インジウムガリウムヒ素（InGaAs）は、ガリウムインジウムヒ素とも呼ばれ、インジウム、ガリウム、ヒ素の3つの化学元素からなる化合物ファミリーの通称です。 インジウムとガリウムは両方ともホウ素グループの元素であり、しばしば「グループIII」と呼ばれますが、ヒ素はプニクトゲンまたは「グループV」の元素です。 半導体物理学では、これらのグループの元素の化合物は「III-V」化合物と呼ばれることがよくあります。 インジウムとガリウムは同じグループに属しているため、化学結合において同様の役割を果たします。InGaAsは、ガリウムヒ素とインジウムヒ素の合金と見なされることが多く、その特性は2つの中間であり、ガリウムとインジウムの比率によって異なります。 。 典型的な条件下では、InGaAsは半導体であり、オプトエレクトロニクス技術において特に重要であるため、広く研究されてきました。
現在、次のように新しい2インチInGaAs構造ウェーハを提供できます。
構造1：
| InP（ノンドープ）（4〜5 nm） |
| In0.53Ga0.47As (lightly p type)
（20 nm） |
| InP（ドープなし）（30 nm） |
| In0.52Al0.48As (lightly p type)
（100〜200 nm） |
| 2インチInPサブ （非ドープまたはpタイプ） |
構造2：
| n ++ InGaAs（〜30 nm）（5×1019cm-3、高いほど良い） |
| InP（ドープなし）（〜3 nm） |
| In0.53Ga0.47As（ドープなし）（10 nm） |
| In0.52Al0.48As（アンドープ）（100〜200 nm） |
| 2インチInP |
構造3
| n ++ InGaAs（〜30 nm）（5×1019cm-3、高いほど良い） |
| InP（アンドープ）（3〜5 nm） |
| In0.7Ga0.3As（ドープなし）（3 nm） |
| InAs（ドープなし）（2 nm） |
| In0.53Ga0.47As（ドープなし）（5 nm） |
| In0.52Al0.48As（ドープなし）（200 nm） |
| Si（ウェーハサイズ：大きいほど良い。） |
：構造4：
| InP（ノンドープ）（4〜5 nm） |
| In0.53Ga0.47As (lightly p type)
（20 nm） |
| In0.52Al0.48As（ドープなし）（10 nm） |
| バッファ層が必要 |
| シ |
：構造5：
| n ++ InGaAs（〜30 nm）（5×1019cm-3、高いほど良い） |
| InP（ドープなし）（〜3 nm） |
| In0.53Ga0.47As（ドープなし）（10 nm） |
| In0.52Al0.48As（ドープなし）（10 nm） |
| バッファ層 |
| シ |
出典：PAM-厦門
新しいInGaAs構造ウェーハの詳細については、次のWebサイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com orpowerwaymaterial@gmail.com.