GANベースのLEDエピタキシャルウェーハ
Pam-Xiamen's Gan（Nitride Gallium）ベースのLEDエピタキシャルウェーハは、超高輝度青と緑色の光発射ダイオード（LED）およびレーザーダイオード（LD）アプリケーションを対象としています。
- 説明
説明
LEDエピタキシャルウェーハは、適切な温度に加熱された基質です。 LEDウェーハ材料は、半導体照明業界の技術開発の基礎です。異なる基質材料には、異なるLEDエピタキシャルウェーハ成長技術、チップ処理技術、デバイスパッケージングテクノロジーが必要です。 LED EPIウェーハの基質は、半導体照明技術の開発経路を決定します。明るい効率を達成するために、エピタキシャルウェーハのサプライヤーは、エピタキシャルウェーハの価格が低コストであり、EPIウェーハの欠陥密度が少ないため、GANベースのLEDエピタキシャルウェーハにより多くの注意を払います。 GAN基板上のLED EPIウェーハの優位性は、高効率、広い面積、シングルランプ、高出力の実現であり、プロセステクノロジーが大きな降伏率を簡素化および改善します。 LED EPIウェーハ市場の開発見通しは楽観的です。
1. LEDウェハー一覧
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LEDエピタキシャルウエハ |
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| アイテム | サイズ | オリエンテーション | エミッション | 波長 | 厚さ | 基板 | 表面 | 使用可能エリア |
| PAM-50-LED-ブルー-F | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | 425um+/-25um | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LED-ブルー-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | 425um+/-25um | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-ブルー-F | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-ブルー-PSS | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-150-LED-ブルー | 150ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-ブルー-SIL | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-ブルー-SIL | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-150-LED-ブルー-SIL | 150ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-200-LED-ブルー-SIL | 200ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LED-グリーン-F | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | 425um+/-25um | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LED-グリーン-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | 425um+/-25um | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-グリーン-F | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-グリーン-PSS | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-150-LED-グリーン | 150ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-RED-GAAS-620 | 100ミリメートル | 15°±0.5° | 赤信号 | 610-630nm | / | GaAsの | P / L | > 90％で |
| PAM210527-LED-660 | 100ミリメートル | 15°±0.5° | 赤信号 | 660nmの | / | GaAsの | P / L | > 90％で |
| PAM-210414-850nm-LED | 100ミリメートル | 15°±0.5° | IR | 波長850nm | / | GaAsの | P / L | > 90％で |
| PAMP21138-940LED | 100ミリメートル | 15°±0.5° | IR | 940nm | / | GaAsの | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | UVA | 365 nm | 425um+/-25um | サファイア | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | UVA | 405 nm | 425um+/-25um | サファイア | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | UVC | 275nm | 425um+/-25um | サファイア | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 紫外 | 405nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LD-ブルー-450-SIL | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 450nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
LEDエピタキシャルウェーハメーカーとして、PAM-Xiamenは、マイクロLEDまたは超薄いウェーハまたはUV LEDの研究またはLEDメーカーなど、LEDおよびレーザーダイオード（LD）アプリケーション用の活性化および無活性化GAN EPI LEDウェーハを提供できます。 GANのLEDエピタキシャルウェーハは、LCDバックライト、モバイル、電子またはUV（紫外線）のためにPSSまたはフラットサファイアを使用してMOCVDによって成長し、青または緑または赤排出を備えた、インガン/ガンアクティブエリア、および異なるチップサイズのためにGANウェル/アルガンバリアを含むアルガン層を含む。
2. InGaN /GaN系（窒化ガリウム）ベースのLEDエピタキシャルウェーハ
gan on al2o3-2” epi wafer仕様（ledエピタキシャルウェーハ）
| 白色： 445～460nm |
| 青： 465～475nm |
| 緑色： 510～530nm |
1. 成長技術 – MOCVD
2.ウェーハ直径: 50.8mm
3.ウェーファー基板材料：パターン化されたサファイア基板（AL2O3）またはフラットサファイア
4.ウェーハパターンサイズ：3x2x1.5μm
3. ウェーハ構造:
| 構造層 | 厚さ(μm) |
| p型GaN | 0.2 |
| p型AlGaN | 0.03 |
| InGaN/GaN(アクティブエリア) | 0.2 |
| n型GaN | 2.5 |
| GaN系U- | 3.5 |
| Al2O3（基板） | 430 |
4.チップを作成するためのウェーハパラメーター：
| 全角 | 色 | チップサイズ | 特徴 | 外観 | |
| PAM1023A01 | ブルー | 10ミル×23ミル |  |
照明 | |
| Vf=2.8～3.4V | 液晶バックライト | ||||
| Po = 18～25mW | モバイル家電 | ||||
| Wd = 450~460nm | 家庭用電化製品 | ||||
| PAM454501 | ブルー | 45ミル×45ミル | Vf=2.8～3.4V |  |
一般照明 |
| Po = 250～300mW | 液晶バックライト | ||||
| Wd = 450~460nm | 屋外展示 |
5。LED Etitaixal Waferの適用：
*ブルーLEDエピタキシャルウェーハの詳細情報を知る必要がある場合は、当社の販売部門に連絡してください
点灯
液晶バックライト
モバイル家電
家庭用電化製品
6。例として、LED EPI Waferの仕様：
仕様 PAM190730-LED
– サイズ: 4インチ
– WD : 455 ± 10nm
– 明るさ : > 90mcd
– VF: < 3.3V
– n-GaN 厚さ : <4.1㎛
– u-GaNの厚さ: <2.2㎛
- 基板：パターン化されたサファイア基板（PSS）
7.Gaas（Gallium arsenide）ベースのLEDウェーハ材料：
GAAS LEDウェーハについては、MOCVDによって栽培されています。GaASLEDウェーハの波長を参照してください。
赤：585nm、615nm、620～630nm
イエロー：587～592nm
黄/緑：568～573nm
8。LEDエピタキシャルウェーハの定義：
私たちが提供しているのは、リソグラフィプロセス、Nおよび金属の接点などなしでは、裸のLED EPIウェーハまたは加工されていないウェーハであり、Nano Optoelectronics Researchなどのさまざまな用途に製造装置を使用してLEDチップを製造できます。
述べる：
中国政府は、ガリウム材料の輸出に関する新しい制限（GAAS、GAN、GA2O3、GAP、INGAAS、GASBなど）と、半導体チップの製造に使用されるゲルマニウム材料を発表しました。 2023年8月1日から、これらの材料の輸出は、中国商務省からライセンスを取得した場合にのみ許可されます。あなたの理解と協力を願っています！
これらの詳細については、GAAS LEDウェーハ仕様については、ご覧ください。LED用GaAsエピウエハ
UV LEDウェーハの仕様については、ご覧ください。UV LEDエピウエハ
シリコンスペックのLEDウェーハについては、ご覧ください。シリコン上のLEDウェハー
Blue Gan LD Wafer仕様については、ご覧ください。青色GaN LDウェハ
Violet Gan LD Waferについては、ご覧ください。405nm GaNレーザーダイオードウエハー
850nm and 940nm infrared LED wafer
850-880nm and 890-910nm Red Infrared AlGaAs /GaAs LED Epi-Wafer
GaN Wafers to Fabricate LED Devices
GaN LED Structure Epitaxy on Flat or PSS Sapphire Substrate
GaN Epitaxial Growth on Sapphire for LED
Formation of V-Shaped Pits in Nitride Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Si-based GaN PIN Photodetector Structure
For more foundry services, please visit: GaN Foundry Services for LED Fabrication
