自立GaN基板

製品の説明

自立GaN基板

PAM-XIAMENはGaN基板のトップサプライヤーとして、自立型（窒化ガリウム）の製造技術を確立しました。GaN基板ウエハこれは、UHB-LED、LD、および MOS ベースのデバイスの製造用のバルク GaN 基板です。 水素化物気相エピタキシー (HVPE) 技術によって成長した当社のGaN基板III族窒化物デバイスの場合、欠陥密度が低く、マクロ欠陥密度が少ないかまったくありません。 GaN基板の厚さは330～530μmです。

GaN LED基板は電気特性が向上し、その性能が現在のデバイスを上回るため、パワーデバイスに加えて、窒化ガリウム半導体基板が白色光LEDの製造に使用されることが増えています。 さらに、窒化ガリウム基板技術の急速な発展により、欠陥密度が低く、マクロ欠陥密度が少ない高効率のGaN自立基板が開発されました。 したがって、このようなGaN基板は白色LEDにますます使用される可能性があります。 その結果、バルクGaN基板市場は急速に成長しています。 ちなみに、バルク GaN ウェーハは、垂直パワーデバイスのコンセプトをテストするために使用できます。

1. Specification of Freestanding GaN substrate

 ここでは詳細な仕様を示しています。

1.1 4″ N type Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.2 4″ N Type Low Doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.3 4″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.4 2″ Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.5 2″ Low doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.6 2″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.7 15mm,10mm,5mm フリースタンディングGaN系基板

注：

検証ウェーハ:使用の利便性を考慮して、PAM-XIAMEN は 2 インチ未満のサイズの自立型 GaN 基板用の 2 インチのサファイア検証ウェハを提供しています

2. Properties of Freestanding GaN Substrate

3. Application of GaN Substrate

固体照明は：GaNデバイスは、超高輝度発光ダイオード（LED）、テレビ、自動車、一般照明として使用されます

DVD ストレージ: 青色レーザー ダイオード

パワーデバイス: GaNバルク基板上に製造されたデバイスは、携帯電話基地局、衛星、パワーアンプ、電気自動車(EV)やハイブリッド電気自動車(HEV)用のインバータ/コンバータなどの大電力および高周波パワーエレクトロニクスのさまざまなコンポーネントとして使用されます。 ）。 GaN は (他の III 族窒化物と同様に) 電離放射線に対する感度が低いため、衛星用の太陽電池アレイや、通信、気象、監視衛星用の高出力高周波デバイスなどの宇宙搭載用途に適した材料となっています。

純粋な窒化ガリウム基板 IIII族窒化物の再成長に関する取引

ワイヤレス基地局：RFパワートランジスタ

ワイヤレスブロードバンドアクセス：高周波MMICの、RF-回路のMMICの

圧力センサー：MEMS

熱センサー：パイロ電気検出器

Powerコンディショニング：混合信号のGaN / Siの統合

カーエレクトロニクス：高温エレクトロニクス

送電線：高電圧エレクトロニクス

フレームセンサー：UV検出器

太陽電池: GaN の広いバンドギャップは、0.65 eV から 3.4 eV の太陽スペクトル (実質的に太陽スペクトル全体) をカバーし、窒化インジウム ガリウムを形成します。

太陽電池材料を作成するための完璧な（InGaN系）の合金。 このため有利で、GaN基板上に成長させたInGaN太陽電池は、GaN基板ウェーハのための最も重要な新しいアプリケーションや成長市場の一つになろうとしています。

HEMT、FETのための理想

GaN ショットキー ダイオード プロジェクト: HVPE で成長させた n 型および p 型の自立窒化ガリウム (GaN) 層上に製造されたショットキー ダイオードのカスタム仕様を受け入れます。

両方の接点 (オーム接点とショットキー接点) は、Al/Ti および Pd/Ti/Au を使用して上面に堆積されました。

述べる：
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料（GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど）およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日より、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解とご協力をお願いいたします。