プライムグレードの半挿入インジウムリン化インジウム
販売用プライムグレードのリン化インジウムインジウム（フォーミュラ：INP）ウェーハは、室温で帯域幅（例えば= 1.35 eV）、融点での2.75MPaの解離圧力、4600cm2/（v·）の電子移動度2.75mpa、150CM2/（V・s）の穴の移動度があります。 Pam-XiamenはVGFプロセスを使用して、材料の純度を確保します。私たちの基質はすべて、正確に洗練され、保護雰囲気によって保護されており、Epieady使用の要件を満たしています。 Pam-Xiamenは、さまざまなサイズ、クリスタルの向き、磨き、ドープ、カスタマイズされていますプライムグレードのINPウェーファー半断熱型で。
1.半断熱プライムグレードインジウムインジウムシングルクリスタルウェーハ仕様
| アイテム | パラメーター |
| 素材： | InP |
| 導電率タイプ /ドーパント： | SI / Fe |
| グレード： | 素数 |
| 直径： | 50.5±0.4mm |
| オリエンテーション： | （100）が0.5°、±します |
| 方向角度: | / |
| フラットオプション | EJ |
| プライマリフラット方向: | （0-1-1） |
| 一次フラット長さ: | 16±1mm |
| セカンダリ フラット方向 | （0-11） |
| 二次平坦長さ: | 7±1mm |
| キャリア濃度: | -/ cm-3 |
| 抵抗率: | 5E6オーム・cm |
| 可動性： | - CM2/ V・sec |
| EPD： | <5000cm-2 |
| レーザーマーク： | 裏側メジャーフラット |
| エッジラウンド： | 0.25（半標準に準拠）MMR |
| 厚さ： | 325〜375um |
| TTV： | 10um |
| TIR： | 10um |
| 弓： | 10um |
| ワープ： | 15um |
| 表面： | サイド1：研磨側2：エッチング |
| 粒子数: | / |
| パッケージ： | N2で満たされた個々の容器 |
| エピ対応： | はい |
| リマーク： | 特別な仕様については、個別に説明します |
注：X線システムは正確な方向に使用され、リン化インジウムの方向偏差は±0.5°のみです。プライムグレードのリン酸インジウムのウエハーは、化学機械的研磨（CMP）技術によって研磨されます。プライムグレードのINPウェーハ表面粗さは0.5nm未満です。
リン化インジウム基質の平らな位置は、次の図として示されています。
2。高品質の半染色インジウムリン化インドの栽培が難しい
通常、小リン化インジウム単結晶が形成されたインジウムリン化鋳造は、単結晶の成長中に鉄原子をドーピングすることにより調製されます。半挿入を達成するために、鉄原子のドーピング濃度は比較的高く、鉄の高濃度はエピタキシーとデバイスのプロセスで拡散する可能性があります。さらに、リン化インディウムの鉄の分離係数は非常に小さいため、リン酸インジウム単結晶インゴットは成長軸に沿って明らかなドーピング勾配を示し、上部と下部の鉄濃度は複数の大きさによって異なります。したがって、一貫性と均一性を保証することは困難です。成長中の固形液体界面の影響により、切断される単一のリン酸塩ウエハーの場合、鉄原子は単結晶の中心から外側に濃度に分布しており、明らかに一部のデバイスアプリケーションのニーズを満たすことができません。これらのすべての要因は現在、半断熱リン化インジウム単結晶の産生の生産品質を制限する最大の障害です。
3。プライムグレードの半断熱INPウェーハの品質を改善するためのソリューション
近年、国内外での研究により、特定の大気中の低抵抗性非ドープされたINPウェーハの高温アニーリング治療によって得られた半断熱INP基質は、上記の問題を克服できることが示されています。 INP結晶では、半挿入の形成メカニズムを2つの側面にほぼまとめます。
1つは、深い宿主（要素）をドーピングして浅いドナーを補償することにより、半挿入状態を実現することです。元の鉄ドープされた半挿入インジウムリン化インジウムはこれに属します。
もう1つは、新しい欠陥の形成を通じて浅いドナーの濃度を減らすことであり、同時に居住者の深い宿主（要素）が補償されます。ドープされていない半insulator単結晶INP基質このカテゴリに属します。欠陥は、高温のアニーリングと照射中に形成できます。
この考えによれば、Pam-Xiamenの研究者は、リン酸鉄の大気中でアニーリングすることにより、プライムレベルでSi単結晶INPウェーハを準備しましたが、欠陥が少ないだけでなく、均一性も良好です。
新しいタイプの半断熱ウェーハとして、プライムグレードのリン化インジウムインディウムは、INPベースのマイクロエレクトロニクスデバイスの性能を改善および強化するために非常に重要です。高温のアニーリングプロセスによって調製された半断熱リン化インジウムウシドウェーハは、従来の原発性鉄ドープINP基質の高耐性特性を維持します。同時に、鉄濃度が大幅に減少し、プライムグレードの半挿入インジウムリン化インドの電気特性、均一性、一貫性が大幅に改善されます。
4. Typical Application Scenarios of Semi-insulating InP
High speed optical communication devices: As substrates for PIN/APD detectors, electro-absorption modulator lasers (EMLs), and arrayed waveguide gratings (AWGs), low defect density surfaces can significantly reduce dark current and noise, meeting the high sensitivity and bandwidth requirements of 1.3-1.55μm fiber optic communication systems. The 400G/800G/1.6T optical module (including EML laser and high-speed detector) manufactured on a semi-insulating InP substrate for large-scale GPU cluster interconnection in AI data centers is the core device for achieving low latency and high bandwidth data transmission access.
