GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

PAM-XIAMEN者のGaN(窒化ガリウム)は、LED用のエピタキシャルウエハは、超高輝度青色及び緑色の発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)アプリケーションのためのものであるベース。

  • 説明

製品の説明

LEDエピタキシャルウエハは、適切な温度に加熱された基板です。 LED ウェハー材料は、半導体照明業界の技術開発の基礎です。 基板材料が異なれば、必要な LED エピタキシャル ウェーハ成長技術、チップ処理技術、デバイス パッケージング技術も異なります。 LEDエピウエハー用基板は、半導体照明技術の発展路線を決定します。 エピタキシャルウェーハの価格が安く、エピウェーハの欠陥密度が小さいため、発光効率を達成するために、エピタキシャルウェーハサプライヤーはGaNベースのLEDエピタキシャルウェーハにさらに注目しています。 GaN基板上のLEDエピウェーハの利点は、高効率、大面積、単一ランプ、高出力の実現であり、これによりプロセス技術が簡素化され、大きな歩留まりが向上します。 LED エピウェーハ市場の発展見通しは楽観的です。

1. LEDウェハー一覧

LEDエピタキシャルウエハ

アイテム サイズ オリエンテーション エミッション 波長 厚さ 基板 表面 使用可能エリア
PAM-50-LED-ブルー-F 50ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm 425um+/-25um サファイア P / L > 90%で
PAM-50-LED-ブルー-PSS 50ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm 425um+/-25um サファイア P / L > 90%で
PAM-100-LED-ブルー-F 100ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm / サファイア P / L > 90%で
PAM-100-LED-ブルー-PSS 100ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm / サファイア P / L > 90%で
PAM-150-LED-ブルー 150ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm / サファイア P / L > 90%で
PAM-100-LED-ブルー-SIL 50ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm / シリコン P / L > 90%で
PAM-100-LED-ブルー-SIL 100ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm / シリコン P / L > 90%で
PAM-150-LED-ブルー-SIL 150ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm / シリコン P / L > 90%で
PAM-200-LED-ブルー-SIL 200ミリメートル 0°±0.5° 青色光 445〜475 nm / シリコン P / L > 90%で
PAM-50-LED-グリーン-F 50ミリメートル 0°±0.5° 緑の光 510-530nm 425um+/-25um サファイア P / L > 90%で
PAM-50-LED-グリーン-PSS 50ミリメートル 0°±0.5° 緑の光 510-530nm 425um+/-25um サファイア P / L > 90%で
PAM-100-LED-グリーン-F 100ミリメートル 0°±0.5° 緑の光 510-530nm / サファイア P / L > 90%で
PAM-100-LED-グリーン-PSS 100ミリメートル 0°±0.5° 緑の光 510-530nm / サファイア P / L > 90%で
PAM-150-LED-グリーン 150ミリメートル 0°±0.5° 緑の光 510-530nm / サファイア P / L > 90%で
PAM-100-LED-RED-GAAS-620 100ミリメートル 15°±0.5° 赤信号 610-630nm / GaAsの P / L > 90%で
PAM210527-LED-660 100ミリメートル 15°±0.5° 赤信号 660nmの / GaAsの P / L > 90%で
PAM-210414-850nm-LED 100ミリメートル 15°±0.5° IR 波長850nm / GaAsの P / L > 90%で
PAMP21138-940LED 100ミリメートル 15°±0.5° IR 940nm / GaAsの P / L > 90%で
PAM-50-LED-UV-365-PSS 50ミリメートル 0°±0.5° UVA 365 nm 425um+/-25um サファイア
PAM-50-LED-UV-405-PSS 50ミリメートル 0°±0.5° UVA 405 nm 425um+/-25um サファイア
PAM-50-LED-UVC-275-PSS 50ミリメートル 0°±0.5° UVC 275nm 425um+/-25um サファイア
PAM-50-LD-UV-405-SIL 50ミリメートル 0°±0.5° 紫外 405nm / シリコン P / L > 90%で
PAM-50-LD-ブルー-450-SIL 50ミリメートル 0°±0.5° 青色光 450nm / シリコン P / L > 90%で


