InSbのウェハー

InSbのウェハー

PAM XIAMENはInSbウェーハを提供しています。

InSb Geドープ

InSb (100) 10x10x 0.45 mm、P タイプ、Ge ドープ、片面研磨

InSb (100) 5x5x 0.45 mm、P タイプ、Ge ドープ、片面研磨-1

InSb (100) 2 インチ径 x 0.45 mm、P タイプ、Ge ドープ、片面研磨、キャリア濃度: (0.5-5.0)x10^17/cc

InSb (100) 2 インチ径 x 0.45 mm、P タイプ、Ge ドープ、両面研磨、CC: 1.35×10^15/cc

InSb Te ドープ

InSb (100) 10x10x 0.45 mm、N タイプ、Te ドープ、片面研磨

InSb (100) 5 x 5 x 0.45 mm、N タイプ、Te ドープ、片面研磨

InSb (100) 2 インチ径 x 0.45 mm、Te ドープ、N タイプ、片面研磨

InSb (100) 2"" 直径 x 0.5 mm、Te ドープ、N タイプ、両面研磨済み

InSb (111)- B 2 インチ径 x 0.45 mm、Te ドープ、N タイプ、片面 (Sb) 研磨

InSb アンドープ

InSb (100) 10x10x 0.5 mm、アンドープ、N タイプ、片面研磨

InSb (100) 10x10x 0.5mm、アンドープ、N タイプ、両面研磨

InSb (100) 5x5x 0.5mm、アンドープ、N タイプ、両面研磨

InSb (100) 5x5x0.5 mm、アンドープ、N タイプ、片面研磨

InSb (100) 2 インチ径 x 0.5 mm、アンドープ、N タイプ、片面研磨

InSb (100) 2 インチ径 x 0.5 mm、N タイプ アンドープ、両面研磨

InSb (111)A 2 インチ径 x 0.5 mm、アンドープ、N タイプ、片面研磨

詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com
にメールを送ってくださいsales@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。PAM-Xiamen は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、エンジニアリング基板、および半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMEN の技術は、半導体ウェーハの高性能化と低コスト製造を可能にします。

どんなに小さな注文でも、どんなに難しい質問でも、お客様のすべての要件を満たすことが私たちの目標です。
当社の認定製品と満足のいくサービスを通じて、すべてのお客様の持続的かつ収益性の高い成長を維持すること。

この投稿を共有