MM波回路用のベンゾシクロブテンベースのウェーハボンディングによるSiGe-BiCMOS上の三次元InP-DHBT集積

MM波回路用のベンゾシクロブテンベースのウェーハボンディングによるSiGe-BiCMOS上の三次元InP-DHBT集積

ハイライト

• ウェハレベルでの異種 Si-to-InP 回路の製造スキームについて説明します。
●接合後は4~8μm以上のウェハ間アライメント精度が得られます。
•最大 220 GHz の優れたパフォーマンスを備えた相互接続が実証されました。
•Alベースの技術と金ベースの技術を組み合わせる場合に必要なパラジウムバリア。


抽象

両方の素材特性を活かすためにInP-HBTおよび SiGe-BiCMOS テクノロジーでは、三次元 (3D) ベンゾシクロブテン (BCB) ベースのウェーハ接合統合スキームを採用しました。 転写基板技術に基づくモノリシックウェーハ製造プロセスが開発され、複雑なヘテロ集積高周波回路の実現が可能になりました。 挿入損失が低く、広帯域特性に優れた小型の垂直相互接続 (ビア) により、InP サブ回路と BiCMOS サブ回路間のシームレスな移行が可能になります。


 


抽象

両方の素材特性を活かすためにInP-HBTおよび SiGe-BiCMOS テクノロジーでは、三次元 (3D) ベンゾシクロブテン (BCB) ベースのウェーハ接合統合スキームを採用しました。 転写基板技術に基づくモノリシックウェーハ製造プロセスが開発され、複雑なヘテロ集積高周波回路の実現が可能になりました。 挿入損失が低く、広帯域特性に優れた小型の垂直相互接続 (ビア) により、InP サブ回路と BiCMOS サブ回路間のシームレスな移行が可能になります。


グラフィカルな抽象

 

フルサイズ画像 (33 K)

 

キーワード

  • ヘテロ接合バイポーラトランジスタ;
  • リン化インジウム;
  • モノリシック集積回路;
  • 三次元集積回路;
  • ウェーハボンディング;
  • ウェーハスケールの統合

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