Powerway Wafer は、以下にリストするように、青色または緑色の光を発する、平面またはパターン化されたサファイア上に III 族窒化物 GaN LED Epi ウェハーを提供します。 GaN LEDの市場規模は50mm、100mm、150mm、200mmです。 GaN LEDの発光波長は530nmに達します。

高品質の結晶品質の GaN は、低温でバッファ層を堆積することによって得られます。 このような高品質の GaN により、p 型 GaN、pn 接合青色/UV-LED、および室温誘導放出が発見されました。

1. GaN青色/緑色LEDエピウエハの仕様

項目1：

c面サファイア上の青色GaN LEDエピ層の100mmウェハ、445～475nm（PAM-191010-GaN-LED）。

項目2：

c面サファイア上の緑色GaN LEDエピ層の100mmウェハ、510～530nm。

アイテム 3 (PAM-190320-青色 GaN LED ウェハー):

青色発光サファイア上の GaN 商用 LED ウェーハ化合物半導体デバイス製造用の最大出力と裏面研磨済み。

2. サファイア上の GaN LED エピウェーハのパラメータ

サファイア上の GaN LED エピウェーハのパラメータは以下のとおりです。

カセット	いいえ。	ウェハID	基板	平均WD	Wd標準	平均半値幅	チップサイズ	Vf（20ma）	Ⅳ（mcd）	IR収量	ESD イールド (HBM 2000)
3(25個)	26	CDGB01A26	CSS(ポリッシュ)	452.759	1.477	20.00	7*9ミリ	–	156.465	98.22%	96.44%
	27	CDGB01A27	CSS(ポリッシュ)	–	0.598	20.00	–	3.11	–	98.22%	–
	28	CDGB01A28	CSS(ポリッシュ)	–	1.346	20.00	7*9ミリ	3.11	156.293	–	96.44%
	29	CDGB01A29	CSS(ポリッシュ)	452.813	1.016	–	7*9ミリ	3.11	–	98.22%	–
	30	CDGB01A30	CSS(ポリッシュ)	–	0.863	20.00	7*9ミリ	3.11	–	–	96.44%
	31	CDGB01A31	CSS(ポリッシュ)	451.508	–	20.00	–	3.11	156.05	–	96.44%
	32	CDGB01A32	CSS(ポリッシュ)	–	1.077	20.00	7*9ミリ	3.11	156.05	–	96.44%
	33	CDGB01A33	CSS(ポリッシュ)	450.334	1.141	20.00	7*9ミリ	–	–	98.22%	96.44%
	34	CDGB01A34	CSS(ポリッシュ)	–	0.797	20.00	–	3.11	156.066	98.22%	–
	35	CDGB01A35	CSS(ポリッシュ)	–	0.818	20.00	–	3.11	155.976	–	96.44%
	36	CDGB01A36	CSS(ポリッシュ)	451.113	–	20.00	7*9ミリ	–	–	98.22%	96.44%
	37	CDGB01A37	CSS(ポリッシュ)	451.331	1.263	–	–	3.11	–	98.22%	96.44%
	38	CDGB01A38	CSS(ポリッシュ)	451.857	1.65	20.00	7*9ミリ	–	155.937	–	96.44%
	39	CDGB01A39	CSS(ポリッシュ)	–	–	20.00	7*9ミリ	3.11	155.959	98.22%	96.44%
	40	CDGB01A40	CSS(ポリッシュ)	452.425	1.071	20.00	7*9ミリ	3.11	–	98.22%	–
	41	CDGB01A41	CSS(ポリッシュ)	453.066	1.381	–	7*9ミリ	–	156.027	–	96.44%
	42	CDGB01A42	CSS(ポリッシュ)	–	0.88	–	7*9ミリ	3.11	155.98	–	96.44%
	43	CDGB01A43	CSS(ポリッシュ)	453.176	1.204	20.00	–	3.11	–	98.22%	–
	44	CDGB01A44	CSS(ポリッシュ)	453.966	–	20.00	7*9ミリ	–	–	98.22%	–
	45	CDGB01A45	CSS(ポリッシュ)	453.89	0.958	–	7*9ミリ	3.11	155.88	–	–
	46	CDGB01A46	CSS(ポリッシュ)	453.932	–	20.00	7*9ミリ	–	155.846	98.22%	96.44%
	47	CDGB01A47	CSS(ポリッシュ)	–	1.335	20.00	7*9ミリ	–	–	98.22%	96.44%
	48	CDGB01A48	CSS(ポリッシュ)	453.948	0.903	20.00	–	–	–	–	96.44%
	49	CDGB01A49	CSS(ポリッシュ)	–	0.923	–	7*9ミリ	–	–	–	–
	50	CDGB01A50	CSS(ポリッシュ)	–	1.304	20.00	7*9ミリ	–	–	98.22%	–

