LiNbO3のクリスタル

LiNbO3のクリスタル

PAM厦門は、LiNbO3のクリスタルを提供しています。

LiNbO3のクリスタル 独特の電気光学、圧電、光弾性および非線形光学特性を有します。 彼らは強く複屈折性です。 これらは、等他の音響opticdevices、ギガヘルツ周波数に対する光スイッチは、等、これは光導波路を製造するための優れた材料である、laserfrequency倍加、非線形光学、ポッケルスセル、光パラメトリック発振器、レーザのQスイッチングデバイスで使用されています

SAWグレードのLiNbO3ウエハース

1、LiNbO3のは見たグレードのX-カット

LiNbO3のグレードを見て、X-カット、10x10x0.5ミリメートル、1SP
LiNbO3のグレードを見て、X-カット、10x10x0.5ミリメートル、2SP
LiNbO3のグレードを見て、X-カット、2 "ウェハ、1SP
LiNbO3のは見たグレードのウェハ、X-カット、3 "x0.5ミリメートル、1SP

2、LiNbO3のはグレードYカットを見ました

LiNbO3 SAWグレード、オリエンテーションフラットとYXカットオフ36度Xカットまたは<11-20>、20x20x0.5mm、1SP
LiNbO3 SAWグレード、Yカット、10x10x0.5mm、1SP
LiNbO3 SAWグレード、Yカット、36度オフ10x10x0.1mm、2SP
LiNbO3 SAWグレード、Yカット、36度オフ10x10x0.5mm、1SP
LiNbO3のは、グレードのウェハ、Yカット、直径2 "のを見ました。 x0.5ミリメートルの厚さの、1SP
LiNbO3のは、グレードのウェハ、Yカット、3 "のDIAを見ました。 ×0.5 mm厚、1SP
LiNbO3のは、グレードのウェハ、128度を見ました。 フラット、3 "x0.5ミリメートル、1SPとYcut
LiNbO3のは、グレードのウェハ、36度を見ました。 フラット、3 "x0.5ミリメートル、1SPなしYcut
LiNbO3のは、グレードのウェハ、128度を見ました。 YXカット、4 "DIAのx0.5ミリメートル、1SP
LiNbO3のは、グレードのウェハ、128度を見ました。 Y / Xカット、3 "1.0倍のMM、2SP
LiNbO3のは、グレードのウェハ、128度を見ました。 YXカット、3 "x0.5ミリメートル、2SP
LiNbO3のは、グレードのウェハ、128度を見ました。 YXカット、4 "DIAのx0.5ミリメートル、2SP
LiNbO3のは、グレードのウェハ、128度を見ました。 YXカット、4 "DIAの1.0倍のミリメートル、2SP

3、LiNbO3のは見たグレードZカット

LiNbO3 SAWグレード、Zカット、10x10x0.5mm、1SP
LiNbO3のは見たグレード、Z-カット、2「x0.5mmウエハ、1SP
LiNbO3のは見たグレードのウェハ、Zカット、3 "x0.5ミリメートル、1SP

光学グレードのLiNbO3ウエハース

LiNbO3の光学グレード、Zカット、5x5x0.5 MM、2SP
LiNbO3の光学グレード、X-カット、10x10x0.1mm、2SP
LiNbO3の光学グレード、X-カット、10x10x0.5mm、2SP
LiNbO3の光学グレード、X-カット、10x10x1.0mm、2SP
LiNbO3の光学グレード、Yカット、10x10x0.5mm、2SP
LiNbO3の光学グレード、Zカット、10x10x0.1mm、2SP
LiNbO3の光学グレード、Zカット、10x10x0.5mm、2SP
LiNbO3のウェハ、光学グレード、X-カット、3 "x0.5mm、2SP
LiNbO3のウェハ、光学グレード、Yカット、3 "x0.5mm、2SP
LiNbO3ウェハ、光学グレード、Zカット、3 "x0.5mm、2SP

ドープされたマグネシウム（Mg＆鉄）のLiNbO3ウェハ

MGは、LiNbO3の光学グレード、Zカット、10x10x0.5 MM、2SPドープ
FeドープのLiNbO3結晶、Zカット、10x10x0.5 MM、2SP
FEは、LiNbO3の結晶、Zカット、2” DIAのx0.5ミリメートル、2SPドープ

