ナノファブリケーションサービス

PAM-厦門大手ナノファブリケーション企業の 1 つである同社は、長年の探求を経て、マルチマテリアル、マルチユーザー、マルチデバイス、マルチプロセスの互換性のある管理システムを構築しました。詳細は次のとおりです。

* マルチマテリアル

当社は、Si、III-V 族半導体、ガラス、セラミックなどの複数の材料を処理できます。

– 6 インチ以下のウェーハを処理でき、不規則な小さなピースにも対応します。

– 各種膜成長やイオン源注入が可能。

* マルチパーティユーザー

企業ユーザー向けの研究開発プロジェクト、大学や研究機関向けのテーマ、OEM加工ユーザーや装置・消耗品の研究開発プロジェクトなど、ユーザー向けのナノ製造サービスを提供しています。

* 複数のデバイス

PAM-XIAMENのナノファブリケーションウェーハファウンドリサービスSi MEMS デバイス、GaAs オプトエレクトロニクス デバイス、GaN パワー エレクトロニクス デバイスなどのデバイスに使用できます。

* 複数のプロセス

当社は、前から後までの完全な加工技術、テストと特性評価のための複数の方法 (光学、力学、音響)、マルチフィジックス シミュレーション ソフトウェアなど、さまざまなナノファブリケーション製造技術を備えています。

さらに、当社は強力なハードウェアおよび機器の能力を備えています。詳細は以下をご覧ください。

1. ナノ加工ラボの超クリーン環境

2. ナノファブ装置の概要

処理基盤装置の概要
プロセス	デバイスモデル
DB	ASM832i（3台）	ESEC2100hs	ESEC 2007	–
WB	K&S ConnX エリート	K&S ICONNPLUs	K&SアイコンLA（10台）	OE 360CHD
錫メッキ（スプレー接着剤）	ミングシール CS-600（4台）	–	–	–
半導体SMT	DEK印刷機	サムスンマウンター	BTUリフローオーブン	マジクレイ葵
バックエンド	ディスコ3350（2台）	ハンのマーキングマシン	ASM成形機	マーチ AP1000
フォトリソグラフィー	BG-406/6S 両面露光機	合肥鎮平HMDS	MYCEO 散布機	–
検査等	Dage4000	Dage 7500VR-Xay	オリンパス STM7	オリンパ BX53M

 

3. イエローゾーンのナノファブリケーション施設

リソグラフィー機の精度：フロントアライメント±1um、バックアライメント±4um。

製品サイズに適応：6インチ以下と互換性があります。

装置の種類: コンタクト リソグラフィー。

露光光源：UV365、500W超高圧水銀灯。

露光解像度: 1.5um (ゲルの厚さ ≤ 1um、ポジティブ接着剤、真空接触);

イエローライトエリア構成：HMDS、ホモジナイズ、プリベーク、ポストベーク、フォトリソグラフィーなどの一連のプロセスを備えた100レベルのワークショップ。

4. ダイシング装置

ダイシングとは、半導体の前工程で作られた回路パターンが形成されたウェハ（Chip）を、所定の方法で小さなチップ（Die）に分割する工程です。

ウェーハサイズ：2～8インチ。

スクライビング方法：砥石ナイフスクライビング。

スクライブ材：Si、GaN、GaAsの、 InP、サファイア、ガラス、セラミックス、パッケージ基板など。

スピンドル速度: 6000rpm

5. 表面実装技術装置

表面実装技術 (SMT) は、チップへの電気的接続を実現し、応力、放熱性能、信頼性を向上させるために、チップをリードフレーム上にパッケージ化する技術です。

はんだ：導電性接着剤、銀ペースト、金/錫はんだ、はんだ、金、銅など。

溶接精度：ASM（±20um）、ESEC（±25um）。

チップサイズ: 0.15*0.15mm~20*20mm;

ウェハサイズ：12インチ以下に対応

溶接方法：ホットプレス接合、共晶溶接、フリップチップ溶接、接着加工など

6. ワイヤーボンディング装置

ワイヤボンディングは、金属ワイヤを使用してチップの I/O 端 (インナーリード端子) を対応するパッケージピンまたは基板上の配線ランド (アウターリード端子) に相互接続し、固相溶接プロセスを実現することです。

金属線材質：Au線、Al線、Cu線。

線径：数十ミクロン～数百ミクロン。

重要なボンディングツールの形状：球面ボンディングとウェッジボンディング。

接合精度：±3um（最大±2um）

7. ナノ加工プロセス能力 - 特殊プロセス

ナノ加工プロセスで作製した実際の製品：

以下は、光学、生物学的応用のためのナノ加工を示す例です。

GaN & SiC材料とデバイス：

MEMS量子チップとパッケージング:

FBARフィルター TC-SAWフィルター：

                      

MicroLED：

スピン状脳デバイスのニューロモーフィック計算:

                     

過去数十年の発展において、ナノファブリケーション技術は集積回路の急速な発展を促進し、デバイスの高集積化を実現しました。ナノ加工技術と従来の加工技術の主な違いは、このプロセスで形成されるデバイス構造のサイズがナノメートルオーダーであることです。以下に簡単なナノファブリケーション技術と原理を示します。ナノファブリケーションには 2 つのタイプがあります。

• 1 つはトップダウンのナノ加工です。つまり、複雑な微細構造が平らな基板の表面に層ごとに形成されます。また、ナノ構造やデバイスを実現するための、既存の材料に基づく特定の処理として理解することもできます。現在、フォトリソグラフィー、ナノインプリンティング、およびプローブ技術はナノ加工技術に属します。
• もう 1 つは、分子レベルからナノ構造を構築できる分子自己集合プロセスに依存するボトムアップ ナノ製造です。基本的な構造や材料が存在せず、分子の成長によってパターンを得る加工方法です。

詳細については、メールでお問い合わせください。[email protected] と [email protected].