微分磁気センサー
販売用の差動マグネトーリスセンサーPAM-厦門マグネトーリスセンサーの1つであり、パッケージ化されていますインジウムアンチモニド（INSB）薄膜Magnetoresistor Plus Metal Shellを使用したバイアスマグネット。その結果、出力信号は準単一波信号です。提供される微分磁気（MR）センサーの仕様は次のとおりです。
微分磁気センサー画像
1。差動磁気センサーデータシート
この微分磁気抵抗センサーは、DIAのサイズの300オームから900オームまで低い抵抗を持っています。 10mm。
| 技術的パラメータ | PAM10-10L | PAM10-10D |
| 最大動作電圧 | DC 10V | DC 10V |
| 定格使用電圧 | DC 5V | DC 5V |
| 出力オフセット電圧 (Vin)
25℃δ=∞ |
≤130mV | ≤130mV |
| 出力振幅、25℃Δ= 0.15mm、
標準ターゲットオブジェクト |
＞ 900 mV | ＞ 1000 mV |
| 全抵抗 R1-3、25℃、
I ＜1mA、δ=∞ |
220-900Ω | 900-1600Ω |
| 抵抗の非対称性r12＆R13 ）25℃、Δ=∞
|
≤10％ | ≤10％ |
| カットオフ周波数 | ＞ 20KHz | ＞ 20KHz |
| 作業温度
|
-30〜70℃ | -30〜70℃ |
微分MRセンサーの寸法：
2。磁気センサーとは何ですか？
磁気効果センサーは、磁気材料の磁気抵抗効果に基づいて作成されます。磁気材料には異方性特性があります。磁化すると、磁化の方向は、材料の簡単な軸、形状、磁化磁場方向に依存します。電流Iがストリップ型のパーマロイ材料に適用されると、材料の抵抗は、電流の方向と磁化方向の間の角度に依存します。
磁場B（測定された磁場）が材料に適用されると、元の磁化方向が回転します。磁化方向が電流に対して垂直方向に変わると、材料の抵抗が減少します。磁化方向が電流に平行な方向に変わると、材料の抵抗が増加します。磁気ベースのセンサーは一般に4つのそのような抵抗器で構成され、それらを接続してブリッジを形成します。測定された磁場Bの作用下では、ブリッジの反対側にある2つの抵抗の抵抗値が増加し、他の2つの抵抗値の抵抗値が減少します。
3.マグネトリスセンサーの種類とは何ですか？
磁気センサーは基本的に2つのカテゴリに分けることができます。
第一に、高磁場の適用では、印加されたフィールド強度がソフト磁気センサー材料を飽和させるのに十分なほど高い場合、センサー内の磁気ベクトルは印加場とほぼ平行です。したがって、非接触磁気角度センサーは、磁気栄養性高フィールドセンサーの一般的なアプリケーションです。
第二に、低磁場アプリケーションに関しては、縦方向のレオロジーの自然な好みが磁化によって示されるため、ストリップの形が磁化ベクターを決定します。外部磁気は、ストリップに磁化の歪みを引き起こし、MR効果による抵抗を変えます。これにより、通常、このパターンでは線形低磁場センサーが使用されます。
磁気センサーvsホール効果センサー
磁気耐性センサーの感度と直線性は、磁気コンパスの要件を満たすことができ、あらゆる面でのその性能はホールデバイスよりも大幅に優れています。ヒステリシス誤差とゼロポイント温度ドリフトは、MRセンサーの順方向と逆磁化を交互にすることで排除することもできます。磁気栄養センサーのこれらの優れた性能のため、一部のアプリケーションでFluxgateと競合する可能性があります。
4.微分磁気センサーはどのように機能しますか？
フィルムの背面にバイアス磁場または磁気鉄を課す磁気磁性鉄は、微分磁気センサーのコア構造です。 MR 1とMR 2の磁場は1つずつ増加し、検出領域を通る強磁性オブジェクトまたは磁石が強磁性のオブジェクトまたは磁石が耐性を増加させます。 ①および③の終わりにVCCの電圧を適用すると、後端に正弦波があります。以下の図を参照してください。
5。差動磁気センサープロパティ
微分磁気抵抗センサーには多くの特性があります：
- 幅広い速度を感知できます。
- 頑丈な金属製ハウジングを備えています。
- 信号振幅は速度とは何の関係もありません。
- 組み込みのバイアス磁石があります。
- 厳しい環境に最適です。
6。差動磁気センサーアプリケーション
微分磁気抵抗センサーの優れた特性により、速度の検出、角度の検出、電気紡錘体の検出、PCBパンチのRPMの測定、線形小さな変位などの測定など、さまざまなアプリケーションで使用できます。特に：
6.1差動磁気抵抗センサーによるPCBのRPMの測定
差動磁気抵抗のセンサーは、スロット付きディスク、ギア、ラックなど、強磁性ローターの速度を測定することに広く適用されます。安定した正弦波は、正しくインストールした後に得ることができます。
掘削角変位の制御における微分MRセンサーの使用：
6.2小さな変位を測定する微分MRセンサー
微分センサーを介した特定のサイズの標準的な強磁性ターゲットオブジェクトとセンシングの方向は、正弦波に似た信号を取得できます。出力信号は、中心位置近くの1.5mmの範囲内で線形です。
マーク：
- センサーは簡単に損傷しているため、検出面を絞り、衝突させ、スクラッチすることは禁止されています。
- センサーは確実に固定され、設置プロセスのセンシング方向に沿って移動する必要があります。
- センサーの作業温度は-30〜70℃でなければなりません。範囲の温度は寿命に影響します。
- 定格作業電圧と、微分磁気センサーの最大作業電圧は、それぞれ5Vおよび10Vです。
磁気抵抗センサーの詳細については、関連する投稿をお読みください。https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistance-sensor.html
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