GaSb Wafer

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100).

  • 説明

製品説明

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski), which can reduce the defects of gallium antimonide. The GaSb wafer is epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100).

Gallium antimonide (GaSb) is a semiconducting compound of gallium and antimony of the III-V family. It has a lattice constant of about 0.61 nm. GaSb wafers can be used for Infrared detectors,infrared LEDs and lasers and transistors, and thermophotovoltaic systems.

Here is the detail specification of wafer:

2″(50.8mm)GaSb Wafer Specification

3″(50.8mm)GaSb Wafer Specification

4″(100mm) GaSb Wafer Specification

 

2″ GaSb Wafer Specification

tem Specifications
ドーパント low doped Zinc Tellurium
伝導型 P-type P-type N-type
Wafer Diameter 2″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 500±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
キャリア濃度 (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <10um
<10um
WARP <12um
Laser Marking upon request
Suface Finish P/E, P/P
Epi Ready はい
Package Single wafer container or cassette

 

 3″ GaSb Wafer Specification

tem Specifications
伝導型 P-type P-type N-type
ドーパント low doped Zinc Tellurium
Wafer Diameter 3″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 22±2mm
Secondary Flat Length 11±1mm
キャリア濃度 (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <12um
<12um
WARP <15um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
Package Single wafer container or cassette

 

4″ GaSb Wafer Specification

tem Specifications
ドーパント low doped Zinc Tellurium
伝導型 P-type P-type N-type
Wafer Diameter 4″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 800±25um
Primary Flat Length 32.5±2.5mm
Secondary Flat Length 18±1mm
キャリア濃度 (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <15um
<15um
WARP <20um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
Package Single wafer container or cassette

 

1)2″(50.8mm),3″(76.2mm)GaSb wafer

Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:P/low doped;P/Si;P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
Mobility(cm2/V ·s):600~700
Growth Method:CZ
Polish:SSP

2)2″(50.8mm)GaSb wafer
Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:N/low doped;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

3)2″(50.8mm)GaSb wafer
Orientation:(111)A±0.5°
Thickness(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

4)2″(50.8mm)GaSb wafer
Orientation:(111)B±0.5°
Thickness(μm):500±25;450±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

5)2″(50.8mm)GaSb wafer
Orientation:(111)B 2deg.off
Thickness(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

Relative products:
InAsのウェハ
InSbのウェハ
InP基板
GaAs wafer
GaSb wafer
GaP wafer

Gallium Antimonide (GaSb) can be supplied as wafers with as-cut, etched or polished finishes and are available in a wide range of carrier concentration, diameter and thickness.

GaSb材料は、単一接合熱光起電力(TPV)デバイスに興味深いアンチモン化ガリウム特性を示します。 GaSb:チョクラルスキー(Cz)または修正チョクラルスキー(Mo-Cz)法で成長させたTe単結晶を示し、Teの均一性の問題について説明します。 キャリア移動度はアンチモン化ガリウム結晶の重要なポイントの1つであるため、ホール測定が実行されます。 ここでは、材料処理の観点に基づいたいくつかの補完的な開発を紹介します。バルクアンチモン化ガリウム結晶成長、アンチモン化ガリウムウェーハの準備、アンチモン化ガリウムウェーハのエッチングです。 これらの後の後続のステップは、p / no rn/p接合の詳細に関連しています。 さまざまな薄層の精緻化アプローチで得られたいくつかの結果が示されています。 したがって、単純な気相拡散プロセスまたは液相エピタキシープロセスから金属有機化学蒸着プロセスまで、いくつかの材料特異性を報告します。

また、アンチモン化ガリウムウェーハエピサービスも提供しています。例として以下を取り上げます。

2インチサイズのGaSbエピウェーハ:
エピ層:Thikness 0.5 um、アンドープ/ pタイプGaSbエピ層(アンドープInPエピ層も利用可能)、
基板:2インチの半絶縁性GaAs

 

述べる:
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料(GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど)およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日より、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解とご協力をお願いいたします。

More epiwafer information, please read:

GaSb Thin Film on GaAs

あなたも好きかも...