LEDデバイスを製造するGan Wafers
LEDウェーハメーカーの1人であるPam-Xiamenは、LEDデバイスを製造するためのGan Waferを提供しています。サファイア基板上にインガンMQWSを備えたGan EPI構造、そして青または緑色の放出になる可能性があります：
1。LEDデバイス用のGan Weferの仕様
no1。 PAM200614-GAN-LED
サイズ：2インチ
WD：455±10nm
明るさ：> 90mcd
VF：<3.3V
N-Ganの厚さ：<4.1〜
Uガンの厚さ：<2.2〜
基板：パターン化されたサファイア基板（PSS）
p-roughnessなし
伊藤なし
シングルサイドポリッシュ
インガン/gan Quantum wellを使用したサファイアウェーハの青いLED構造
| p型GaN | メサエッチング深さ：〜10,000a |
| InGaN MQW | |
| ESD保護層（-06μm） | — |
| N-Gan（〜4μm） | — |
| u-gan（〜2μm） | — |
| サファイア（430μm） | — |
No.2 Gan/Algan/Algan Stacked Multilayers on Sapphire基板（PAM170107-GOS）
| 構成 | 厚さ |
| n-sigan | – |
| n-algan | 30nm |
| ガンの6期間 | – |
| InGaN系 | – |
| P-MG：ガン | – |
| GaN系 | 20nm |
| Cプレーンサファイア |
No.3インガン/ガンはサファイア（PAM170107-GOS）に積み重ねられています
| 構成 | 厚さ |
| P-MG：ガン | – |
| ガンの6期間 | 7nm |
| InGaN系 | – |
| n-si：ガン | 2um |
| GaN系 | – |
| Cプレーンサファイア |
2。LED照明のための窒化ガリウムベースのエピタキシャル層の標準
GANエピタキシャルウェーファーには、LEDフル構造GANエピタキシャルウェーハとGANテンプレート（導電率の種類に応じたN型およびP型Gan Wafersを含む）が含まれます。ここでは、完全な構造を持つLED製造のGan Waferの基準をリストするだけです。
2.1ガンLEDウェーハの技術パラメーター
LEDのGan Waferの技術的パラメーターは、表1のパラメーターを遵守する必要があります。
表1
| アイテム | 要件（mm） | |||
| 50,8 | 76.2 | 100 | 150 | |
| 直径 | 50.8±0.2 | 76.2±0.2 | 100±0.2 | 150±0.2 |
| 参照サーフェスサイズ | 16.0±1.0 | 24.0±1.0 | 32.0±1.0 | 48.0±1.0 |
| 中心点の厚さ | 0.43±0.03 | 0.52±0.03 | 0.65±0.03 | 1.30±0.03 |
| 厚さの不均一性 | ≤0.02 | ≤0.03 | ≤0.05 | ≤0.08 |
| 曲率 | ≤0.04 | ≤0.05 | ≤0.06 | ≤0.08 |
| 反り | ≤0.04 | ≤0.05 | ≤0.06 | ≤0.08 |
| 注：買い手がエピタキシャルウェーハの幾何学的寸法に特別な要件を持っている場合、サプライヤーと買い手の両方が契約で指定するものとします。 | ||||
2.2ガンウェーハエピタキシャル表面の品質
サファイア基板上のGANの表面品質は、表2の要件を満たす必要があります。
表 2
| アイテム | 試験条件 | 範囲 | 要件 | |||
| 50.8 mm | 76.2 mm | 100mm | 150ミリメートル | |||
| 六角形の欠陥 | 200倍 | 直径≥300UM | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF |
| 直径<300 UM | 20 PCS/WAEF | 30 PCS/WAEF | 40 PCS/WAEF | 60 PCS/WAEF | ||
| ファインピット | 200倍 | 直径≥20UM | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF |
| 直径<20 um | 100個/ウェーハ | 150 PCS/WAEF | 200 PCS/WAEF | 300 PCS/WAEF | ||
| 小さなマーク | 50x | 長さ5 mm以上 | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF |
| 長さ<5 mm | 3 PCS/WAEF | 5 PCS/WAEF | 10個/ウェーハ | 20 PCS/WAEF | ||
| 白い点 | 50x | 長さ3 mm以上 | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF | 0 PCS/WAEF |
| 長さ<3 mm | 20 PCS/WAEF | 30 PCS/WAEF | 40 PCS/WAEF | 60 PCS/WAEF | ||
| 注：顧客がエピタキシャルウェーハの表面品質に関する特別な要件を持っている場合、サプライヤーとバイヤーは契約で決定するものとします。 | ||||||
2.3 GAN LED EPI Waferの放出波長
