GaAsのエピウェーハ
PAM-XIAMEN は、MBE または MOCVD によって成長させた Ga、Al、In、As、P をベースとしたさまざまなタイプのエピ ウェハ III-V シリコンドープ n 型半導体材料を製造しています。 当社では、お客様の仕様を満たすカスタム GaAs エピウェーハ構造を提供しています。詳細については、お問い合わせください。
- 説明
製品の説明
GaAsエピウェーハ
大手GaAsエピウェーハファウンドリとして、PAM-XIAMENは、MBEまたはMOCVDによって成長させたGa、Al、In、As、Pをベースにした、低ガリウムヒ素を生成するIII-V族シリコンドープn型半導体材料のさまざまなタイプのエピウェーハを製造しています。エピウェーハの欠陥。 当社では、お客様の仕様を満たすカスタム GaAs エピウェーハ構造を提供しています。詳細については、お問い合わせください。
当社は米国Veeco社のGEN2000、GEN200の大規模生産エピタキシャル装置生産ライン、XRDのフルセットを多数保有しています。 PLマッピング; Surfacescan およびその他の世界クラスの分析および試験装置。 同社は、世界クラスのスーパークリーン半導体や、次世代のクリーン実験室施設の関連研究開発など、12,000平方メートルを超えるサポートプラントを保有しています。
MBE III-V 化合物半導体エピタキシャルウェーハのすべての新製品および注目製品の仕様:
基板材料 | 材料の能力 | 応用 |
GaAsの | 低温のGaAs | テラヘルツ |
GaAsの | GaAs/GaAlAs/GaAs/GaAs | ショットキーダイオード |
InP | InGaAs | PIN検出器 |
InP | InP/InP/InGaAsP/InP/InGaAs | レーザ |
GaAsの | GaAs/AlAs/GaAs | |
InP | InP/InAsP/InGaAs/InAsP | |
GaAsの | GaAs/InGaAsN/AlGaAs | |
/GaAs/AlGaAs | ||
InP | InP/InGaAs/InP | 光検出器 |
InP | InP/InGaAs/InP | |
InP | InP / InGaAsの | |
GaAsの | GaAs/InGaP/GaAs/AlInP | 太陽電池 |
/InGaP/AlInP/InGaP/AlInP | ||
GaAsの | GaAs/GaInP/GaInAs/GaAs/AlGaAs/GaInP/GaInAs | 太陽電池 |
/GalnP/GaAs/AlGaAs/AllnP/GalnP/AllnP/GalnAs | ||
InP | InP / GaInPから | |
GaAsの | GaAs / AlInPから | |
GaAsの | GaAs/AlGaAs/GaInP/AlGaAs/GaAs | 703nmレーザー |
GaAsの | GaAs/AlGaAs/GaAs | |
GaAsの | GaAs/AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs | HEMT |
GaAsの | GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs | MHEMT |
GaAsの | GaAs/DBR/AlGaInP/MQW/AlGaInP/GaP | LEDウエハー、固体照明 |
GaAsの | GaAs/GaInP/AlGaInP/GaInP | 635nm、660nm、808nm、780nm、785nm、 |
/GaAsP/GaAs/GaAs基板 | 950nm、1300nm、1550nmレーザー | |
GaSb | AlSb/GaInSb/InAs | IR検出器、PIN、センシング、IRカメラ |
シリコン | シリコン上の InP または GaAs | 高速IC/マイクロプロセッサ |
InSbの | ベリリウムドープInSb | |
/ アンドープ InSb/Te ドープ InSb/ |
ガリウムヒ素は現在、最も成熟したエピウェーハ技術を備えた最も重要な化合物半導体材料の 1 つです。 GaAs材料は、広い禁制帯幅、高い電子移動度、ダイレクトバンドギャップ、高い発光効率という特徴を持っています。 これらすべてのエピウェーハの利点により、GaAs エピタキシーは現在オプトエレクトロニクスの分野で使用される最も重要な材料です。 一方で、重要なマイクロエレクトロニクス材料でもあります。 電気伝導度の違いに応じて、GaAs エピウェーハ材料は半絶縁性 (SI) GaAs と半導体 (SC) GaAs に分類できます。
エピタキシャルウェーハの分野では、RF およびレーザー用途のエピウェーハ市場シェアが非常に大きくなっています。
詳細な仕様については、以下を参照してください。
エピタキシャル成長のGaAsやInPウエハ上のInGaAsN
1550nm GaInAsP / InP PIN フォトダイオード構造
今、私たちはいくつかの仕様を一覧表示します:
GaAs HEMTエピウェーハ、サイズ:2~6インチ | ||
アイテム | 仕様書 | リマーク |
パラメーター | 組成物/シート抵抗のAl組成/ | 当社の技術部門にお問い合わせください |
ホール移動度/ 2DEG濃度 | ||
