GaAs(111)結晶

GaAs(111)結晶ウェーハ

Pam Xiamenは、N Type/Siドープ、非視線、およびPタイプGAAS（111）クリスタルウェーハを提供しています。

1.ウェーハ一覧

GAAS、成長方法：VGF（111）A、SI、UNSOPED、2インチDIA X 0.5 mm、1 SP
GAAS、成長方法：VGF（111）A、SI、Undoped、4インチDIA X 0.55 mm、1 SP
GAAS、成長方法：VGF（111）A、SI、Undoped、4インチDIA X 0.55 mm、2SP
GAAS、成長方法：VGF（111）B、SI、非視線、4インチDIA X 0.625 mm、1 SP
GAAS、成長方法：VGF（111）B、SI、Undoped、4インチDIA X 0.625 mm、2SP
GAAS、成長方法：VGF（111）B、SIドープ、2インチDIA X 0.325mm、1SP
GAAS、成長方法：VGF（111）B、SIドープ、2インチDIA X 0.35mm、2SP
GAAS、成長方法：VGF（111）B、SIドープ、3インチDIA X 0.625 mm、2SP
GAAS（111）方向、Pタイプ、Znドープ、2インチDIA X 0.4mm、1SP、
Gaas（111）方向、半挿入、非視線、10x10x 0.55mm、1sp、
Gaas（111）方向、半挿入、非視線、10x10x 0.5mm、1sp
Gaas（111）方向、半挿入、非視線、5x5x 0.5-0.55mm、1sp、
GAAS（111）b方向、半挿入、非視線、10x10x 0.625mm、1SP、
GAAS（111）b方向、半挿入、非視線、5x5x 0.625mm、1sp
GAAS、成長方法：VGF、（111）A、Znドープ、Pタイプ、2インチDIA X 0.5mm、2SP
GAAS、成長方法：VGF、（111）B、Znドープ、Pタイプ、2インチDIA X 0.4 mm、2SP

2.（111）Gaas Wafer仕様：

2-1 2インチGAAS：350μm、抵抗率> 1E7OHM.cm、方向：<111>、片側磨き、非視線

                                                                                仕様

2-2 2インチGAAS：350μm、（範囲、1-9E-3）ohm.cm、方向：<111>、片側磨き、siドープn型

仕様

2-3 2インチGAAS：350μm; （範囲、1-9E-3）ohm.cm;オリエンテーション：<111>;片側磨かれた; ZnドープP型

仕様

詳細については、メールでお問い合わせください[email protected] と [email protected]