InSb検出器
アンチモン化インジウム (InSb) 検出器は、中波赤外 (MWIR) 帯域に感度があります。 3 ～ 5um 帯域の中赤外検出に関しては、成熟した材料技術の利点、高感度、優れた安定性により、InSb 検出器は他の材料をベースとした検出器より際立っています。低温では、InSb材料赤外光の吸収係数が高い (~1014cm-1)、80% 以上の量子効率、および高いキャリア移動度 (un~105cm2∙V-1∙s-1）。 InSb IR 検出器には非常に顕著な技術的利点があり、その応用分野は高精度誘導、ポータブルイメージング、車両、船舶、航空機、航空宇宙などをカバーしています。PAM-XIAMEN が提供する InSb 検出器アレイは 128 x 128 ピクセルで、検出器のスペクトル応答範囲は 128 x 128 ピクセルです。 3.7μm～4.8μm。仕様は以下の表を参照してください。
1. MWIR InSb 検出器の技術パラメータ
| 商品名 | 主な仕様 | |
| MW128×128
（JT） InSb赤外線検出器 |
画素数 | 128×128 |
| ピクセルピッチ | 15um×15um | |
| ピクセルの操作性 | 99% | |
| 応答性の不均一性 | ≤6％ | |
| NETD | ≤15mK | |
| FOV | 2 | |
| クールダウン時間 | ≤30秒 | |
| 重さ | ≤250g | |
2. 赤外 InSb 検出器のプロセス
赤外線検出技術の継続的な開発により、InSb 材料に基づく感光性チップは、ユニットチップから、マルチ素子、ラインアレイ、エリアアレイチップへと進化してきました。フリップチップ相互接続プロセスの後、感光チップと信号処理回路が結合され、赤外線信号検出の核となるコンポーネントを構成する光学系の焦点面に配置されます。光電変換の実現においては、受光チップの性能が冷却InSb検出器の検出レベルを決定する重要な要素の1つとなります。エリア アレイ感光性チップの準備では、PN 接合の品質と感光性ピクセル ユニットの効果的な分離がエリア アレイ チップの準備の中核鍵となります。 PN接合の作製工程は、拡散工程、イオン注入工程、エピタキシー工程に分かれます。 PN 接合の製造技術が異なれば、対応する表面アレイ構造の製造技術も異なります。
InSb焦点面検出器技術ルートの模式図
中波帯の赤外線 InSb 検出器の技術レベルは継続的に向上しています。エリアアレイのサイズは増加し続けており、InSb 検出器の量子効率は向上し続けており、高温動作とデュアルマルチカラー検出器が完全に開発されています。
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