InGaAs APD ウェーハ
PAM-XIAMEN は、高性能の InGaAs APD ウェーハを提供しています。 InGaAs アバランシェ フォト ダイオード (InGaAs APD) は、その低ノイズ、高帯域幅、および 1700 nm まで拡張されたスペクトル応答で高く評価されています。最適化後は 1550nm の波長に対応しており、目に安全なレーザー測距システムでの使用に非常に適しています。 InGaAs APD ウェーハの仕様とパラメータは次のとおりです。
PAM-210331-INGAAS-APD
項目1：
| 層 | 材料 | 厚さ(μm) | 偏差 | 濃度 (cm-3） | 偏差 | テスト | 注意 |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | – | ±10％ | – | ±20％ | ||
| 8 | N-InP | 2.5 | – | 5E+15 | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | – | ±10％ | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | – | ±10％ | 2E+16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ±10％ | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD＆C-V | エピウェーハおよびテストウェーハ上 | |
| 1 | N-InP | – | ±10％ | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 0 | N-InP基板 | 350±25 | – | S ドープ >3E+18 | – | – | 2インチウェーハ |
| ＃ | 格子不一致 | <±100ppm | – | – | – | DCXD | エピウェーハの中心でテスト |
項目2：
| 層 | 材料 | 厚さ(μm) | 偏差 | 濃度 (cm-3） | 偏差 | テスト | 注意 |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | ±10％ | – | ±20％ | – | – |
| 8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | – | 2E+16 | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | – | ±10％ | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | 0.03 | ±10％ | – | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E+16 | ±10％ | – | – |
| 2 | U-InGaAs | – | ±10％ | – | – | DCXD＆C-V | エピウェーハおよびテストウェーハ上 |
| 1 | N-InP | 0.5 | – | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 0 | N-InP基板 | 350±25 | – | S ドープ >3E+18 | – | – | 2インチウェーハ |
| ＃ | 格子不一致 | <±100ppm | – | – | – | DCXD | エピウェーハの中心でテスト |
項目3：
| 層 | 材料 | 厚さ(μm) | 偏差 | 濃度 (cm-3） | 偏差 | テスト | 注意 |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | – | 5E+15 | ±20％ | – | – |
| 8 | N-InP | – | – | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | ±10％ | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | – | – | 2E+16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ±10％ | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD＆C-V | エピウェーハおよびテストウェーハ上 | |
| 1 | N-InP | – | ±10％ | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 0 | N-InP基板 | 350±25 | – | S ドープ >3E+18 | – | – | 2インチウェーハ |
| ＃ | 格子不一致 | <±100ppm | – | – | – | DCXD | エピウェーハの中心でテスト |
アイテム4：
PAM221226-1550-APD
| 層 | 材料 | 厚さ(ええと) | ドーピング(cm3） |
| 7 | InP | – | アンドープ(N<1E15) |
| 6 | InP | 0.2 | – |
| 5 | ゲインAsP | – | – |
| 4 | ゲインAsP | – | – |
| 3 | ゲインAsP | – | – |
| 2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
| 1 | InP | – | Siドープ、n型、1.3E17 |
| N+ InP基板 |
詳細については、メールでお問い合わせください。[email protected] と [email protected].