Millimeter wave integrated circuit: used for low noise amplifiers, frequency multipliers, and millimeter wave transceivers such as InP HEMTs and InP HBTs. High resistivity (>10⁷Ω·cm) and low parasitic capacitance help improve the cutoff frequency (fₜ/fₘₐₓ), suitable for radar and communication systems in the D-band (110-170GHz) and above frequency bands. In AI server clusters, this feature can be used to achieve high-speed millimeter wave wireless bridging between servers, breaking through the bandwidth and distance limitations of traditional copper cables.
Optoelectronic Integration (OEIC): When integrating photodetectors and amplification circuits on a single chip, a semi insulating substrate provides excellent active area isolation, avoiding signal crosstalk and achieving high-density, low-power optoelectronic fusion chips. Furthermore, based on the low optical loss and single-chip integration capability of semi-insulated InP, photon neural networks and photon computing chips can be constructed to achieve matrix multiplication and other operations on the chip, significantly improving computing power density and reducing power consumption, providing a basic platform for the next generation of photon AI computing.
Space photovoltaics: As the bottom substrate of multi junction solar cells, InP has better radiation resistance than GaAs and is suitable for high-energy particle environments (such as satellites and deep space detectors), which can extend the battery life and maintain high photoelectric conversion efficiency.
5. FAQ for Semi-Insulating InP Wafer
Q1: Can the electron mobility of a semi insulating InP substrate be controlled within the range of 2000-4000cm²/(V · s)?
A1: Yes, the electron mobility of semi-insulating InP can be controlled within 2000-4000cm²/(V·s). For low level Fe doped semi insulating InP grown by VGF method, the mobility can stably reach the upper limit region of this range, meeting the requirements of high-frequency devices for carrier transport performance.
Q2: Is the doping concentration of Fe in InP a fixed range or variable? Has your company conducted any testing?
A2: The Fe doping concentration in InP is not a fixed range. According to our test results, the Fe doping concentration ranges from 1× 0⁷ to 1×10¹⁰cm⁻³, with a large variation range.
Q3: Does you have refractive index, absorption, and transmittance data for Fe doped semi-insulating InP in the 1260-1620nm wavelength range? What about the undoped ones?
A3: Regarding refractive index: The refractive index of semi-insulating InP in the 1260-1620nm wavelength range is about 3.41, which is related to the wavelength of light. Regarding absorption and transmittance: Transmittance is closely related to the Fe doping concentration. The higher the Fe concentration, the stronger the absorption and the lower the transmittance. The absorption of undoped indium phosphide is relatively weak, and its transmittance is higher than that of iron doped materials. The transmittance of high-purity undoped InP is even higher. Specific values can be provided based on actual measurement data or sample verification according to customer requirements.
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