Geの単結晶(首相級)-8

PAM厦門は、直径4 "ウエハーを提供しています。

4 "直径のウエハ

GE N型4” 、アンドープ

Ge基板(111)4 "直径×0.5ミリメートル、1SP、N型(未ドープ)
Geのウェハ(100)。 ドープされていない、4 "直径×0.5ミリメートル、1SP
Geのウェハ(100)。 ドープされていない、4 "直径×0.5ミリメートル、2SP、R> 50オーム-cm
Ge基板(110)。 ドープされていない、4 "直径×0.5ミリメートル、1SP、R:> 50 ohm.cm
Ge基板(110)。 ドープされていない、4 "直径×0.5ミリメートル、2SP、R:> 50 ohm.cm
Ge基板(111)4 "直径×0.5ミリメートル、2SP、N型(未ドープ)

GE P型4“ Gaドープ

Ge基板(100)100の直径×0.5ミリメートル、1SP P型(Gaがドープされた)R:1-5 ohm.cm
Geのウェハ(100)。 100ミリメートル直径×0.5ミリメートル、2SP、P型(Gaがドープされた)R:0.004-0.01ohm.cm
Geのウェハ(100)。 100ミリメートル直径×0.5ミリメートル、2SP、P型(Gaがドープされた)R:1.4~1.7 ohm.cm
0.296から0.326 Ohm.cm:<111>に向かって6度のミスカット、100 mmdia×0.5ミリメートル、1SP、P型(Gaがドープされた)RとVGF-Ge基板(100)
VGF-Ge基板(100)100ミリメートルの直径×0.5ミリメートル、2SP、P型(Gaがドープされた)R:0.128から0.303 Ohm.cm
VGF-Geのウェハ(100)。 100ミリメートル直径X 0.4ミリメートル、2SP、P型(Gaがドープされた)R:0.0038から0.0158 Ohm.cm
VGF-Geのウェハ(100)。 0.279から0.324 Ohm.cm:X 0.175ミリメートル、1SP、P型(Gaがドープされた)R 100 mmdia
VGF-Geのウェハ(100)。 100 mmdia X 0.175ミリメートル、2SP、P型(Gaがドープされた)R:0.1から0.182 ohm.cm
0.128から0.303 Ohm.cm:×0.5ミリメートル、1SP、P型(Gaがドープされた)R VGF-Ge基板(100)100 mmdia

GE、N型、4” のSb&としてドープ

Ge基板(100)100ミリメートルの直径×0.5ミリメートル、2SP、N型(SBドープ)R:2.5~2.7 ohm.cm
0.1~0.5 ohm.cm:主要なフラット<110> 100ミリメートルの直径×0.5ミリメートル、1SP、N型(SBドープ)RとGe基板(100)
Ge基板(110)4 "直径×0.5ミリメートル、2SP、N型(Sbがドープされた)R:0.1-0.5ohm.cm
Ge基板(110)4 "直径×0.5ミリメートル、2SP、N型(Sbがドープされた)R:1-5 ohm.cm
Ge基板(110)4 "直径×0.5ミリメートル、1SP、N型(Sbがドープされた)R:1-5 ohm.cm
VGF-Ge基板(100)100ミリメートルの直径×0.5ミリメートル、1SP、N型(AS-ドープ)、R:0.214から0.250 ohm.cm
VGF-Ge基板(100)100ミリメートルの直径×0.5ミリメートル、2SP、N型(AS-ドープ)、R:0.173から0.25 ohm.cm
Ge基板(111)4 "直径×0.5ミリメートル、1SP、抵抗とN型(SB-がドープされた):0.014から0.022オーム - センチ
Ge基板(111)4 "直径×0.5ミリメートル、2SP、抵抗とN型(SB-がドープされた):0.014から0.022オーム - センチ
0.1~0.5オーム-cm:フラット(100)4 "直径×0.5ミリメートル、1SP、N型(Sbがドープされた)抵抗率を有するGe基板(100)

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

1990年に発見、アモイPowerwayアドバンストマテリアル株式会社(PAM-厦門)は、中国での半導体材料のリーディングカンパニーです。PAM-厦門は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、操作基板および半導体装置を開発します。PAM-厦門の技術は、より高いパフォーマンスと半導体ウエハの低コストの製造を可能にします。

PAM-アモイのGa、アルにおいて、AsおよびPに基づいて、III-Vシリコンドープのn型半導体材料基板の成長およびエピタキシーで、高度な結晶成長およびエピタキシー技術を開発して第一世代ゲルマニウムウェハの範囲、第二世代ガリウム砒素第三世代へ、MBE又はMOCVDによって成長させた:炭化ケイ素と窒化ガリウムLED及びパワーデバイス用途のため。

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