GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

製品の説明

LEDエピタキシャルウエハは、適切な温度に加熱された基板です。 LED ウェハー材料は、半導体照明業界の技術開発の基礎です。 基板材料が異なれば、必要な LED エピタキシャル ウェーハ成長技術、チップ処理技術、デバイス パッケージング技術も異なります。 LEDエピウエハー用基板は、半導体照明技術の発展路線を決定します。 エピタキシャルウェーハの価格が安く、エピウェーハの欠陥密度が小さいため、発光効率を達成するために、エピタキシャルウェーハサプライヤーはGaNベースのLEDエピタキシャルウェーハにさらに注目しています。 GaN基板上のLEDエピウェーハの利点は、高効率、大面積、単一ランプ、高出力の実現であり、これによりプロセス技術が簡素化され、大きな歩留まりが向上します。 LED エピウェーハ市場の発展見通しは楽観的です。

1. LEDウェハー一覧

As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

2. InGaN /GaN系(窒化ガリウム)ベースのLEDエピタキシャルウエハ

Al2O3-2” 上のGaNエピウェハ仕様（LED用のエピタキシャルウエハ）

1.成長技術 - MOCVD
2.Wafer直径：50.8ミリメートル
3.ウェハ基板材料: パターン化されたサファイア基板(Al2O3) またはフラットサファイア
4.Waferパターンサイズ：3X2X1.5μm

3. ウェーハ構造:

4. チップを作成するためのウェーハパラメータ:

全角	色	チップサイズ	特性	外観
PAM1023A01	ブルー	10ミルのx 23mil			照明
			VF = 2.8〜3.4V		LCDバックライト
			ポー= 18〜25MW		モバイル機器
			WD = 450〜460nmで		民生電子
PAM454501	ブルー	45milのx 45mil	VF = 2.8〜3.4V		一般照明
			ポー= 250〜300mWの		LCDバックライト
			WD = 450〜460nmで		屋外ディスプレイ

5. LEDエピタキシャルウェーハの応用：

※青色LEDエピタキシャルウェーハの詳細については、弊社営業担当までお問い合わせください。

点灯
LCDバックライト
モバイル機器
民生電子

6. 例としての LED エピウェーハの仕様:

仕様 PAM190730-LED
– サイズ: 4インチ
– WD : 455 ± 10nm
– 明るさ : > 90mcd
– VF: < 3.3V
– n-GaN 厚さ : <4.1㎛
– u-GaNの厚さ: <2.2㎛
– 基板 : パターン化されたサファイア基板 (PSS)

7.GaAs(ガリウムヒ素)ベースのLEDウェハ材料:

GaAsのLEDウェハについて、それらはMOCVDによって成長されたGaAs LEDウェハの波長以下を参照してください。
赤：585nm、615nm、620〜630nmの
イエロー：587～592nm
黄/緑：568～573nm

8. LED エピタキシャルウェーハの定義:

当社が提供するのは、ベア LED エピ ウェハ、またはリソグラフィ プロセス、n およびメタル コンタクトなどのない処理されていないウェハです。また、ナノ オプトエレクトロニクス研究などのさまざまな用途向けに、製造装置を使用して LED チップを製造できます。

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

ウェーハの仕様をLEDこれらの詳細のGaAsの場合は、以下を参照してください。LED用のGaAsエピウエハ

UV LEDウエハの仕様については、以下をご覧ください。UV LEDエピウエハ  

AlGaN UV LEDウェハ

シリコン仕様のLEDウエハについて、ご覧ください。シリコン上のLEDウェハー

ブルーGaN系LDウエハーの仕様については、以下をご覧ください。 ブルーGaN系LDウエハー

Violet GaN LD Wafer については、次のサイトをご覧ください。405nm GaNレーザーダイオードウエハー

サファイア上の GaN LED エピ

850nmおよび940nmの赤外LEDウェハー

850 ～ 880nm および 890 ～ 910nm 赤色赤外線 AlGaAs /GaAs LED エピウェーハ

630nm GaAs LEDウェハ

LEDデバイスを製造するためのGaNウェーハ

フラットまたはPSSサファイア基板上のGaN LED構造エピタキシー

LED用サファイア上でのGaNエピタキシャル成長

有機金属化学気相成長法で成長させた窒化物膜におけるV字型ピットの形成

SiベースGaN PIN光検出器の構造

その他の鋳造サービスについては、次のサイトをご覧ください。LED製造のためのGaNファウンドリーサービス