Differential Magnetoresistive Sensor

Differential Magnetoresistive Sensor

Differential magnetoresistive sensor for sale from PAM-厦門 is one of magnetoresistive sensors, which is packaged by indium antimonide (InSb) thin film magnetoresistor plus bias magnet with a metal shell. As a result, the output signal is a quasi-sine wave signal. The specification of differential magnetoresistive (MR) sensor provided is as following:

磁気抵抗センサー画像

Differential Magnetoresistive Sensor Image

1. Differential Magnetoresistive Sensor Datasheet

This differential magnetic resistance sensor has a low resistance from 300 ohm to 900 ohm with a size of Dia. 10mm.

技術的なパラメータ PAM10-10L PAM10-10D
最大動作電圧 DC 10V DC 10V
定格動作電圧 DC 5V DC 5V
Vinでの出力オフセット電圧

25℃δ=∞

≤130mV ≤130mV
出力振幅、25℃δ= 0.15mm、

標準ターゲットオブジェクト

> 900 mV > 1000 mV
全抵抗R1-3,25℃、

I <1mA、δ=∞

220-900Ω 900-1600Ω
抵抗の非対称性(R12&R13)25℃、δ=∞

 

≤10% ≤10%
カットオフ周波数 > 20KHz > 20KHz
作業温度

 

-30〜70℃ -30〜70℃

 

Differential MR Sensor Dimensions:

Differential MR Sensor Dimensions

2.磁気抵抗センサーとは何ですか?

磁気抵抗効果センサーは、磁性材料の磁気抵抗効果に基づいて作られています。 磁性材料には異方性特性があります。 それを磁化するとき、磁化の方向は、材料の容易軸、形状、および磁化磁場の方向に依存します。 ストリップ状のパーマロイ材料に電流Iを流すと、材料の抵抗は電流の方向と磁化の方向の間の角度に依存します。

磁場B(測定された磁場)が材料に適用されると、元の磁化方向が回転します。 磁化方向が電流に垂直な方向に変わると、材料の抵抗が減少します。 磁化方向が電流に平行な方向になると、材料の抵抗が増加します。 磁気抵抗ベースのセンサーは、一般に4つのそのような抵抗器で構成され、それらを接続してブリッジを形成します。 測定された磁場Bの作用下で、ブリッジの反対の位置にある2つの抵抗器の抵抗値は増加し、他の2つの抵抗器の抵抗値は減少します。

3.磁気抵抗センサーの種類とは何ですか?

磁気抵抗センサーは、基本的に2つのカテゴリに分類できます。

第一に、高磁場の印加において、印加された磁場強度が軟磁性センサー材料を飽和させるのに十分に高い場合、センサー内の磁気ベクトルは、印加された磁場にほぼ平行である。 したがって、非接触磁気抵抗角度センサーは、磁気抵抗高磁場センサーの一般的なアプリケーションです。

第二に、低磁場の適用に関しては、縦方向のレオロジーに対する自然な好みが磁化によって示されるため、ストリップの形状が磁化ベクトルを決定します。 外部磁気はストリップに磁化歪みを引き起こし、MR効果により抵抗を変化させます。 そのため、通常、このパターンでは線形低磁場センサーが使用されます。

磁気抵抗センサーVSホール効果センサー

磁気抵抗センサーの感度と直線性は、磁気コンパスの要件を満たすことができ、すべての面でその性能はホールデバイスよりも大幅に優れています。 MRセンサーの順磁化と逆磁化を交互に行うことで、ヒステリシス誤差とゼロ点温度ドリフトを排除することもできます。 磁気抵抗センサーのこれらの優れた性能により、一部のアプリケーションではフラックスゲートと競合する可能性があります。

4. How Does a Differential Magnetoresistive Sensor Work ?

フィルムの磁気抵抗の裏側にバイアス磁場または磁性鉄を課すことは、差動磁気抵抗センサーのコア構造です。 MR1とMR2の磁場は1つずつ増加し、強磁性体または磁石が検出領域を通過するときにMR1とMR2の抵抗が増加します。 ①と③の端にVccの電圧を印加すると、②の端に正弦波が発生します。 次の図を参照してください。

Differential MR Sensor Working Principle

5. Differential Magnetoresistive Sensors Properties 

There are many characteristics of differential magneto resistive sensor:

  • 広範囲の速度を感知できます。
  • 頑丈な金属製のハウジングがあります。
  • 信号の振幅は速度とは関係ありません。
  • バイアス磁石が内蔵されています。
  • 過酷な環境に最適です。

6. Differential Magnetoresistive Sensor Applications

差動磁気抵抗センサーの優れた特性により、速度の検出、角度の検出、電気スピンドルのRPMの検出、PCBパンチのRPMの測定、線形小変位の測定など、さまざまなアプリケーションで使用できます。

6.1 Measuring RPM of PCB by Differential Magneto Resistive Sensor

The sensor of differential magnetic resistance is widely applied in the measuring the speed of ferromagnetic rotors, like slotted disk, gears, and rack. A stable sine wave can be got after installing correctly.

ギア速度を測定する差動磁気抵抗センサー

The usage of differential MR sensor in controlling excavator angle displacement :

Differential MR sensor applied in controlling angle displacement of excavator

6.2 Differential MR Sensor Measuring Small Displacement

A standard ferromagnetic target object in a specific size through the differential sensor along with the direction of sensing can obtain a signal, which is similar to the sine wave. The output signal is linear within a range of 1.5mm near the center position.

installation and output signal of differential magnetic resistance sensor measuring small displacement

マーク:

  • センサーは損傷しやすいため、検出面を絞ったり、衝突させたり、引っかいたりすることは禁じられています。
  • センサーは確実に固定され、設置プロセスで検知方向に沿って移動する必要があります。
  • The sensor working temperature should be -30~70 ℃. Temperature over the range will affect the lifetime;
  • The rated working voltage and the maximum working voltage of the differential magnetoresistive sensor is respectively 5V and 10V.

Please read the related post for more information about the magnetoresistance sensor: https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistance-sensor.html

詳細については、メールでお問い合わせください。 [email protected][email protected].

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