シリコンウェーハへの金属堆積
シリコンウェーハさまざまな金属堆積物が2インチから12インチのサイズで販売されています。シリコンウェーハの金属堆積は通常、基質表面で処理され、基質の厚さは通常300UM〜700UMです。参照のために、ウェーハリストを以下に示します。
1。シリコンウェーハの金属堆積のウェーハリスト
| いいえ。 | 材料 | サイズ（インチ） | 表面仕上げ | タイプ | 厚さ (μm) | フィルムの厚さ（nm） | resis。（ohm.cm） | 参照エッジ |
| M2 | 金コーティングされたシリコンウェーハ | 4 | SSP | N100 | 450±15 | 10nmcr+100nmau | 0.01〜0.02 | 2 |
| M4 | 金コーティングされたシリコンウェーハ | 2 | SSP | P100 | 430±10 | 20nmti+100nmau | 0〜0.005 | – |
| M5 | 金メッキシリコンウェーハ | 2 | SSP | N100 | 430±10 | 20nmti+1200nmau | 0〜0.05 | 1 |
| M14 | 銅色のシリコンウェーハ | 6 | SSP | N100 | 675±25 | 2000nmCu | 1〜100 | – |
| M15 | アルミニウムコーティングシリコンウェーハ | 8 | SSP | P100 | 700±25 | 500nmAl | 1〜100 | – |
| M18 | 銅メッキsiウェーハ | 12 | SSP | P100 | 700±25 | 1000nmCu | 1〜100 | – |
| M19 | 銅コーティングSiウェーハ | 12 | SSP | P100 | 700±25 | 500nmCu | 1〜100 | – |
| M20 | 銅メッキsiウェーハ | 6 | SSP | N100 | 625±25 | 125nmCu | 0.01〜0.02 | – |
| M21 | 金コーティングされたシリコンウェーハ | 2 | SSP | P100 | 400±15 | 10nmcr+100nmau | 0〜0.0015 | – |
| M22 | 金メッキシリコンウェーハ | 2 | SSP | N100 | 280±15 | 10nmcr+100nmau | 0〜0.05 | – |
| M33 | プラチナコーティングシリコンウェーハ | 2 | SSP | P100 | 430±15 | 30nmti+150nmpt | 0〜0.0015 | – |
| M34 | 金メッキsiウェーハ | 4 | DSP | 100 | 110±25 | 10nmcr-+50nmau | 0.01〜0.05 | – |
| M35 | 金メッキsiウェーハ | 6 | DSP | 100 | 200±25 | 10nmcr+50nmau | 0.005〜0.01 | – |
| M36 | 金コーティングされたsiウェーハ | 6 | SSP | N100 | 625±25 | 10nmcr+50nmau | 0.01〜0.02 | – |
| M37 | 金コーティングされたsiウェーハ | 4 | DSP | P100 | 200±10 | 50nmcr+10nmau | 2〜3 | – |
| M40 | プラチン化Siウェーハ | 4 | SSP | P100 | 515±15 | 300NMSI02+30NMTI+300NMPT | 0.008〜0.012 | 2 |
| M41 | プラチン化Siウェーハ | 4 | SSP | P100 | 525±25 | 300NMSI02+30NNTI+300NMPT | 0.01〜0.02 | 2 |
| M42 | auコーティングされたsiウェーハ | 6 | DSP | 100 | 200±25 | 10nmcr+50nmau | 0.005〜0.01 | – |
| M43 | PTコーティングSIウェーハ | 4 | SSP | P100 | 500±15 | 300NMSI02+30NMTI+150NMPT | 0〜0.0015 | 2 |
| M44 | PtメッキSi Wafer | 4 | SSP | P100 | 500±15 | 500NMSI02+30NMTI+150NMPT | 0〜0.0015 | 2 |
| M46 | auメッキsiウェーハ | 4 | SSP | N100 | 525±15 | 30nmcr+125nmau | 0〜0.005 | – |
| M47 | Cuメッキsiウェーハ | 4 | SSP | N100 | 525±15 | 30nmcr+100nmcu | 0〜0.005 | – |
| M49 | Cuメッキsiウェーハ | 4 | SSP | P100 | 525±15 | 30nmcr+100nmcu | 8〜12 | 2 |
| M50 | auメッキsiウェーハ | 4 | SSP | N100 | 450±15 | 90nmsi02+10nmcr+100nmau | 0.012〜0.018 | – |
| M51 | PTコーティングSIウェーハ | 4 | SSP | P100 | 500±10 | 280NMSI02+150NMPT | 0〜0.0015 | 1 |
| M52 | CRコーティングSiウェーハ | 4 | SSP | N100 | 525±25 | 200nmCr | 0.01〜0.02 | 2 |
| M54 | AGコーティングSIウェーハ | 4 | SSP | P100 | 500±10 | 30nmcr+200nmag | 0〜0.05 | 2 |
| M55 | Cuコーティングされたシリコンウェーハ | 4 | DSP | P100 | 500±10 | 20nmti+100nmau | 0〜0.05 | 2 |
| M56 | Cuメッキシリコンウェーハ | 4 | DSP | P100 | 500±10 | 20nmni+100nmau | 0〜0.05 | 2 |
| M57 | Cuコーティングされたシリコンウェーハ | 4 | SSP | N100 | 500±10 | 磨かれていない表面20Nnti+100nmau | 1〜3 | 2 |
| M58 | 金でコーティングされたシリコンウェーハ | 4 | DSP | N100 | 525±25 | 20nmti+100nmau | 0〜0.01 | 2 |
| M59 | 金でメッキされたシリコンウェーハ | 4 | SSP | P100 | 525±20 | 磨かれていない表面20nmni+100nmau | 1-3 | 2 |
また、ALコーティングされたシリコンウェーハ（PAM200723-SI）を提供できます。
8インチのアルミメッキされたSiウェハ
直径: 200+/-0.5mm
タイプ: P/ボロン
方向: <100>
抵抗率: >0.5 ohm.cm
厚さ: 200um+/-50um
ノッチ：V
表面: 研磨/エッチング
コーティングされた層：TI 500A + AL 30,000A +/- 10％
プラチナ（PT）コーティングされたシリコンウェーハを服用します。たとえば、プラチナ層は硬度、低抵抗、良好な溶接性を持っているため、導電性シリコンウェーハの導電率、硬度、耐食性が増加し、導電性基板として使用できます。
2。シリコンウェーハのプラチナコーティングについて
シリコンウェーハの金属堆積は、ウェーハに堆積して導電性回路を形成するメタリック薄膜プロセスを指します。金属は一般的に金、プラチナ、アルミニウム、銅、銀などです。金属合金も使用できます。
真空堆積技術は、金属化プロセスでよく使用されます。一方、堆積プロセスのために、スパッタリング、電子ビーム蒸発、フラッシュ蒸発、誘導蒸発は、SIウェーハでプラチナフィルムを製造するための通常の方法です。
シリコンウェーハは、スパッタリング源から強誘電性薄膜を堆積および成長させるために一般的に使用されます。通常、焼結の温度は650〜850°Cに達する可能性があります。焼結の間、ストレスは大きく変化し、ギガパスカルに到達すると緊張または圧縮が減少します。その後、強誘電性薄膜の典型的なストレスは約10oギガパスカルです。温度が750°Cを超えると、PT薄膜が小さな亀裂が現れます。したがって、シリコンウェーハ処理のPT金属層は、750°C未満の温度で堆積する必要があります。
詳細については、メールでお問い合わせください[email protected] と [email protected].