サファイアのSIドープガンエピタキシャルテンプレート
Xiamen Powerway Advanced Material Co.、Ltd（Pam-Xiamen）化合物半導体クリスタルとウェーハの主要な開発者兼サプライヤーであるSaphireのSIドープGanエピタキシャルテンプレートを含むGan Wefer Serieを提供します。
| Gan Template2″ | 仕様 |
| 純度 | サファイアのSIドープガンエピタキシャルテンプレート |
| オリエンテーション | -1 |
| フィルムの厚さ | > 5.0µm±0.25µm |
| 直径 | 50.8±0.1mm |
| エッジの除外 | <1mm |
| 使用可能な表面積 | > 90％ |
| 伝導型 | Nタイプ |
| 蘇生性 | 0.001 - 0.01 Ohm-CM |
| キャリア濃度 | 1e19 /cc |
| マクロ欠陥 | ≤10 / cm-2 |
| 転位密度 | <5e8 / cm2 |
| 対称（002）反射のためのRCのFWHM | 〜250 arcsec |
| 対称（102）反射のためのRCのFWHM | 〜300 Arcsec |
| 表面仕上げ /ポリッシュ | AFM 10µmx10µmスキャンによるRMS <0.5nm |
| -Grown | ga顔 |
| 基板 | サファイア |
| （0001）ミスカット | M面に向かって0.2±0.1度 |
| サファイアの厚さ | 430µm±25µm |
| TTV | ≤10µm |
| 弓 | ≤10µm |
| ワープ | ≤10µm |
| ポーランド語 | 逆流の状態の片側が磨かれた（1SP）は「受け入れられていない） |
以下は、サファイアでのGanコーティングのAFM画像です。
サファイアのガンエピタキシャルテンプレートのAFM
また、エピタキシャルGANコーティングされたサファイア基板のカスタム構造も提供しています。以下の例を参照してください。
C-AL2O3基質上のN型GAN薄膜。
素材：N型Gan Thin Film（厚さ：1um）。
基質：C-AL2O3
サイズ：直径2インチ
電気抵抗率：<0.05 Ohm.cm
片側が研磨されました。
出典:PAM-アモイ
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