405nm GaNレーザーダイオードウエハー

グループIII窒化物材料は、一種の直接バンドギャップ材料であり、ワイドバンドギャップ、強い化学物質の安定性、高い分解電界、高熱伝導率の利点があります。彼らは、効率的な光発光デバイスと電源電子デバイスの分野に幅広いアプリケーションの見通しを持っています。そこで、INの組成を変更することにより、三元化合物インガン材料のバンドギャップ幅を1.95EVの範囲で連続的に調整できます。 Pam-Xiamenは提供できますエピタキシャルウェーハSi基板上のIngan / Gan MQW（Multi Quantum Well）の波長405nmのレーザーダイオードを製造するための。詳細な仕様以下の表を参照してください。

 

1。405NMバイオレットLDウェーハは、インガン /ガンMQW構造に基づいています

エピレイヤー	材料		厚さ(nm)	構成		ドーピング
				Al%	の％	[Si]	[Mg]
0	Si（111）基質
1	nGaN		–			5.0E+18
2	AlGaN		–	3-10		–
3	InGaN系		70-150		–
4	MQW	InGaN-QW	–		–
		GaN-QB	–
5	InGaN系		–		2-8
6	AlGaN		–	–			–
7	pGaN						2.0E+19
8	接触層		10

 

2。Ingan / Gan Multiquantum Wellsで栽培された高出力レーザーのアプリケーション

GAN材料システム（Gan、Ingan、Algan）に基づくレーザーは、下の図に示すように、半導体レーザーの波長を可視スペクトルと紫外線に拡張します。ディスプレイ、照明、医療、国防、セキュリティ、金属加工、その他の分野に優れたアプリケーションの見通しがあります。

目に見えるものから紫外線まで、Gan材料（Gan、Ingan、Algan）の波長スペクトル

すべてのレーザーダイオードの中で、405 nm GANレーザーの開発と応用は、高密度光学貯蔵、レーザー直接書き込みリソグラフィ、および軽硬化産業の開発を促進しました。

3.なぜシリコン基質上のエピタキシャルインガン / Gan MQW材料？

Silicon基板上のGANベースの半導体材料とデバイスの技術は、大規模、低コストのシリコンウェーファー、および自動化されたプロセスラインにより、GANベースのオプトエレクトロニクスおよび電子デバイスの製造コストを大幅に削減するだけでなく、シリコンベースの光電子統合のための新しいパスを提供することも期待されています。シリコン基板材料上のインガン /ガンレーザーダイオードの直接成長により、GANベースの光電子デバイスをシリコンベースのオプトエレクトロニクスデバイスと有機的に統合することができます。

4. FAQs of GaN on Si LD Epiwafer

Q1: What is the dislocation density of the GaN‑on‑Si LD epiwafer?

A: Typical dislocation density values are: screw dislocations ~ XX cm⁻²; edge dislocations ~ XX cm⁻². For specific values, please contact our sales team at [email protected].

Q2: Can this InGaN/GaN multiple‑quantum‑well (MQW) epitaxial structure be used for electrically pumped LDs?

A: Yes. This structure is specifically designed for electrically pumped lasing, and we consistently use electrical injection for testing and lasing operation.

Q3: Can thinner Si substrates be used for LD epitaxy? Is there a protective layer on the wafer surface?

A: Considering uniformity and other factors, we recommend using Si substrates of XX thickness for this LD epitaxial structure. There is no special additional dielectric protective layer on the wafer surface.

Q4: Can p‑type substrates be used to grow the LD epitaxial structure?

A: Currently, there is no commercially mature and suitable p‑type substrate for such optoelectronic devices. Optoelectronic devices (such as LDs) typically use n‑type substrates.

Q5: What is the lifetime of electrically injected InGaN/GaN lasers?

A: At present, silicon‑based devices mainly achieve pulsed lasing; continuous‑wave (CW) lifetimes are still relatively short. Under pulsed conditions, the lifetime can reach XX hours or more (exact values vary with device processing). For detailed value, please contact our sales team at [email protected]

 

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Gan Ld Wafer blue Emission供給することもできます。詳細については、参照してくださいhttps://www.powerwaywafer.com/blue-gan-ld-wafer.html.

 

述べる：
中国政府は、ガリウム材料の輸出に関する新しい制限（GAAS、GAN、GA2O3、GAP、INGAAS、GASBなど）と、半導体チップの製造に使用されるゲルマニウム材料を発表しました。 2023年8月1日から、これらの材料の輸出は、中国商務省からライセンスを取得した場合にのみ許可されます。あなたの理解と協力を願っています！

詳細については、メールでお問い合わせください[email protected] と [email protected].