grown for Light Emitter

Narrow InGaAsP Quantum Well Grown on InP Wafer

InAs Quantum Dot Layers on InP Substrate

 

シングルエミッタチップ

8W @シングルエミッタLDチップ755nm

8W @シングルエミッタLDチップ808nmの

10W @シングルエミッタLDチップ808nmの

2W @シングルエミッタLDチップ830nm

8W @シングルエミッタLDチップ880nm

シングルエミッタLDチップ900 + nmの@ 10W

シングルエミッタLDチップ900 + nmの@ 15W

25W @シングルエミッタLDチップ905nm

3W @シングルエミッタLDチップ1470nm

PAM XIAMEN offers 1470 / 1550nm high power laser single chip as follows:

LDベアバー

780nmの@空洞2.5ミリメートルのためのLDベアバー

808nmの@キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

808nmの@空洞1.5ミリメートルのためのLDベアバー

880nm @キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

940nmの@キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

940nmの@キャビティ3ミリメートルのためのLDベアバー

940nmの@キャビティ4ミリメートルのためのLDベアバー

940nmの@キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

976nm @キャビティ4ミリメートルのためのLDベアバー

1470nm @キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー

1550 @キャビティ2ミリメートルのためのLDベアバー