自立GaN基板
PAM-アモイUHB-LEDおよびLDのためのものである(窒化ガリウム)GaN基板ウエハを、自立するための製造技術を確立しました。 ハイドライド気相エピタキシー(HVPE)技術によって成長させ、我々のGaN基板は、低欠陥密度を有します。
- 説明
製品の説明
自立GaN基板
PAM-XIAMENはGaN基板のトップサプライヤーとして、自立型(窒化ガリウム)の製造技術を確立しました。GaN基板ウエハこれは、UHB-LED、LD、および MOS ベースのデバイスの製造用のバルク GaN 基板です。 水素化物気相エピタキシー (HVPE) 技術によって成長した当社のGaN基板III族窒化物デバイスの場合、欠陥密度が低く、マクロ欠陥密度が少ないかまったくありません。 GaN基板の厚さは330~530μmです。
GaN LED基板は電気特性が向上し、その性能が現在のデバイスを上回るため、パワーデバイスに加えて、窒化ガリウム半導体基板が白色光LEDの製造に使用されることが増えています。 さらに、窒化ガリウム基板技術の急速な発展により、欠陥密度が低く、マクロ欠陥密度が少ない高効率のGaN自立基板が開発されました。 したがって、このようなGaN基板は白色LEDにますます使用される可能性があります。 その結果、バルクGaN基板市場は急速に成長しています。 ちなみに、バルク GaN ウェーハは、垂直パワーデバイスのコンセプトをテストするために使用できます。
自立GaN基板の仕様
ここでは詳細な仕様を示しています。
4インチN型SiドープGaN(窒化ガリウム)自立基板
アイテム | PAM-FS-GaN100-N+ |
伝導型 | N型/Siドープ |
サイズ | 4インチ(100)+/-1mm |
厚さ | 480 +/- 50 |
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o |
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o |
プライマリフラット長 | 32 +/- 1mm |
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o |
セカンダリフラット長 | 18+/-1mm |
抵抗率(300K) | <0.05Ω・cmで |
転位密度 | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100 秒角 |
TTV | <= 30um |
弓 | <= +/- 30um |
表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み |
— | 裏面:1.細かい研磨 |
— | 2.研磨。 |
使用可能エリア | ≥ 90% |
4″ N Type Low Doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
アイテム | PAM-FS-GaN100-N- |
伝導型 | N type |
サイズ | 4インチ(100)+/-1mm |
厚さ | 480 +/- 50 |
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o |
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o |
プライマリフラット長 | 32 +/- 1mm |
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o |
セカンダリフラット長 | 18+/-1mm |
抵抗率(300K) | <0.5Ω・cmで |
転位密度 | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100 秒角 |
TTV | <= 30um |
弓 | <= +/- 30um |
表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み |
— | 裏面:1.細かい研磨 |
— | 2.研磨。 |
使用可能エリア | ≥ 90% |
4インチ半絶縁性GaN(窒化ガリウム)自立基板
アイテム | PAM-FS-GaN100-SI |
伝導型 | 半絶縁 |
サイズ | 4インチ(100)+/-1mm |
厚さ | 480 +/- 50 |
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o |
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o |
プライマリフラット長 | 32 +/- 1mm |
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o |
セカンダリフラット長 | 18+/-1mm |
抵抗率(300K) | > 10 ^6Ω・cm |
転位密度 | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100 秒角 |
TTV | <= 30um |
弓 | <= +/- 30um |
表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み |
— | 裏面:1.細かい研磨 |
— | 2.研磨。 |
使用可能エリア | ≥ 90% |
2インチSiドープGaN(窒化ガリウム)自立基板
アイテム | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
伝導型 | N型/Siドープ | |||
サイズ | 2」(50.8)+/- 1ミリメートル | |||
厚さ | 400 +/- 50 | |||
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o | |||
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o | |||
プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル | |||
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o | |||
セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル | |||
抵抗率(300K) | <0.05Ω・cmで | |||
転位密度 | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <=100 秒角 | |||
TTV | <=15μmから | |||
弓 | <= +/- 20um | |||
表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み | |||
裏面:1.細かい研磨 | ||||
2.研磨。 | ||||
使用可能領域 | ≥ 90% |
2″ Low doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
アイテム | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
伝導型 | N type | ||||
サイズ | 2」(50.8)+/- 1ミリメートル | ||||
厚さ | 400 +/- 50 | ||||
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o | ||||
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o | ||||
プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル | ||||
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o | ||||
セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル | ||||
抵抗率(300K) | <0.5Ω・cmで | ||||
転位密度 | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100 秒角 | ||||
TTV | <=15μmから | ||||
弓 | <= +/- 20um | ||||
表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み | ||||
裏面:1.細かい研磨 | |||||
2.研磨。 | |||||
使用可能領域 | ≥ 90% |
2インチ半絶縁性GaN(窒化ガリウム)自立基板
アイテム | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
伝導型 | 半絶縁 | ||||
サイズ | 2」(50.8)+/- 1ミリメートル | ||||
厚さ | 400 +/- 50 | ||||
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o | ||||
プライマリフラット場所 | (10-10)+/-0.5o | ||||
プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル | ||||
セカンダリフラット場所 | (1-210)+/-3o | ||||
セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル | ||||
抵抗率(300K) | > 10 ^6Ω・cm | ||||
転位密度 | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100 秒角 | ||||
TTV | <=15μmから | ||||
弓 | <= +/- 20um | ||||
表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み | ||||
裏面:1.細かい研磨 | |||||
2.研磨。 | |||||
使用可能領域 | ≥ 90% |
15ミリメートル、10ミリメートル、5ミリメートルフリースタンディングGaN系基板
アイテム | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
伝導型 | N型 | 半絶縁性 | |
サイズ | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
厚さ | 330-450um | ||
方向付け | C軸(0001)+/- 0.5o | ||
プライマリフラット場所 | |||
プライマリフラット長 | |||
セカンダリフラット場所 | |||
セカンダリフラット長 | |||
抵抗率(300K) | <0.5Ω・cmで | >106Ω・cmで | |
転位密度 | <5x106cm-2 | ||
マルコ欠陥密度 | 0cm-2 | ||
TTV | <=15μmから | ||
弓 | <= 20umの | ||
表面仕上げ | 前面:磨かRA <0.2nm.Epi対応 | ||
裏面:1.Fineグラウンド | |||
2.Roughはすっ | |||
使用可能エリア | ≥90% |
注:
検証ウェーハ:使用の利便性を考慮して、PAM-XIAMEN は 2 インチ未満のサイズの自立型 GaN 基板用の 2 インチのサファイア検証ウェハを提供しています
窒化ガリウム基板の応用
固体照明は:GaNデバイスは、超高輝度発光ダイオード(LED)、テレビ、自動車、一般照明として使用されます
DVD ストレージ: 青色レーザー ダイオード
パワーデバイス: GaNバルク基板上に製造されたデバイスは、携帯電話基地局、衛星、パワーアンプ、電気自動車(EV)やハイブリッド電気自動車(HEV)用のインバータ/コンバータなどの大電力および高周波パワーエレクトロニクスのさまざまなコンポーネントとして使用されます。 )。 GaN は (他の III 族窒化物と同様に) 電離放射線に対する感度が低いため、衛星用の太陽電池アレイや、通信、気象、監視衛星用の高出力高周波デバイスなどの宇宙搭載用途に適した材料となっています。
純粋な窒化ガリウム基板 IIII族窒化物の再成長に関する取引
ワイヤレス基地局:RFパワートランジスタ
ワイヤレスブロードバンドアクセス:高周波MMICの、RF-回路のMMICの
圧力センサー:MEMS
熱センサー:パイロ電気検出器
Powerコンディショニング:混合信号のGaN / Siの統合
カーエレクトロニクス:高温エレクトロニクス
送電線:高電圧エレクトロニクス
フレームセンサー:UV検出器
太陽電池: GaN の広いバンドギャップは、0.65 eV から 3.4 eV の太陽スペクトル (実質的に太陽スペクトル全体) をカバーし、窒化インジウム ガリウムを形成します。
太陽電池材料を作成するための完璧な(InGaN系)の合金。 このため有利で、GaN基板上に成長させたInGaN太陽電池は、GaN基板ウェーハのための最も重要な新しいアプリケーションや成長市場の一つになろうとしています。
HEMT、FETのための理想
GaN ショットキー ダイオード プロジェクト: HVPE で成長させた n 型および p 型の自立窒化ガリウム (GaN) 層上に製造されたショットキー ダイオードのカスタム仕様を受け入れます。
両方の接点 (オーム接点とショットキー接点) は、Al/Ti および Pd/Ti/Au を使用して上面に堆積されました。
述べる:
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料(GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど)およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日より、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解とご協力をお願いいたします。