InP(311)B基板上に成長させた1550nm帯マルチスタックQD-SOAの利得特性とフェムト秒光パルス応答
この論文では、ひずみ補償技術によって成長した155 nm帯のマルチスタックQD-SOAを実証しました。InP(311)B基板、そして超高速全光論理ゲートデバイスへの応用のために、基本的な利得特性とフェムト秒の光パルス応答を評価しました。 デバイスの長さは 1650 μm で、注入電流 500 mA で最大 35 dB のゲインが得られました。 また、フェムト秒単位で複製された 2 つのシリアル パルスを、持続時間を変更して QD-SOA に入力し、出力の自己相関波形を観察しました。 その結果、有効なキャリア遷移時間は約 1 ps と見積もられました。
キーワード
- QD-SOA;
- 1550nm帯;
- InP(311)B;
- フェムト秒光パルス応答
出典：サイエンスダイレクト
PAM-XIAMEN can supply InP (311) substrate with specification as following:
| 材料 | InP |
| 直径 | 50.6±0.3mm |
| 厚さ | 350±25um |
| Orientation | (311)0° |
| Growth Method | VGF |
| Conductivity | S-C-N |
| Dopant | S |
| OF Location/Length | EJ±0.5°/16±1mm |
| IF Location/Length | EJ±0.5°/7±1mm |
| Ingot CC | Min:2.00E+18/cm3 Max:8.00E+18/cm3 |
| Resistivity | Min:0.6E-03Ω.cm Max:2.5E-03Ω.cm |
| Mobility | Min:1000/cm2/V.s Max:2000/cm2/V.s |
| EPD | Ave:≤1000/cm2 |
| TTV/TIR | ≤10um |
| 弓 | ≤10um |
| Warp | ≤15um |
| Edge Rounding | 0.250mmR |
| Surface Finish-front | Polished |
| Surface Finish-back | Etched |
| Particle Count | N/A |
| Epiready | Yes |
| Laser Marking | N/A |
詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.