ガラスウェーハ、Bf33、石英、伊東硝子、無アルカリガラス基板を含む

ガラスウエハ、Bf33含む、石英、伊東硝子、無アルカリガラス基板

在庫はありますが、下記に限ります。

ウェーハ番号	サイズ	ポーランド語	オリエンテーション	厚さ(ええと)	クアンちいさ(個)
Pam-Xiamen-Wafer-＃B1	4インチBF33ガラス	DSP	—	500um	27
pam-xiamen-wafer-＃b2	4インチBF33ガラス	DSP	—	1000um	8
pam-xiamen-wafer-＃b3	4インチサファイア	—	—	500um	25
pam-xiamen-wafer-＃b4	6インチBF33ガラス	DSP	—	500um	15
pam-xiamen-wafer-＃b5	ガラス90*90	DSP	—	700um	3
pam-xiamen-wafer-＃b6	導電性ガラス	20×20	—	1.1mm	15
pam-xiamen-wafer-＃b7	2インチクォーツ	DSP	—	1.2ミリメートル	50
pam-xiamen-wafer-＃b8	4インチサファイア	SSP	C	650um	16
pam-xiamen-wafer-＃b9	4インチサファイア	SSP	C	650±30um	75
pam-xiamen-wafer-＃b10	2インチサファイア	SSP	R	430um	25
pam-xiamen-wafer-＃b11	8インチガラス	DSP	—	700um	109
Pam-Xiamen-Wafer-＃B12	6″サファイア	SSP	—	600um	31
Pam-Xiamen-Wafer-＃B13	4インチBF33ガラス	DSP	—	1ミリメートル	35
Pam-Xiamen-Wafer-＃B14	2インチサファイア	DSP	—	100um	12
Pam-Xiamen-Wafer-＃B15	4インチBF33ガラス	DSP	—	200um	18
Pam-Xiamen-Wafer-＃B16	4インチサファイア	DSP	—	500um	20
pam-xiamen-wafer-＃b17	4インチクォーツ	DSP	—	1ミリメートル	8
pam-xiamen-wafer-＃b18	2インチクォーツ	DSP	—	1ミリメートル	10
Pam-Xiamen-Wafer-＃B19	2インチサファイア	DSP	—	1ミリメートル	74
pam-xiamen-wafer-＃b20	2インチサファイア	SSP	M	430±15um	50
Pam-Xiamen-Wafer-＃B21	2インチサファイア	SSP	C	430um	850
Pam-Xiamen-Wafer-＃B22	2インチサファイア	DSP	—	300um	425
Pam-Xiamen-Wafer-＃B23	6インチBF33ガラス	DSP	—	675um	17

また、以下の仕様の無アルカリガラス基板も供給可能です。

無アルカリガラス基板 (厚さは 1.1mmT のみ) : サイズ : 100mm (または 60mm) X 100mm X 1.1mmT (PAM210514 – ガラス)

BF33、石英、ITOガラス、無アルカリガラス基板などのガラスウェーハをお探しですか?
PAM-XIAMENは、BF33、石英、ITOガラスを含むガラスウェーハ、またはBF33、石英、ITOガラスを含むカスタムガラスウェーハを提供する、あなたが望んでいる会社です。 BF33、石英、ITO ガラスなどのガラスウェーハの詳細については、お問い合わせください。当社のグループチームが、BF33、石英、ITO ガラスなどのガラスウェーハと技術サポートを提供できます。

詳細については、メールでお問い合わせください。[email protected] と [email protected].

