INSB磁気耐性（MR）センサー

インジウムアンチモニド（INSB）磁気耐性（MR）センサーのコア敏感な要素である薄膜マグネトレオレス装置は、PAM-Xiamenから、非接触測定、少量、高い信頼性、高信号対雑音比、広い周波数応答の特性を備えています（0-100kHz）。 INSB磁気抵抗は、の磁気抵抗効果を使用して作成された新しいタイプの機密要素です。InSbフィルム。磁場を媒体として使用して、非電気量を測定または制御するために、さまざまな非電気量（さまざまな変位や速度など）を抵抗値の変化に変換できます。この変換は非接触状況で実行されるため、磁気抵抗センサーは、さまざまなセンサーを作成するための高い信頼性、小さなサイズ、軽量の特性を持っています。この種の磁気敏感なデバイスには、業界と多くの科学的および技術分野で幅広い用途があります。の既存の磁気抵抗PAM-厦門次のとおりです：

1。INSBマグネトレオレオス装置の仕様

磁気構造：

マーク：INSB薄膜マグネトレオレオス装置の生産は、高度な薄膜の生産と平面フォトエッチングテクノロジーを採用しており、そのパターン、サイズ、抵抗は、ニーズに応じて柔軟に設計できます。

磁気耐性センサーには3つの主要なパラメーターがあります。

• 磁気抵抗比：それは、指定された磁気誘導強度の下でのゼロ磁気誘導の下での抵抗値に対する磁気抵抗抵抗値の比を指します。
• 磁気抵抗係数：磁気センサーの抵抗値の比率と、特定の磁気誘導強度の下での公称抵抗値とを指します。
• 磁気感度感度：指定された磁束密度の下で磁束密度を持つ磁気抵抗フィールドセンサーの抵抗値の相対変動率を指します。

2。磁気耐性センサーの動作原理

ザ· 磁気センサーINSB薄膜で製造されることは、多くの場合、高速測定、角度制御、位置制御、信号追跡などに理想的なソリューションです。その抵抗Rは、磁束密度Bの変化が垂直に通過すると変化します。 b> 0.1t、r∝b;下の図に示すように、B = 0.3T> 2.0の場合。

この機能を使用すると、磁場を媒体として使用して、非電気を測定および制御するために、接触せずに、非電気性（変位、速度、角度変位、圧力、加速など）を電気エネルギーに変換するのに便利です。

3。INSB薄膜におけるマグネト抵抗器効果

INSB材料は、典型的な複合半導体材料です。シリコン、ゲルマニウム、およびアルセニドガリウムと比較して、それは重要な磁気抵抗効果を持っています。したがって、磁気星センサーはINSB材料を使用して、物理的磁気抵抗効果や幾何学的磁気抵抗効果を含む半導体材料の磁気抵抗効果をもたらします。物理的な磁気抵抗効果は、磁気抵抗効果とも呼ばれます。長方形の半導体チップでは、電流が長さ方向に沿って流れると、磁場が電流に垂直な厚さ方向に適用されると、SMRチップの長さ方向が抵抗率が増加します。この現象は、物理的な磁気効果または磁性効果と呼ばれます。

4。マグネトレオス剤センサーアプリケーション

MRセンサーとして、マグネトレオレオス装置をコア要素として使用するさまざまな磁気抵抗要素センサーの作業原理は同じですが、目的と構造によってタイプは異なります。したがって、それは磁気センサーで使用できます。これは、一定の磁場と交互の磁場または電気機械の残留磁気を測定するための機器、およびナビゲーションと航空のナビゲーション装置です。さらに、磁気耐性センサーは、速度センサー、角度変位センサー、強磁性センサー用にすることができます。マグネトレオレス装置と電子コンポーネントの組み合わせは、AC-DCコンバーター、周波数乗数、モジュレーター、および発振器を形成できます。

磁気抵抗センサーの詳細については、読んでください。https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistive-sensor.html

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