SiO2 層と LN 膜の間には金属電極層 (Au、Pt、Al またはその他の金属) があります。金属電極層と上部電極層との間のＬＮ膜上に電場を印加することができる。圧電効果、強誘電体ドメインスイッチング効果、熱電効果に基づいて、この薄膜は、高周波、高帯域幅のRFフィルタ、低電力、高速の強誘電体メモリ、高感度赤外線検出器などの弾性表面波デバイス、メモリデバイスおよびセンサに応用されています。
単結晶ニオブ酸リチウム薄膜は、高速、広帯域、高密度、高効率の光回路や電子デバイスの開発にとって非常に重要です。
サイズ：3インチ
厚さ:300~700nm
方向:Z カット
構造は以下のとおりです。
ニオブ酸リチウム薄膜
電極
SiO2
ニオブ酸リチウム基板
PAM-XIAMEN から販売されているグラフェンのウエハーは、PET フィルム上の単層グラフェン、SiO2/シリコン上の単層グラフェン、二層グラフェン...
Other Wafers ZnO Wafer Quantity Material Orientation. Size Thickness Polish Resistivity Type Dopant Prime flat EPD Ra PCS (mm) (μm) Ω·cm Orientation /cm2 nm 1-100 ZnO (0001) 10x10 1000 SSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 10x10 1000 DSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 10x10 500 SSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 10x10 500 DSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (10-10) 10x10 500 DSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 10x10 500 SSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 10X15 300 SSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO N/A 14X14 1000 SSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 15X15 300 SSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 25.4x25.4 1000 DSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 25.4x25.4 3000 DSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 25.4x25.4 3000 As cut N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 25.4x25.4 3000 DSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 25.4x25.4 2000 DSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 5x5 500 SSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 5X5 500 DSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (0001) 5X5 500 SSP N/A undoped none N/A <0.5 1-100 ZnO (11-20) 5X5 500 SSP N/A undoped none N/A <0.5 As a ZnO semiconductor wafer supplier, we offer ZnO semiconductor wafer list for your reference, if you need price detail, please contact our sales team Note: *** As manufacturer, we also accept small quantity for researcher or foundry. ***Delivery time: it depends on stock we have, if we have stock, we can ship to you soon. MgO Wafer Quantity Material Orientation. Size Thickness Polish Resistivity Type Dopant Prime flat EPD Ra PCS (mm) (μm) Ω·cm Orientation /cm2 nm 1-100 MgO (100) 50.8 500 SSP N/A N/A N/A N/A <0.5 1-100 MgO (111) 10x10 500 SSP N/A N/A N/A N/A <0.5 1-100 MgO (111) 10x10 1000 SSP N/A N/A N/A N/A <0.5 1-100 MgO (100) 10x10 1000 SSP N/A N/A N/A N/A <0.5 1-100 MgO (100) 10x10 500 SSP N/A N/A N/A N/A <0.5 1-100 MgO (100) 10x10 500 DSP N/A N/A N/A N/A <0.5 As a MgO semiconductor wafer supplier,we offer...
Ge Wafer Substrate-Germanium No. Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Prime flat EPD Ra (mm) (μm) Ω·cm Orientation /cm2 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.0138-0.02 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP ≥30 N/undoped N/A N/A <5A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 58.4-63.4 N/undoped N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 0.1-1 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 1000 DSP >30 N/A (110) N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 2000 SSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 4000 SSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (111)/(110) 50.8 200000 N/A 5-20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 400 SSP <0.4 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)/(111) 50.8 4000±10 DSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 350 SSP 1-10 P/Ga (110) ≤5000 N/A PAMP20295 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 2-10 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.3-3 N/Sb (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.3-3 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (111) 60 1000 As cut >30 N/A (110) <3000 N/A 1-100 Ge (100) 100 N/A SSP <0.019 P/Ga (110) <500 N/A 1-100 Ge (100) 100 1000±25 SSP ≥30 N/undoped N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) off 6°or off 9° 100 500 SSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP <0.01 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP <0.01 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP ≥35 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP ≥35 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A <5A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A <5A 1-100 Ge (100)6°off (111) 100 185±15 DSP 0.01-0.05 N/A (110) ≤5000 <5A 1-100 Ge (100)6°off (110) 100 525±25 SSP 0.01-0.04 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 1000±15 SSP ≥30 N/A (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 100 750±25 SSP ≥30 N/A (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 100 500±25 SSP 10-30 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <4000 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 N/Sb N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 N/Sb N/A <4000 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 190 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 190 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <4000 N/A 1-100 Ge (111) 100 500±25 SSP <0.4 N/Sb N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)6°off-cut toward(111)A 100 175±25 SSP 0.003-0.009 P/Ga (0-1-1) (0-11) <100 N/A PAM210802 Ge (100) 100 175 DSP <0.02 P N/A N/A N/A 1-100 Ge (310)±0.1° 100 200±15 DSP >20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (111) 150 600-700 N/A >30 N/A (110) N/A N/A Germanium wafer list here is for your...
Lithium Niobate(LN) Thin Film on Insulator Single crystal Lithium Niobate(LN) films can be integrated on lithium niobate substrate. The structure can be used in...
超電導基板 結晶構造 MP 密度 熱膨張 誘電率 成長技術&最大。サイズ 標準 1 または 2 面エピ研磨ウェーハ oC g/cm3 LSAT 立方体 1840 6.74 10 22 CZ 20x20x0.5mm (LaAlO3)0.3 -(Sr2AlTaO8)0.7 a=3.868 Å Å 35mm 10x10x0.5mm LaAlO3 菱形。 2100 6.51 9.2 24.5 CZ Ø3"x0.5mm a=3.790 Å Å3" Ø2"x0.5mm c=13.11 Å Å1"x0.5mm 10x10x0.5mm MgO 立方晶 2852 3.58 12.8 9.8 フラックスØ2インチx0.5mm a=4.21Å Ø2インチ 10x10x0.5mm NdGaO3オルトール。 1600 7.57 7.8 25 CZ Ø2"x0.5mm a=5.43...
Intrinsic silicon wafer in stock,but not limited to the following. In Stock, But Not Limited To The Following. Wafer No. Wafer Size Polished Type/Orientation Wafer Thickness(um) Resisistivity...
