サファイア上のエピタキシャルGaNにおける準安定岩塩相

サファイア上に有機金属化学気相成長法によって成長させた一連の GaN エピ層では、GaN 岩塩構造が検出されました。X線回折(XRD)、高分解能透過型電子顕微鏡で直接観察されます。岩塩ＧａＮ相は、閃亜鉛鉱ＧａＮと共存し、ａ＝４．０７４±０．００４Åの格子定数を有することがわかった。 XRD で測定された高い応力とサンプル内のマイクロツインは、エピタキシャル安定化プロセスを示しています。エピ層の厚さに応じた岩塩相の XRD 反射の強度変化の挙動は、相が GaN/サファイア界面付近に閉じ込められていること、および相変態が予期される早期ではなく高温堆積中に起こることを示しています。

出典:AIP

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