ますます多くの携帯電話メーカーが窒化ガリウム急速充電器を発売しているので、GaN急速充電器とは何ですか？ 窒化ガリウム充電器は、スマートフォンやラップトップなどのこのような高速充電器のコアデバイスが採用しているものですGaNFETチップ、PAM-XIAMENが提供できる。 窒化ガリウム充電器は、小型、高効率、低発熱という特徴があり、スマートフォンやノートパソコンなどのパワーデバイスの急速充電に対応しています。

なぜGaNFETチップで作られた充電器が従来のものよりも速いのですか？ その理由は、窒化ガリウム材料に基づいて次のように分析されます。

1.窒化ガリウム急速充電器の優れた窒化ガリウム材料特性

窒化ガリウム（GaN）は、窒素とガリウムで構成される半導体材料です。 窒化ガリウムのバンドギャップは2.2eVを超えるため、ワイドバンドギャップ半導体材料とも呼ばれ、第3世代半導体材料とも呼ばれます。 GaN急速充電器は、出力電力が強く、サイズが小さく、通常のシリコンベースのデバイスの電力特性比の数十倍です。 GaNは将来のパワー半導体の画期的な材料です。

シリコン材料と比較して、窒化ガリウム材料の特性は主に次のとおりです。

• 禁止バンド幅は3倍です。
• 破壊電界強度は10倍高くなります。
• 飽和電子の移動速度は3倍です。
• 窒化ガリウムの熱伝導率は2倍です。

これらの性能向上によってもたらされる利点のいくつかは、窒化ガリウムが、より小さな体積とより大きな電力密度を備えた、窒化ガリウム急速充電器のような高出力および高周波パワーデバイスにより適していることです。

2.窒化ガリウムの用途

窒化ガリウムは自然界には存在しない物質であり、完全に人工的に合成されています。 窒化ガリウムは液体状態ではないため、単結晶シリコン製造プロセスのチョクラルスキー法を使用して、純粋にガス反応で合成できるGaN単結晶を引き出すことはできません。 長い反応時間、遅い速度、多くの反応副産物、厳しい装置要件、成長のための複雑なGaN技術、および非常に低い生産性のために、窒化ガリウム単結晶材料を入手することは非常に困難です。 したがって、商用アプリケーションでは、窒化ガリウムヘテロエピタキシャルウェーハがより多く使用されます。

2.1パワーチャージャーにおけるGaNエピタキシャルウェーハの典型的な用途

単結晶窒化ガリウム基板上での窒化ガリウムの成長はホモエピタキシャルと呼ばれ、他の材料の基板上での窒化ガリウムの成長はヘテロエピタキシャルウェーハと呼ばれます。 現在、サファイア上の窒化ガリウム、炭化ケイ素上の窒化ガリウム、シリコンウェーハ上の窒化ガリウムが主な窒化ガリウムヘテロエピタキシャルウェーハである。

その中で、サファイア上のGaNはLEDの製造にのみ使用できます。 Si上のGaN パワーデバイス（GaNパワーチャージャーなど）および低電力無線周波数の製造に使用できます。 SiC上のGaNは、高出力LED、パワーデバイス、および高出力無線周波数チップの製造に使用できます。 窒化ガリウム電話充電器は、シリコン基板をベースにしたGaNFET.

2.2主なアプリケーションの詳細説明

したがって、窒化ガリウムウェーハには、さらに3つの重要なアプリケーション分野、すなわちオプトエレクトロニクス分野、電力分野（特に急速充電器）、および無線周波数分野があります。 詳細については、データシートを参照してください。

窒化ガリウム急速充電器の需要の高まりと、電力分野におけるPAM-XIAMENのSiベースのGaNの飛躍的進歩のおかげで、将来的には電話充電器用の窒化ガリウムFETチップがさらに成長するでしょう。

詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.