PAM XIAMENはInSbウェーハを提供しています。
InSb Geドープ
InSb (100) 10x10x 0.45 mm、P タイプ、Ge ドープ、片面研磨
InSb (100) 5x5x 0.45 mm、P タイプ、Ge ドープ、片面研磨-1
InSb (100) 2 インチ径 x 0.45 mm、P タイプ、Ge ドープ、片面研磨、キャリア濃度: (0.5-5.0)x10^17/cc
InSb (100) 2 インチ径 x 0.45 mm、P タイプ、Ge ドープ、両面研磨、CC: 1.35×10^15/cc
InSb Te ドープ
InSb (100) 10x10x 0.45 mm、N タイプ、Te ドープ、片面研磨
InSb (100) 5 x 5 x 0.45 mm、N タイプ、Te ドープ、片面研磨
InSb (100) 2 インチ径 x 0.45 mm、Te ドープ、N タイプ、片面研磨
InSb (100) 2"" 直径 x 0.5 mm、Te ドープ、N タイプ、両面研磨済み
InSb (111)- B 2 インチ径 x 0.45 mm、Te ドープ、N タイプ、片面 (Sb) 研磨
InSb アンドープ
InSb (100) 10x10x 0.5 mm、アンドープ、N タイプ、片面研磨
InSb (100) 10x10x 0.5mm、アンドープ、N タイプ、両面研磨
InSb (100) 5x5x 0.5mm、アンドープ、N タイプ、両面研磨
InSb (100) 5x5x0.5 mm、アンドープ、N タイプ、片面研磨
InSb (100) 2 インチ径 x 0.5 mm、アンドープ、N タイプ、片面研磨
InSb (100) 2 インチ径 x 0.5 mm、N タイプ アンドープ、両面研磨
InSb (111)A 2 インチ径 x 0.5 mm、アンドープ、N タイプ、片面研磨
詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com、
にメールを送ってくださいsales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com
1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。PAM-Xiamen は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、エンジニアリング基板、および半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMEN の技術は、半導体ウェーハの高性能化と低コスト製造を可能にします。
どんなに小さな注文でも、どんなに難しい質問でも、お客様のすべての要件を満たすことが私たちの目標です。
当社の認定製品と満足のいくサービスを通じて、すべてのお客様の持続的かつ収益性の高い成長を維持すること。