As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

2. InGaN /GaN系(窒化ガリウム)ベースのLEDエピタキシャルウエハ

Al2O3-2” 上のGaNエピウェハ仕様(LED用のエピタキシャルウエハ)

白色: 445~460nm
青: 465~475nm
緑色: 510~530nm

1.成長技術 - MOCVD
2.Wafer直径:50.8ミリメートル
3.ウェハ基板材料: パターン化されたサファイア基板(Al2O3) またはフラットサファイア
4.Waferパターンサイズ:3X2X1.5μm

3. ウェーハ構造:

構造層 厚さ(μm)
p型GaN 0.2
p型AlGaN 0.03
InGaN / GaNの(アクティブ領域) 0.2
n型GaN 2.5
GaN系U- 3.5
Al 2 O 3(基板) 430

 

4. チップを作成するためのウェーハパラメータ:

全角 チップサイズ 特性 外観
PAM1023A01 ブルー 10ミルのx 23mil 照明
VF = 2.8〜3.4V LCDバックライト
ポー= 18〜25MW モバイル機器
WD = 450〜460nmで 民生電子
PAM454501 ブルー 45milのx 45mil VF = 2.8〜3.4V 一般照明
ポー= 250〜300mWの LCDバックライト
WD = 450〜460nmで 屋外ディスプレイ

 

5. LEDエピタキシャルウェーハの応用:

※青色LEDエピタキシャルウェーハの詳細については、弊社営業担当までお問い合わせください。

点灯
LCDバックライト
モバイル機器
民生電子

6. 例としての LED エピウェーハの仕様:

仕様 PAM190730-LED
– サイズ: 4インチ
– WD : 455 ± 10nm
– 明るさ : > 90mcd
– VF: < 3.3V
– n-GaN 厚さ : <4.1㎛
– u-GaNの厚さ: <2.2㎛
– 基板 : パターン化されたサファイア基板 (PSS)

7.GaAs(ガリウムヒ素)ベースのLEDウェハ材料:

GaAsのLEDウェハについて、それらはMOCVDによって成長されたGaAs LEDウェハの波長以下を参照してください。
赤:585nm、615nm、620〜630nmの
イエロー:587~592nm
黄/緑:568~573nm

8. LED エピタキシャルウェーハの定義:

当社が提供するのは、ベア LED エピ ウェハ、またはリソグラフィ プロセス、n およびメタル コンタクトなどのない処理されていないウェハです。また、ナノ オプトエレクトロニクス研究などのさまざまな用途向けに、製造装置を使用して LED チップを製造できます。

 

述べる:
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料(GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど)およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日より、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解とご協力をお願いいたします。

ウェーハの仕様をLEDこれらの詳細のGaAsの場合は、以下を参照してください。LED用のGaAsエピウエハ

UV LEDウエハの仕様については、以下をご覧ください。UV LEDエピウエハ  

AlGaN UV LEDウェハ

シリコン仕様のLEDウエハについて、ご覧ください。シリコン上のLEDウェハー

ブルーGaN系LDウエハーの仕様については、以下をご覧ください。 ブルーGaN系LDウエハー

Violet GaN LD Wafer については、次のサイトをご覧ください。405nm GaNレーザーダイオードウエハー

サファイア上の GaN LED エピ

850nmおよび940nmの赤外LEDウェハー

850 ~ 880nm および 890 ~ 910nm 赤色赤外線 AlGaAs /GaAs LED エピウェーハ

630nm GaAs LEDウェハ

LEDデバイスを製造するためのGaNウェーハ

フラットまたはPSSサファイア基板上のGaN LED構造エピタキシー

LED用サファイア上でのGaNエピタキシャル成長

有機金属化学気相成長法で成長させた窒化物膜におけるV字型ピットの形成

SiベースGaN PIN光検出器の構造

その他の鋳造サービスについては、次のサイトをご覧ください。LED製造のためのGaNファウンドリーサービス

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