GaSbのウェハー

Product Description

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski), which can reduce the defects of gallium antimonide. The GaSb wafer is epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100).

Gallium antimonide (GaSb) is a semiconducting compound of gallium and antimony of the III-V family. It has a lattice constant of about 0.61 nm. GaSb wafers can be used for Infrared detectors,infrared LEDs and lasers and transistors, and thermophotovoltaic systems.

Here is the detail specification of wafer:

Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:P/low doped;P/Si;P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
Mobility（cm2/V ·s):600~700
Growth Method:CZ
Polish:SSP

2)2″(50.8mm)GaSb wafer
Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:N/low doped;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility（cm2/V ·s):2500~3500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

3)2″(50.8mm)GaSb wafer
Orientation:(111)A±0.5°
Thickness(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility（cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

4)2″(50.8mm)GaSb wafer
Orientation:(111)B±0.5°
Thickness(μm):500±25;450±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility（cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

5)2″(50.8mm)GaSb wafer
Orientation:(111)B 2deg.off
Thickness(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility（cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

Relative products:
InAsのウェハ
InSbのウェハ
InP基板
GaAs wafer
GaSb wafer
GaP wafer

Gallium Antimonide (GaSb) can be supplied as wafers with as-cut, etched or polished finishes and are available in a wide range of carrier concentration, diameter and thickness.

GaSb材料は、単一接合熱光起電力（TPV）デバイスに興味深いアンチモン化ガリウム特性を示します。 GaSb：チョクラルスキー（Cz）または修正チョクラルスキー（Mo-Cz）法で成長させたTe単結晶を示し、Teの均一性の問題について説明します。 キャリア移動度はアンチモン化ガリウム結晶の重要なポイントの1つであるため、ホール測定が実行されます。 ここでは、材料処理の観点に基づいたいくつかの補完的な開発を紹介します。バルクアンチモン化ガリウム結晶成長、アンチモン化ガリウムウェーハの準備、アンチモン化ガリウムウェーハのエッチングです。 これらの後の後続のステップは、p / no rn/p接合の詳細に関連しています。 さまざまな薄層の精緻化アプローチで得られたいくつかの結果が示されています。 したがって、単純な気相拡散プロセスまたは液相エピタキシープロセスから金属有機化学蒸着プロセスまで、いくつかの材料特異性を報告します。

また、アンチモン化ガリウムウェーハエピサービスも提供しています。例として以下を取り上げます。

2インチサイズのGaSbエピウェーハ：
エピ層：Thikness 0.5 um、アンドープ/ pタイプGaSbエピ層（アンドープInPエピ層も利用可能）、
基板：2インチの半絶縁性GaAs

 

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

More epiwafer information, please read:

GaSb Thin Film on GaAs