SLN（化学量論のLiNbO3）Wafres

MgOを1.3モル％は、化学量論のLiNbO3（MgSLN）ウェハ、Zカット、3 "DIAをドープしました。 ×0.5ミリメートル、1SP
MgOはLiNbO3の光学グレード、Zカット、10x10x0.5 MM、2SPドープ
化学量論のLiNbO3（SLN）ウェハ、Zカット、10×10×0.5ミリメートル、1SP
化学量論のLiNbO3（SLN）ウェハ、Zカット、10×10×0.5ミリメートルT、2SP

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com、
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com

1990年に発見、アモイPowerwayアドバンストマテリアル株式会社（PAM-厦門）は、中国での半導体材料のリーディングカンパニーです。PAM-厦門は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、操作基板および半導体装置を開発します。PAM-厦門の技術は、より高いパフォーマンスと半導体ウエハの低コストの製造を可能にします。

化合物半導体材料分野と輸出ビジネス以上25回の+年間の経験では、私たちのチームは、我々はあなたの要件を理解し、専門的にあなたのプロジェクトを扱うことができることを保証することができます。

2019-05-07

この記事を共有します

関連した 投稿

Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching

Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching We demonstrate a technique based on wet chemical etching that enables quick and accurate evaluation of edge- and screw/mixed-type threading dislocations (TDs) in GaN. Large and small etch pits are formed by phosphoric acid [...]

2013-05-16メタ著者
YAG Crystals-1

PAM XIAMEN offers Nd YAG Nd Doped Yttrium Aluminium Garnet Laser Crystal. Main Specifications dimensional tolerance： Dia：< +/-0.025 mm ,length: < +/-0.5 mm flatness： λ/8 @633nm Surface fineness： 10/5 flatness： 20 arc sec. verticality： 5 arc min orientation： <111> crystalline direction,< +/-0.5° coating film： AR coating, HR Coating reflect： R<0.2%@1064, HR:R>99.8%@1064,R<5%@808nm, clear aperture： >95% central area wavefront distortion： <7mm diameter : <λ/8 per inch @ 633nm, 7mm diameter : <λ/10per inch @ 633nm Publications related to YAG laser crystals:  [1] J. E. Geusic et al., “Laser oscillations in Nd-doped yttrium aluminum, yttrium gallium and gadolinium garnets”, Appl. Phys. Lett. 4 (10), 182 (1964) [2] D. Y. Shen et al., “Highly efficient in-band pumped Er:YAG laser [...]

2019-03-15メタ著者
50.8mm (2 Inch) Silicon Wafers-2

PAM XIAMEN offers 50.8mm Si wafers. Please send us email at sales@powerwaywafer.com  if you need other specs and quantity. Item Material Orient. Diam (mm) Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment PAM2005 Intrinsic Si:- [100] 2″ 280 ±10 P/E FZ >8,500 SEMI Prime, 1Flat, TTV<5μm, hard cst PAM2006 Intrinsic Si:- [100] 2″ 300 P/E FZ 5,000–10,000 SEMI Prime, 1Flat, hard cst PAM2007 Intrinsic Si:- [100] 2″ 300 P/E FZ 5,000–10,000 SEMI Prime, 1Flat, in hard cassettes of 2 & 5 wafers PAM2008 Intrinsic Si:- [111] [...]

2019-02-18メタ著者
Characterization of 6.1 Å III–V materials grown on GaAs and Si: A comparison of GaSb/GaAs epitaxy and GaSb/AlSb/Si epitaxy

Highlights •GaSb p–i–n diodes were grown on Si and GaAs using interfacial misfit (IMF) arrays. •Transmission electron microscopy images revealed arrays of 90° misfit dislocations. •Threading dislocation densities of around View the MathML source were found in each case. •Lower dark currents and higher quantum efficiency was found [...]

2015-12-18メタ著者
20 years and counting for the GaN LED

A commercially viable GaN LED was an incredibly hard nut to crack that required the development of a buffer layer and a novel approach to p-type doping. But 20 years ago it all came together. Richard Stevenson looks back at the device’s birth. (more…)

2012-03-06メタ著者
Effect of Al-induced crystallization on CdZnTe thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering

High quality polycrystalline CdZnTe films were prepared by aluminum induced crystallization (AIC) and radio frequency (r.f.) magnetron sputtering. The crystallinity, morphology and optical property of both as-deposited and AIC samples were investigated by X-ray diffraction (XRD), and atomic force microscopy (AFM), as well as Raman and [...]

2013-11-13メタ著者 、