GaAs(ガリウム砒素)ウエハース

GaAs(ガリウム砒素)ウエハース

As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • 説明

製品の説明

(ガリウム砒素) GaAs Wafer

PAM-XIAMEN develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer. We has used advanced crystal growth technology, vertical gradient freeze(VGF) and GaAs wafer manufacturing process, established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for GaAs wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafers include 2~6 inch ingot/wafers for LED, LD and Microelectronics applications. We are always dedicated to improve the quality of currently GaAs wafer substrates and develop large size substrates. The GaAs wafer size offered is in 2”, 3”, 4” and 6”, and the thickness should be 220-700um. Moreover, the GaAs wafer price from us is competitive.

1. GaAs Wafer Specifications

1.1 (GaAs)ガリウム砒素LEDアプリケーション用のウエハース

アイテム 仕様書 備考
伝導型 SC / n型 利用可能な亜鉛ドープとSC / p型
成長方法 VGF  
ドーパント シリコン 利用できる亜鉛
ウェハDiamter 2、3&4インチ インゴットとして、またはカットavailalbe
結晶方位 (100)2°/ 6°/ 15(110)オフ° 利用可能な他の方位差
EJまたは米国  
キャリア濃度 (2.5〜0.4)E18 / cm 3で  
RTでの抵抗 (1.5〜9)E-3 Ohm.cm  
モビリティ 1500〜3000平方センチメートル/ V.sec  
エッチピット密度 <5000 / cm2で  
レーザーマーキング 要求に応じて  
表面仕上げ P / EまたはP / P  
厚さ 220〜450um  
エピタキシー準備 はい  
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

 

1.2 (GaAs)ガリウム砒素LDアプリケーションのウエハース

アイテム 仕様書 備考
伝導型 SC / n型  
成長方法 VGF  
ドーパント シリコン  
ウェハDiamter 2、3&4インチ インゴットまたは利用できるようカット
結晶方位 (100)2°/ 6°/ 15(110)オフ° 利用可能な他の方位差
EJまたは米国  
キャリア濃度 (2.5〜0.4)E18 / cm 3で  
RTでの抵抗 (1.5〜9)E-3 Ohm.cm  
モビリティ 1500〜3000平方センチメートル/ V.sec  
エッチピット密度 <500 / cm 2で  
レーザーマーキング 要求に応じて  
表面仕上げ P / EまたはP / P  
厚さ 220〜350um  
エピタキシー準備 はい  
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

 

1.3 (GaAs)ガリウム砒素ウエハは、マイクロエレクトロニクスのアプリケーションのための半絶縁性

アイテム 仕様書 備考
伝導型 絶縁  
成長方法 VGF  
ドーパント アンドープ  
ウェハDiamter 2、3&4インチ  Ingot available
結晶方位 (100)+/- 0.5°  
EJ、米国またはノッチ  
キャリア濃度 N / A  
RTでの抵抗 > 1E7 Ohm.cm  
モビリティ > 5000平方センチメートル/ V.sec  
エッチピット密度 <8000 / cm2で  
レーザーマーキング 要求に応じて  
表面仕上げ P / P  
厚さ 350〜675um  
エピタキシー準備 はい  
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

 

1.4 6″ (150mm)(GaAs)ガリウム砒素ウエハは、マイクロエレクトロニクスのアプリケーションのための半絶縁性

アイテム 仕様書 備考
伝導型 半絶縁性  –
メソッドを育てます VGF  –
ドーパント アンドープ  –
タイプ N  –
Diamater(ミリメートル) 150±0.25  –
方向付け (100)0°±3.0°  –
ノッチオリエンテーション 〔010〕±2°  –
NOTCH Deepth(ミリメートル) (1-1.25)mm   89°-95°  –
キャリア濃度 please consult our sales team  –
抵抗率(ohm.cm) >1.0×107  –
モビリティ(平方センチメートル/ VS) please consult our sales team  –
脱臼 please consult our sales team  –
厚み(μm) 675±25  –
ボウとワープのためのエッジ除外さ(mm) please consult our sales team  –
ボウ(ミクロン) please consult our sales team  –
ワープ(ミクロン) ≤20.0  –
TTV(ミクロン) ≤10.0  –
TIR(ミクロン) ≤10.0  –
LFPD(ミクロン) please consult our sales team  –
研磨 P / Pエピレディ  –

 

1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (低温成長ヒ化ガリウム)ウェーハの仕様

アイテム 仕様書
伝導型 半絶縁性
メソッドを育てます VGF
ドーパント アンドープ
タイプ N
Diamater(ミリメートル) 150±0.25
方向付け (100)0°±3.0°
ノッチオリエンテーション 〔010〕±2°
NOTCH Deepth(ミリメートル) (1-1.25)mm   89°-95°
キャリア濃度 please consult our sales team
抵抗率(ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3
モビリティ(平方センチメートル/ VS) please consult our sales team
脱臼 please consult our sales team
厚み(μm) 675±25
ボウとワープのためのエッジ除外さ(mm) please consult our sales team
ボウ(ミクロン) please consult our sales team
ワープ(ミクロン) ≤20.0
TTV(ミクロン) ≤10.0
TIR(ミクロン) ≤10.0
LFPD(ミクロン) please consult our sales team
研磨 P / Pエピレディ
 
*我々はまた、多結晶のGaAsバー、99.9999%(6N)を提供することができます。

 

2. GaAs Wafer Market & Application

Gallium arsenide is an important semiconductor material. It belongs to group III-V compound semiconductors and the zinc blende crystal lattice structure, with a lattice constant of 5.65×10-10m, a melting point of 1237°C, and a band gap of 1.4 electron volts. Gallium arsenide can be made into semi-insulating high-resistance materials, which can be used to make integrated circuit substrates, infrared detectors, gamma photon detectors, etc. Because its electron mobility is 5 to 6 times greater than silicon, SI GaAs substrate has been importantly used in the fabrication of microwave devices and high-speed digital circuits. Semiconductor devices fabricated on gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance, which make the GaAs substrate market enlarge.

 

3. Test certificate of GaAs wafer can include below analysis if necessary:

1/Surface roughness of Gallium Arsenide including front side and backside(nanometers).

2/Doping concentration of Gallium Arsenide(cm-3)

3/EPD of Gallium Arsenide(cm-2)

4/Mobility of Gallium Arsendie(V.sec)

5/X-ray diffraction analysis (rocking curves) of Gallium Arsenide: Diffraction reflection curve half-width

6/Low-temperature photoluminescence (emission spectra in the range 0.7-1.0 μm) of Gallium Arsenide: The fraction of exciton photoluminescence in the emission spectrum of the near-IR range at a temperature of 4K or 5 K and an optical excitation density of 1 W / cm2

7/Transmission rate or Absorption coefficient: for instant, we can measure absorption coefficient of single crystal undoped GaAs at 1064nm: <0.6423 cm-1, and this corresponds to a transmission minimum of 33.2% for an exactly 6.5mm thick blank at 1064nm.

 

あなたも好きかも...