計測技術 | X線回折/渦電流 | 当社の技術部門にお問い合わせください |
未接触ホール | ||
典型的なバルブ | カルコゲノフルバレン骨格依存 | 当社の技術部門にお問い合わせください |
5000〜6500平方センチメートル/ V・S / 0.5〜1.0倍1012センチメートル-2 | ||
標準的な許容範囲 | 0.01 /±3%/なし± | 当社の技術部門にお問い合わせください |
GaAsの(ガリウムヒ素) phHEMT エピウェーハ、サイズ: 2~6 インチ | ||
アイテム | 仕様書 | リマーク |
パラメーター | 組成物/シート抵抗のAl組成/ | 当社の技術部門にお問い合わせください |
ホール移動度/ 2DEG濃度 | ||
計測技術 | X線回折/渦電流 | 当社の技術部門にお問い合わせください |
未接触ホール | ||
典型的なバルブ | カルコゲノフルバレン骨格依存 | 当社の技術部門にお問い合わせください |
5000〜6800平方センチメートル/ V・S / 2.0〜3.4倍1012センチメートル-2 | ||
標準的な許容範囲 | 0.01 /±3%/なし± | 当社の技術部門にお問い合わせください |
注:GaAs pHEMT: GaAs HEMT と比較すると、GaAs PHEMT には InxGa1-xAs も組み込まれています。ただし、GaAs ベースのデバイスの場合、InxAs は x < 0.3 に制限されます。 HEMT と同じ格子定数で成長したが、バンドギャップが異なる構造は、単に格子整合 HEMT と呼ばれます。 | ||
GaAs mHEMT エピウェーハ、サイズ:2~6 インチ | ||
アイテム | 仕様書 | リマーク |
パラメーター | 組成物/シート抵抗の | 当社の技術部門にお問い合わせください |
ホール移動度/ 2DEG濃度 | ||
計測技術 | X線回折/渦電流 | 当社の技術部門にお問い合わせください |
未接触ホール | ||
典型的なバルブ | カルコゲノフルバレン骨格依存 | 当社の技術部門にお問い合わせください |
8000~10000cm2/V・S/2.0~3.6×1012cm-2 | ||
標準的な許容範囲 | ±3%/なし | 当社の技術部門にお問い合わせください |
InP HEMTエピウェーハ、サイズ:2~4インチ | ||
アイテム | 仕様書 | リマーク |
パラメーター | 合成/シート抵抗/ホール移動度 | 当社の技術部門にお問い合わせください |
注:GaAs(ガリウムヒ素)は、ガリウム(Ga)とヒ素(As)の2つの元素の混合物である化合物半導体材料です。 ガリウムヒ素の用途は多岐にわたり、LED/LD、電界効果トランジスタ (FET)、集積回路 (IC) での使用が含まれます。
デバイス応用
RFスイッチ、パワーアンプおよび低ノイズアンプ、ホールセンサ、光変調器
ワイヤレス:携帯電話や基地局
自動車レーダー、MMIC、RFIC、光ファイバ通信
LED / IRセリエ用のGaAsエピウエハ:
1.General説明:
1.1成長方法:MOCVD
1.2 ワイヤレスネットワーク用 GaAs エピウェハ
1.3LED用のGaAsエピウエハ/ IR及びLD / PD
2.Epiウエハの仕様:
2.1ウェハサイズ:2” 直径
2.2 GaAs エピウェーハ構造 (上から下):
P + GaAs
p型GaPの
p型AlGaInPから
MQW型AlGaInP
n型AlGaInPから
DBR n-ALGaAs / AlAs
バッファー
GaAs基板
3.Chipのsepcification(9milの*の9milチップ上の塩基)
3.1パラメータ
チップサイズ9milの*の9mil
厚さ190±10um
電極の直径90um±5um
3.2光-elctric文字(IR = 20ミリアンペア、22℃)
波長620〜625nm
順方向電圧1.9〜2.2V
逆電圧≥10v
逆電流0-1uA
3.3光強度文字(IR = 20ミリアンペア、22℃)
IV (MCD) 80-140
3.4 エピウェーハの平均長
アイテム | ユニット | レッド | 黄色 | イエロー/グリーン | 説明 |
波の長さ(λD) | NM | 585615620〜630 | 587〜592 | 568〜573 | = 20ミリアンペアIF |
成長方法:MOCVD、MBE
膜と基板との間の結晶学的関係を有する膜のエピタキシー成長= ホモエピタキシー(autoepitaxy、isoepitaxy)=膜および基板は同じ材料ヘテロ=膜および基板が異なる材料です。 にとって成長方法の詳細については、以下をクリックしてください。https://www.powerwaywafer.com/technology.html
述べる:
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料(GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど)およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日より、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解とご協力をお願いいたします。
InGaAsエピタキシーセンサー/検出器:
フォトニック集積チップ用エピウェハ: