Freestanding GaN substrate
PAM-XIAMENは、UHB-LEDおよびLD用の自立型（窒化ガリウム）GaN基板ウェハの製造技術を確立しました。水素化物気相エピタキシー (HVPE) 技術によって成長した当社の GaN 基板は欠陥密度が低くなります。
- Description
説明
自立GaN基板
PAM-XIAMENはGaN基板のトップサプライヤーとして、自立型（窒化ガリウム）の製造技術を確立しました。GaN基板ウエハ which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN substrate for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
GaN LED基板は電気特性が向上し、その性能が現在のデバイスを上回るため、パワーデバイスに加えて、窒化ガリウム半導体基板が白色光LEDの製造に使用されることが増えています。さらに、窒化ガリウム基板技術の急速な発展により、欠陥密度が低く、マクロ欠陥密度が少ない高効率のGaN自立基板が開発されました。したがって、このようなGaN基板は白色LEDにますます使用される可能性があります。その結果、バルクGaN基板市場は急速に成長しています。ちなみに、バルク GaN ウェーハは、垂直パワーデバイスのコンセプトをテストするために使用できます。
1. GaN自立基板の仕様
詳細な仕様を次に示します。
1.1 4インチ N型SiドープGaN（窒化ガリウム）自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN100-N+ |
| 伝導型 | N型/Siドープ |
| サイズ | 4インチ(100)+/-1mm |
| 厚さ | 480 +/- 50 |
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5o |
| 主要なフラットの場所 | (10-10)+/-0.5o |
| 一次平坦長さ | 32 +/- 1mm |
| 二次フラット位置 | (1-210)+/-3o |
| 二次平坦長さ | 18+/-1mm |
| 比抵抗(300K) | <0.05Ω・cmで |
| 転位密度 | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100 秒角 |
| TTV | <= 30um |
| 弓 | <= +/- 30um |
| 表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み |
| — | 裏面:1.細かい研磨 |
| — | 2.研磨。 |
| 使用可能領域 | ≥ 90% |
1.2 4インチ N型低ドープGaN（窒化ガリウム）自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN100-N- |
| 伝導型 | Nタイプ |
| サイズ | 4インチ(100)+/-1mm |
| 厚さ | 480 +/- 50 |
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5o |
| 主要なフラットの場所 | (10-10)+/-0.5o |
| 一次平坦長さ | 32 +/- 1mm |
| 二次フラット位置 | (1-210)+/-3o |
| 二次平坦長さ | 18+/-1mm |
| 比抵抗(300K) | <0.5Ω・cmで |
| 転位密度 | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100 秒角 |
| TTV | <= 30um |
| 弓 | <= +/- 30um |
| 表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み |
| — | 裏面:1.細かい研磨 |
| — | 2.研磨。 |
| 使用可能領域 | ≥ 90% |
1.3 4インチ半絶縁性GaN（窒化ガリウム）自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN100-SI |
| 伝導型 | 半絶縁 |
| サイズ | 4インチ(100)+/-1mm |
| 厚さ | 480 +/- 50 |
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5o |
| 主要なフラットの場所 | (10-10)+/-0.5o |
| 一次平坦長さ | 32 +/- 1mm |
| 二次フラット位置 | (1-210)+/-3o |
| 二次平坦長さ | 18+/-1mm |
| 比抵抗(300K) | > 10 ^6Ω・cm |
| 転位密度 | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100 秒角 |
| TTV | <= 30um |
| 弓 | <= +/- 30um |
| 表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み |
| — | 裏面:1.細かい研磨 |
| — | 2.研磨。 |
| 使用可能領域 | ≥ 90% |
1.4 2インチ SiドープGaN（窒化ガリウム）自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
| 伝導型 | N型/Siドープ | |||
| サイズ | 2インチ(50.8)+/-1mm | |||
| 厚さ | 400 +/- 50 | |||
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5o | |||
| 主要なフラットの場所 | (10-10)+/-0.5o | |||
| 一次平坦長さ | 16 +/- 1ミリメートル | |||
| 二次フラット位置 | (1-210)+/-3o | |||
| 二次平坦長さ | 8 +/- 1ミリメートル | |||
| 比抵抗(300K) | <0.05Ω・cmで | |||
| 転位密度 | <5x106cm-2 | |||
| FWHM | <=100 秒角 | |||
| TTV | <=15μmから | |||
| 弓 | <= +/- 20um | |||
| 表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み | |||
| 裏面:1.細かい研磨 | ||||
| 2.研磨。 | ||||
| 使用可能領域 | ≥ 90% | |||
1.5 2インチ低ドープGaN（窒化ガリウム）自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
| 伝導型 | Nタイプ | ||||
| サイズ | 2インチ(50.8)+/-1mm | ||||
| 厚さ | 400 +/- 50 | ||||
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5o | ||||