2019-11-27

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Ge Wafer Supplier

Ge Wafer Substrate-Germanium No. Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Prime flat EPD Ra (mm) (μm) Ω·cm Orientation /cm2 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.0138-0.02 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP ≥30 N/undoped N/A N/A <5A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 58.4-63.4 N/undoped N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 0.1-1 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 1000 DSP >30 N/A (110) N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 2000 SSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 4000 SSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (111)/(110) 50.8 200000 N/A 5-20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 400 SSP <0.4 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)/(111) 50.8 4000±10 DSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 350 SSP 1-10 P/Ga (110) ≤5000 N/A PAMP20295 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 2-10 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.3-3 N/Sb (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.3-3 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (111) 60 1000 As cut >30 N/A (110) <3000 N/A 1-100 Ge (100) 100 N/A SSP <0.019 P/Ga (110) <500 N/A 1-100 Ge (100) 100 1000±25 SSP ≥30 N/undoped N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) off 6°or off 9° 100 500 SSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP <0.01 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP <0.01 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP ≥35 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP ≥35 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A <5A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A <5A 1-100 Ge (100)6°off (111) 100 185±15 DSP 0.01-0.05 N/A (110) ≤5000 <5A 1-100 Ge (100)6°off (110) 100 525±25 SSP 0.01-0.04 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 1000±15 SSP ≥30 N/A (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 100 750±25 SSP ≥30 N/A (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 100 500±25 SSP 10-30 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <4000 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 N/Sb N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 N/Sb N/A <4000 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 190 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 190 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <4000 N/A 1-100 Ge (111) 100 500±25 SSP <0.4 N/Sb N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)6°off-cut toward(111)A 100 175±25 SSP 0.003-0.009 P/Ga (0-1-1) (0-11) <100 N/A PAM210802 Ge (100) 100 175 DSP <0.02 P N/A N/A N/A 1-100 Ge (310)±0.1° 100 200±15 DSP >20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (111) 150 600-700 N/A >30 N/A (110) N/A N/A Germanium wafer list here is for your...

2018-05-23 Geウェーハサプライヤー

Silicon Carbide List

4" 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness Grade Micropipe Density Surface Usable area 　 N-Type S4H-100-N-SIC-350-A 4" 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um A <10/cm2 P/P >90% S4H-100-N-SIC-350-B 4" 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-100-N-SIC-350-D 4" 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um D <100/cm2 P/P >75% S4H-100-N-SIC-370-L 4" 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-100-N-SIC-440-AC 4" 4H-N 0°/4°±0.5° 440±25um D * As-cut >75% S4H-100-N-SIC-C0510-AC-D 4" 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D <100/cm2 As-cut * S4H-100-N-SIC-C1015-AC-C 4" 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C <50/cm2 As-cut * 3" 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness Grade Micropipe Density Surface Usable area 　 N-Type S4H-76-N-SIC-350-A 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um A <10/cm2 P/P >90% S4H-76-N-SIC-350-B 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-76-N-SIC-350-D 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um D <100/cm2 P/P >75% S4H-76-N-SIC-370-L 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-76-N-SIC-410-AC 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S4H-76-N-SIC-C0510-AC-D 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D <100/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C1015-AC-D 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D <100/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C0510-AC-C 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C <50/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C1015-AC-C 3" 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C <50/cm2 As-cut * 　 SEMI-INSULATING S4H-76-SI-SIC-350-A 3" 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um A <10/cm2 P/P >90% S4H-76-SI-SIC-350-B 3" 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-76-SI-SIC-350-D 3" 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um D <100/cm2 P/P >75% 2" 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness Grade Micropipe Density Surface Usable area 　 N-Type S4H-51-N-SIC-330-A 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um A <10/cm2 C/P >90% S4H-51-N-SIC-330-B 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S4H-51-N-SIC-330-D 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um D <100/cm2 C/P >75% S4H-51-N-SIC-370-L 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-51-N-SIC-410-AC 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S4H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D <100/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D <100/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C <50/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2" 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C <50/cm2 As-cut * 2" 6H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness Grade Micropipe Density Surface Usable area 　 N-Type S6H-51-N-SIC-330-A 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um A <10/cm2 C/P >90% S6H-51-N-SIC-330-B 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S6H-51-N-SIC-330-D 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um D <100/cm2 C/P >75% S6H-51-N-SIC-370-L 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S6H-51-N-SIC-410-AC 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S6H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D <100/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D <100/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C <50/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2" 6H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C <50/cm2 As-cut * 　 SEMI-INSULATING S6H-51-SI-SIC-330-A 2" 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um A <10/cm2 C/P >90% S6H-51-SI-SIC-330-B 2" 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S6H-51-SI-SIC-330-D 2" 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um D <100/cm2 C/P >75% S6H-51-SI-SIC-370-L 2" 6H-SI 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S6H-51-SI-SIC-410-AC 2" 6H-SI 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S6H-51-SI-SIC-C0510-AC-D 2" 6H-SI 0°/4°±0.5° 5~10mm D <100/cm2 As-cut * S6H-51-SI-SIC-C1015-AC-D 2" 6H-SI 0°/4°±0.5° 10~15mm D <100/cm2 As-cut * Please see below sub-catalogue: 6H n type SiC 4H N Type SiC 4H Semi-insulating SiC SiC Ingots Lapped Wafers Polishing Wafer As a SiC wafer supplier,we offer Silicon...

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