GaAs中間層を備えた4インチSi基板上でのInPのMOCVD成長

この手紙はヘテロエピタキシーについて説明しています。InP on SiMOCVDによる。薄膜化を実現した新エピタキシャル構造GaAs中間層(InP/GaAs/Si) は、InP と Si 間の大きな格子不整合 (8.4%) を軽減するために提案されています。この構造により、鏡面表面を有し、膜厚均一性（Δｄ／ｄ＝±１０％）が良好な４インチのＩｎＰ単結晶が得られた。 InP 膜の残留応力は、Si 上に直接成長させた InP では 8.3×108 dyn/cm2 であったのに対し、InP/GaAs/Si 構造では 5.7±108 dyn/cm2 でした。これは、GaAs 中間層が内部の残留応力の低減にも効果があることを示しています。InPエピ層.

出典:IOPサイエンス

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