単結晶ゲルマニウム（Ge）インゴットは、PAM-XIAMENからPタイプで提供されます。 ゲルマニウム結晶 does not contain large-angle grain boundaries or twin crystals. It has a diamond-shaped crystal structure and is an important semiconductor material. According different applications, single crystal germanium ingot can be divided into solar-grade germanium single crystal, infrared-grade germanium single crystal and detector-grade germanium single crystal. Among them, infrared-grade Ge single crystal is used to prepare basic materials for infrared windows, infrared lenses and other optical components; Ge ingot for semiconductor devices is used to make substrate material for various transistors and solar cells; Detector-grade single crystal Ge is used to prepare high-resolution gamma radiation detector. Take the following specification for example:
1.単結晶ゲルマニウムインゴットの仕様
No.1 Germanium Cubic Crystal
PAM181102-GE
| アイテム | ゲルマニウム立方晶 |
| 行動タイプ | SCP |
| ドーパント | Ge-Ga |
| 長さ | 150ミリメートル |
| 直径 | 100.0±0.4mm |
| 方向付け | （100）6°オフ<111> + 5°に向かって |
| 方位角 | 135° |
| プライマリフラット | （100）+ 2° |
| PFlatの長さ | 32.5 + 2.5 mm |
| セカンダリフラット | なし |
| CC | 1E18 – 2.5 E18 |
| EPD | アベニュー<500 / cm3 |
| 抵抗率 | 0.01-0.04オーム* cm |
No.2 Germanium Ingot Optical Grade
PAM200408-GE
Germanium ingot D26-0.3mm*L100mm
Germanium ingot D30-0.3mm*L100mm
Type: N-type
Orientation: <111>
Resistivity: 5-40 Ohm*cm
Absorption coefficient: 0.03cm/max @ λ= 10.6um
Refractive index heterogeneity: 5.0*10-9 max @ λ=10.6 um
2.ゲルマニウム結晶成長の業界標準
球状化後のゲルマニウム単結晶表面には、亀裂、穴、引っかき傷があってはならず、円筒状表面には、広げられた場所があってはなりません。
インゴットタイプのゲルマニウムの導電率タイプは、表1の要件を満たす必要があります。
表1単結晶ゲルマニウムインゴットの導電率タイプ
| 導電率タイプ | ドーパント | 抵抗率p（23℃±0.5℃） オームセンチメートル |
| P型 | ジョージア | 0.001〜45.0 |
| で | 0.001〜45.0 | |
| Au + Ga（ln） | 0.5〜5.0 | |
| N型 | Sbの | 0.001〜45.0 |
| アンドープ | 35.0〜50.0 |
ゲルマニウム単結晶ブールの半径方向の抵抗率の変化は、表2の要件を満たす必要があります。
表2ゲルマニウム結晶のラジアル抵抗率の変化
| 直径（mm） | 半径方向の抵抗率の変動（絶対値） |
| 10≤d≤50 | ≤10％ |
| 50≤d≤100 | ≤15％ |
| 100≤d≤150 | ≤20％ |
| 150≤d≤200 | ≤25％ |
| 200≤d≤300 | ≤30％ |
| 注：直径は、丸みのないゲルマニウム単結晶のサイズを指します。 | |
さまざまな目的でのGeインゴットの転位密度は、表3の要件を満たす必要があります。
表3ゲルマニウムの転位密度
| アプリケーション | 転位密度Pcs / cm2 |
| 半導体デバイス | ≤1000 |
| レーザーコンポーネント | ≤5000 |
| 赤外線光学部品 | ≤100000 |
マーク：製造された純粋なゲルマニウム結晶のパラメータの要件は、工業規格よりも高くなります。
3. FAQ for Germanium Ingot
Q: What is the difference of germanium ingot between electronic grade and optical grade?
A: Optical grade germanium single crystal generally is lower requirement to electronic grade, they require transmission rate and different polished condition and orientation, but we often use low electronic grade for optical grade.
詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.