フル構造ガンエピタキシャルウェーハの発光波長は、紫外線で200nm〜430nm、青色光の場合は430nmから490nm、緑色光の場合は490nmから540nmです。窒化ガリウムのエピタキシャルウェーハの典型的な排出波長は、表3の要件を満たすはずです。
表 3
| アイテム | 要件 | ||
| UV LEDエピタキシャルウェーハ | 青LEDエピタキシャルウェーハ | グリーンLEDエピタキシャルウェーハ | |
| 典型的な波長 /nm | 280±10、310±10、380±10 | 450±10、470±10 | 500±10、520±10 |
| 注：買い手がエピタキシャルウェーハの波長または技術の進歩の波長に関する特別な要件を持っている場合、既存の波長を変化させる場合、契約でサプライヤーと買い手によって指定されます。 | |||
2.4 LED GAN WAFER光電パラメーター
開口電圧などの光電パラメーター（vF）、PEAK波長、漏れ電流、LEDのGAN EPI Waferの静電放電感度（ESD）は、表4の要件を満たす必要があります。
表 4
| アイテム | 要件 | ||
| UV LEDエピタキシャルウェーハ | 青LEDエピタキシャルウェーハ | グリーンLEDエピタキシャルウェーハ | |
| 電圧 / vをオンにします | ≤5.0 | ≤3.0 | ≤3.0 |
| ピーク波長 / nm | 280±10、310±10、380±10 | 450±10、470±10 | 500±10、520±10 |
| 漏れ電流（-8V） / UA | ≤0.5 | ≤1 | ≤3 |
| ESD / v | 4000以上 | ≥4000 | ≥4000 |
| 注：買い手がGANエピタキシャルフィルムの光電パラメーターの特別な要件を持っている場合、またはパラメーターが技術の進歩によって変更される場合、供給と買い手は契約で決定するものとします。 | |||
3。GanについてのFAQ LED EpiWafer
Q1：また、600nm以上の光発光を示す2インチのサファイア基板でインガンベースのLEDを栽培することもできますか？
：Ingan MQWSの場合、波長は<= 530nmでなければならず、誰も590nmを超えることはできません。 GAAS主導の構造を受け入れない限り。
Q2:メサエッチングを完了するために緑色のLED構造に必要なすべての情報がありますが、青色のLED構造の場合、アクティブ領域（SL+MQW）の厚さはありません。緑色のLED構造のように200nmですか？
：緑色のLED構造について：SL+MQWは200nm、エッチング深さ：1.5um。
Q3:サファイアのガンリードウェーハについて、 プロフォーマで[Mg]とRTAについて述べた2つのポイントを明確にする必要があります。
キャップ内のMgレベルは1-3×10^（18）よりもはるかに高いと思います（高い10^19で何かが必要です）。そうでない場合、IV特性は本当に悪いでしょう。
MGのレベルをダブルチェックしてください。または、LEDサイズの同じエピワファーに加工されたLEDのIV特性を送信してください。
RTAに関しては、ウェーハを作動させないようにしたいので、ここで自分でアクティブ化したいと思います。
：サファイアLEDエピワファーのGANでのMgのドーピング濃度は（1-5）E20で、Mgの活性化効率は1％です。活性化後、Mg濃度は（1-5）E18です。
以下のIV曲線をご覧ください：
Q4:Gan EPI層の厚さ、ドーパント、キャリア濃度、（穴の測定、CV測定など）、平坦性を示すことができますか。 EPI成長後のピットと異物の監視と実際の検査と評価。そして、金属汚染、能力などの定期的な検査？
：出荷前のGan Wafersのテストについて：
GAN基質に関しては、各ウェーハの転位密度をテストします。サンプリングにより、ホールによるキャリア濃度をテストします。非視線は〜2e17、siドープは〜1e18です。
カドミウム、鉛、水銀、ヘキサバレントクロム、ポリブラミネートビフェニル（PBBS）、ポリブラミネートジフェニルエーテル（PBDES）、フタル酸エステル（フタル酸ジブトル（DBP）、ブチルベンジルフタレート（BBP）、DI（2-エチルヘキシル）のテスト結果Phthalate（DIBP））は、ROHSディレクティブ2011 /65 / EUの付録1Iの改訂指令（EU）2015 /863の制限要件を満たしています。（201028）
Q5：あなたが達成できる青いLEDガンウェーハの表面粗さは何ですか？
：Ingan/Ganの表面粗さは、達成できるWaferのLED：〜1nm@5x5mm、または〜3nm@20*20mm。
Q6：飛行機のサファイア基板上で栽培されている緑のエピウェーハで、光学的な特性を教えてください。
：Gan/Sapphire Waferに基づいた緑色のLEDの光学的な特性を以下の表として示します。（181030）
| グリーンLED EPIの光学電気特性 | |||||
| ミン。 | 平均。 | マックス。 | std。 | ||
| po | 8.0 | 8.6 | 9.0 | 0.26 | [MW] |
| WD | 522.5 | 523.8 | 525.0 | 0.73 | [nm] |
| VF | 2.63 | 2.75 | 2.90 | 0.06 | [v] |
詳細については、メールでお問い合わせください[email protected] と [email protected]