 

3. GaN LED エピプロセス

エピタキシャル成長の基本原理は、適切な温度に加熱された基板（主にサファイア（Al2O3）やSiC、Si）上で、In、Ga、Al、Pなどのガス状物質が制御された状態で基板表面に輸送されることです。 。 特定の単結晶薄膜を成長させる。 現在、LEDのエピタキシー成長技術は主にMOCVD法が採用されています。

現在、ほとんどの企業が GaN LED Epi ウェハに使用している基板材料はサファイア (Al203) です。 GaN との特性不一致は 13.8% ありますが、サファイア基板上に成長した GaN 薄膜材料は非常に高い転位密度を持ちます。 ただし、コストは低く、技術は比較的成熟しており、高温での安定性も優れています。

4. GaN LEDエピウェーハに関するFAQ

Q1:研磨されたサファイアの裏面の典型的な rms 粗さはどれくらいですか?

回答：それはアプリケーションによって異なります。

Q2:私たちのアプリケーションは、エピウェーハを使用して microLED デバイスを製造し、レーザーリフトオフを実行してデバイスを解放して物質移動と組み立てを行うことです。 緑と青の両方のエピスタックの各層の厚さの詳細を教えていただけますか（サファイア上のエピ層の合計厚さ、p-GaNの厚さ、活性領域、n-GaNおよびその下にあるu層の厚さなど） -GaN層など）？

回答：はい、レーザー リフトオフ アプリケーションの場合、表面に特定の要件が必要です。詳細については、当社のエンジニア チームにお問い合わせください。tech@powerwaywafer.com.

Q3:1. これらの新しいウェーハは、サファイア基板上の 2 インチ青色 LED ウェーハですか?

2. これらの新しいウェーハはアニール (活性化) され、裏面が研磨されているので、すぐに使用できますか?

3. これらの新しい LED ウェハーの品質 (特に出力) は、前回購入したウェハーと比べて同じか、さらに優れていますか?

回答：あなたの要件は次のとおりです。裏面は研磨されています。 焼きなました。 ハイパワー用。 その場合は、新しいウェーハをお勧めしますが、サイズは 4 インチ、波長: 475+/-5nm です。

Q4:レーザーリフトオフ(LLO)プロセス用の青色LEDウエハが必要です。

適合する仕様のウエハをお持ちでしたらサンプルをご提供させていただきます。

スペック情報を教えていただけますか？

LLOの経験がある方、情報を教えていただけますか？

回答：マイクロ LED アプリケーション用のレーザーリフトオフ用 LED ウエハーを要求しているクライアントもいます。 LLOの場合、ウェーハの裏面を研磨する必要がありますが、プロセス中に表面に傷が付く危険があるため、これは多少困難です。

次の 2 つのオプションがあります。

オプション 1: 平坦なサファイア上の LED ウェハー、裏面研磨。

オプション 2: パターン付きサファイア上の LED ウェハー、裏面研磨。

Q5:p-GaN の活性化がその場アニールで行われたのか、それとも現場外 RTA プロセスで行われたのか教えていただけますか?

回答：Mocvd の成長時に簡単なアニーリングをすでに実行しています。 これは現場アニーリングと呼ばれるものですが、時間は十分長くありません。 したがって、チップはアニーリングを支援します。 これでチップのプロセスはすべてこんな感じになりました。 私のエピタキシャルウェーハは通常のチッププログラムを実行できます。
あなたが言及しているin-situ rtaプログラムが、アニール炉を使用してチップの端でアニールされるかどうかはわかりません。 そうであれば、私の LED/PSS エピタキシャル ウェーハはこのアニーリングを経ていないことになります。

Q6：以下に関連する 4 インチ青色 GaN LED ウェーハに関する情報も教えていただけますか。

1. 電流対出力電力曲線;

2. 製品の発光スペクトルは?

回答：当社の青色 GaN LED エピ ウェーハの電流対出力電力曲線と発光スペクトルを図 1 および 2 に示します。これらは完全なデータの一部です。 より包括的なデータについては、営業チームにお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.com.(190809)

図1 青色GaN LEDエピウエハの特性曲線

図2 青色GaN LEDウェハの発光スペクトル

Q7:LED エピスタックに関する IQE データ (IQE は LED スタックの光学性能の測定値) はありますか。この IQE データを取得することは可能ですか。取得するには追加料金を支払う必要がありますか?

答え:一般的な試験方法は常温PL試験であり、比算出効率を算出します。 IQE法は通常、科学研究機関や研究機関で使用されますが、追加料金がかかります。これは主に液体窒素環境でテストするためであり、環境が比較的特殊であるためです。

詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.