INPリン化インジウム結晶基板
PAM XIAMEN は InP リン化インジウム結晶基板を提供しています。
PAM XIAMEN Supplies で販売されている高品質の InP (リン化インジウム) 結晶基板をお選びください。当社の InP 基板にはさまざまなサイズと導電性タイプがあります。
| 主なパラメータ | |||||||
| 単結晶 | ドーパント | 導電性の種類 | キャリア濃度 | 移動度(cm2/Vs) | 転位密度(cm-2) | 標準ウェーハサイズ | |
| CM-3 | |||||||
| InP | なし | (0.4-2)*10^16 | 3500～4000 | 5*10^4 | Φ2×0.35mm | ||
| N | Φ3×0.35mm | ||||||
| InP | S | N | (0.8-3)*10^18 | 2000~2400 | 3*10^4 | Φ2×0.35mm | |
| (4-6)*10^18 | 1300～1600 | 2*10^3 | Φ3×0.35mm | ||||
| InP | 亜鉛 | P | (0.6-2)*10^18 | 1200～3500 | 2*10^4 | Φ2×0.35mm | |
| Φ3×0.35mm | |||||||
| InP | テ | N | 107-10^8 | 2000年 | 3*10^4 | Φ2×0.35mm | |
| Φ3×0.35mm | |||||||
| 寸法 (mm) | 直径50.8×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm | ||||||
| 表面粗さ | 表面粗さ(Ra):<=5A | ||||||
| 研磨 | 片面または両面研磨 | ||||||
詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com,
にメールを送ってください[email protected] と [email protected]
1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Materials Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。PAM-XIAMEN は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、加工基板および半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMEN の技術により、半導体ウェーハのより高性能かつ低コストの製造が可能になります。
25年以上の半導体ラインでの経験をもとに、お問い合わせからアフターサービスまで無料の技術サービスをご利用いただけます。