自立GaN基板
PAM-アモイUHB-LEDおよびLDのためのものである(窒化ガリウム)GaN基板ウエハを、自立するための製造技術を確立しました。 ハイドライド気相エピタキシー(HVPE)技術によって成長させ、我々のGaN基板は、低欠陥密度を有します。
- 説明
製品の説明
自立GaN基板
As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrate wafer which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN基板 for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.
自立GaN基板の仕様
ここでは詳細な仕様を示しています。
4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
アイテム | PAM-FS-GaN100-N+ |
伝導型 | N type/Si doped |
サイズ | 4″(100)+/-1mm |
厚さ | 480+/-50 |
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o |
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o |
プライマリフラット長 | 32+/-1mm |
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o |
セカンダリフラット長 | 18+/-1mm |
抵抗率(300K) | <0.05Ω·cm |
転位密度 | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
弓 | <=+/-30um |
表面仕上げ | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
使用可能エリア | ≥ 90 % |
4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
アイテム | PAM-FS-GaN100-N- |
伝導型 | N type/undoped |
サイズ | 4″(100)+/-1mm |
厚さ | 480+/-50 |
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o |
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o |
プライマリフラット長 | 32+/-1mm |
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o |
セカンダリフラット長 | 18+/-1mm |
抵抗率(300K) | <0.5Ω・cmで |
転位密度 | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
弓 | <=+/-30um |
表面仕上げ | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
使用可能エリア | ≥ 90 % |
4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
アイテム | PAM-FS-GaN100-SI |
伝導型 | Semi-Insulating |
サイズ | 4″(100)+/-1mm |
厚さ | 480+/-50 |
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o |
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o |
プライマリフラット長 | 32+/-1mm |
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o |
セカンダリフラット長 | 18+/-1mm |
抵抗率(300K) | >10^6Ω·cm |
転位密度 | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
弓 | <=+/-30um |
表面仕上げ | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
使用可能エリア | ≥ 90 % |
2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
アイテム | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
伝導型 | N type/Si doped | |||
サイズ | 2」(50.8)+/- 1ミリメートル | |||
厚さ | 400+/-50 | |||
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o | |||
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o | |||
プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル | |||
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o | |||
セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル | |||
抵抗率(300K) | <0.05Ω·cm | |||
転位密度 | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <=100arc.sec | |||
TTV | <=15μmから | |||
弓 | <=+/-20um | |||
表面仕上げ | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | |||
Back Surface:1.Fine ground | ||||
2.Polished. | ||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
アイテム | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
伝導型 | N type/undoped | ||||
サイズ | 2」(50.8)+/- 1ミリメートル | ||||
厚さ | 400+/-50 | ||||
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o | ||||
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o | ||||
プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル | ||||
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o | ||||
セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル | ||||
抵抗率(300K) | <0.5Ω・cmで | ||||
転位密度 | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <=15μmから | ||||
弓 | <=+/-20um | ||||
表面仕上げ | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
アイテム | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
伝導型 | Semi-Insulating | ||||
サイズ | 2」(50.8)+/- 1ミリメートル | ||||
厚さ | 400+/-50 | ||||
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o | ||||
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o | ||||
プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル | ||||
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o | ||||
セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル | ||||
抵抗率(300K) | >10^6Ω·cm | ||||
転位密度 | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <=15μmから | ||||
弓 | <=+/-20um | ||||
表面仕上げ | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
15ミリメートル、10ミリメートル、5ミリメートルフリースタンディングGaN系基板
アイテム | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
伝導型 | N型 | 半絶縁性 | |
サイズ | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
厚さ | 330-450um | ||
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o | ||
プライマリフラット場所 | |||
プライマリフラット長 | |||
セカンダリフラット場所 | |||
セカンダリフラット長 | |||
抵抗率(300K) | <0.5Ω・cmで | >106Ω・cmで | |
転位密度 | <5x106cm-2 | ||
マルコ欠陥密度 | 0cm-2 | ||
TTV | <=15μmから | ||
弓 | <= 20umの | ||
表面仕上げ | 前面:磨かRA <0.2nm.Epi対応 | ||
裏面:1.Fineグラウンド | |||
2.Roughはすっ | |||
使用可能エリア | ≥90% |
注:
Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate
窒化ガリウム基板の応用
固体照明は:GaNデバイスは、超高輝度発光ダイオード(LED)、テレビ、自動車、一般照明として使用されます
DVD Storage: Blue laser diodes
Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites
Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth
ワイヤレス基地局:RFパワートランジスタ
ワイヤレスブロードバンドアクセス:高周波MMICの、RF-回路のMMICの
圧力センサー:MEMS
熱センサー:パイロ電気検出器
Powerコンディショニング:混合信号のGaN / Siの統合
カーエレクトロニクス:高温エレクトロニクス
送電線:高電圧エレクトロニクス
フレームセンサー:UV検出器
Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride
太陽電池材料を作成するための完璧な(InGaN系)の合金。 このため有利で、GaN基板上に成長させたInGaN太陽電池は、GaN基板ウェーハのための最も重要な新しいアプリケーションや成長市場の一つになろうとしています。
HEMT、FETのための理想