| 主要なフラットの場所 | (10-10)+/-0.5o | ||||
| 一次平坦長さ | 16 +/- 1ミリメートル | ||||
| 二次フラット位置 | (1-210)+/-3o | ||||
| 二次平坦長さ | 8 +/- 1ミリメートル | ||||
| 比抵抗(300K) | <0.5Ω・cmで | ||||
| 転位密度 | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100 秒角 | ||||
| TTV | <=15μmから | ||||
| 弓 | <= +/- 20um | ||||
| 表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み | ||||
| 裏面:1.細かい研磨 | |||||
| 2.研磨。 | |||||
| 使用可能領域 | ≥ 90% | ||||
1.6 2インチ半絶縁性GaN（窒化ガリウム）自立基板
| アイテム | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
| 伝導型 | 半絶縁 | ||||
| サイズ | 2インチ(50.8)+/-1mm | ||||
| 厚さ | 400 +/- 50 | ||||
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5o | ||||
| 主要なフラットの場所 | (10-10)+/-0.5o | ||||
| 一次平坦長さ | 16 +/- 1ミリメートル | ||||
| 二次フラット位置 | (1-210)+/-3o | ||||
| 二次平坦長さ | 8 +/- 1ミリメートル | ||||
| 比抵抗(300K) | > 10 ^6Ω・cm | ||||
| 転位密度 | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100 秒角 | ||||
| TTV | <=15μmから | ||||
| 弓 | <= +/- 20um | ||||
| 表面仕上げ | 前面:Ra<=0.3nm。エピ対応研磨済み | ||||
| 裏面:1.細かい研磨 | |||||
| 2.研磨。 | |||||
| 使用可能領域 | ≥ 90% | ||||
1.7 15mm、10mm、5mm自立式GaN基板
| アイテム | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
| PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
| PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
| 伝導型 | N型 | 半絶縁 | |
| サイズ | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
| 厚さ | 330-450um | ||
| オリエンテーション | C軸(0001)+/-0.5o | ||
| 主要なフラットの場所 | |||
| 一次平坦長さ | |||
| 二次フラット位置 | |||
| 二次平坦長さ | |||
| 比抵抗(300K) | <0.5Ω・cmで | >106Ω・cmで | |
| 転位密度 | <5x106cm-2 | ||
| マルコ欠陥密度 | 0cm-2 | ||
| TTV | <=15μmから | ||
| 弓 | <= 20umの | ||
| 表面仕上げ | 前面:Ra<0.2nm。エピ対応研磨済み | ||
| 裏面:1.細かい研磨 | |||
| 2.粗研磨 | |||
| 使用可能領域 | ≥90％ | ||
注：
検証ウェーハ:使用の利便性を考慮して、PAM-XIAMEN は 2 インチ未満のサイズの自立型 GaN 基板用の 2 インチのサファイア検証ウェハを提供しています
2. GaN自立基板の特性
| 格子パラメータ | a=0.3189nm; c=0.5185nm |
| バンドギャップ | 3.39eV |
| 密度 | 6.15g/cm3 |
| サーム。 膨張係数 | a：5.59×10-6/K; c：3.17×10-6/ K |
| 屈折率 | 2.33-2.7 |
| 誘電率 | 9.5 |
| 熱伝導率 | 1.3W/(cm*k) |
| 破壊電界 | 3.3MV/cm |
| 飽和ドリフト速度 | 2.5E7cm/秒 |
| 電子移動度 | 1300cm2/(V*s) |
3. GaN基板の応用
ソリッドステート照明:GaNデバイスは超高輝度発光ダイオード(LED)、テレビ、自動車、一般照明として使用されます。
DVD ストレージ: 青色レーザー ダイオード
パワーデバイス: GaNバルク基板上に製造されたデバイスは、携帯電話基地局、衛星、パワーアンプ、電気自動車(EV)およびハイブリッド電気自動車(HEV)用のインバータ/コンバータなどの高出力および高周波パワーエレクトロニクスのさまざまなコンポーネントとして使用されます。 ）。 GaN は（他の III 族窒化物と同様に）電離放射線に対する感度が低いため、衛星用の太陽電池アレイや、通信、気象、監視衛星用の高出力高周波デバイスなどの宇宙搭載用途に適した材料です。
純粋な窒化ガリウム基板 IIII族窒化物の再成長に関する取引
無線基地局: RF パワートランジスタ
ワイヤレス ブロードバンド アクセス: 高周波 MMIC、RF 回路 MMIC
圧力センサー:MEMS
熱センサー: 焦電型検出器
Pパワーコンディショニング: 混合信号 GaN/Si 統合
カーエレクトロニクス: 高温エレクトロニクス
送電線: 高電圧エレクトロニクス
フレームセンサー: UV 検出器
太陽電池: GaN の広いバンドギャップは、0.65 eV から 3.4 eV の太陽スペクトル (実質的に太陽スペクトル全体) をカバーし、窒化インジウム ガリウムを形成します。
(InGaN) 合金は太陽電池材料の作成に最適です。この利点により、GaN 基板上に成長させた InGaN 太陽電池は、GaN 基板ウェーハの最も重要な新しい用途および成長市場の 1 つとなる準備が整っています。
HEMT、FETに最適
GaN ショットキー ダイオード プロジェクト: HVPE で成長させた n 型および p 型の自立窒化ガリウム (GaN) 層上に製造されたショットキー ダイオードのカスタム仕様を受け入れます。
両方の接点 (オーム接点とショットキー接点) は、Al/Ti および Pd/Ti/Au を使用して上面に堆積されました。
述べる：
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料（GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど）およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表した。 2023 年 8 月 1 日より、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。ご理解とご協力をお願いいたします。
